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- [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210051482.8在审
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严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-17
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2023-07-28
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H10B12/00
- 本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：设置第二导电层顶面低于第一导电层的顶面；设置第一初始位线导电层的顶面高于第二初始位线导电层的顶面；采用第一刻蚀工艺对第一初始位线导电层进行刻蚀，同时对部分第二初始位线导电层进行第一刻蚀工艺；采用第二刻蚀工艺对第一导电层进行刻蚀，同时对剩余的第二初始位线导电层进行刻蚀，且第一刻蚀工艺对第二初始位线导电层的刻蚀速率大于第二刻蚀工艺对与第二初始位线导电层的刻蚀速率；形成包裹空洞的位线接触结构，在沿位线接触结构顶面指向位线接触结构底面的方向上，位线接触结构的宽度逐渐增大。本公开实施例有利于减小半导体结构发生短路的概率。
- 半导体结构制备方法
- [发明专利]准确获取光刻参数的方法-CN202010777000.8有效
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严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2020-08-05
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2023-06-09
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G03F7/20
- 本发明提供一种准确获取光刻参数的方法，其包括如下步骤：采用同一掩膜图形作为掩膜，在不同的预设光刻参数下，对目标载体进行光刻，获得多个目标图形；将所述目标图形与标准图形进行对比，获得评估值，若所述目标图形所对应的评估值大于或者等于预设值，则将所述目标图形设定为有效图形；以所述有效图形的线宽及其对应的预设光刻参数为数据绘制泊松曲线；根据所述泊松曲线获得预设线宽对应的光刻参数。本发明的优点在于，利用标准图形对目标图形进行筛选，使筛选过程标准化，避免人工筛选标准不统一而造成的误差，减少了人为因素对光刻参数选取的影响，大大提高了半导体制程的稳定性；同时，由于不需要人工手动操作，大大提高了生产效率。
- 准确获取光刻参数方法
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111192543.4在审
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严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2021-10-13
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2023-04-18
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H10B12/00
- 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供具有位线接触区的基底；在位线接触区形成第一导电层和第二导电层。本申请通过两次沉积工艺分别形成第一导电层和第二导电层，且第一导电层中掺杂杂质的浓度小于第二导电层中掺杂杂质的浓度，由于掺杂杂质的浓度越低填充能力越高，这样在形成第一导电层时可以避免形成缝隙，并且第一导电层在位线接触区内围成接触孔具有较小的深宽比，在形成第二导电层时，可以避免在第二导电层形成缝隙，这样在后续形成位线以及隔离侧墙时，不会损坏隔离侧墙，进而不会造成电容接触结构与位线发生电连接，提高了半导体结构的良率。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构-CN202211350754.0在审
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刘欢;严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2022-10-31
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2023-01-03
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H01L21/768
- 本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括在贯穿导电层的第一开口中形成第一介质层，其中，第一介质层覆盖第一开口的底面及侧面和导电层的顶面，且位于第一开口内的第一介质层围成第二初始开口，第二初始开口顶部的宽度小于第二初始开口中部的宽度，并刻蚀以减薄位于第一开口内的第一介质层，使得由第一开口内剩余第一介质层围成第二开口，其顶部的宽度小于其中部的宽度，还在减薄后的第一介质层上形成第二介质层，第二介质层封堵第二开口顶部，从而通过位于第二开口内的第二介质层以及位于第二开口顶部的第二介质层围成气隙。如此，本公开实施例至少可以形成具有较大宽度的气隙以减小寄生电容。
- 半导体结构制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211228665.9在审
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严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2022-10-09
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2022-12-27
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H01L23/538
- 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括衬底；位线，包括伸入至所述衬底内的接触部和位于所述接触部顶部的主体部，所述主体部沿第一方向延伸，所述接触部的底部呈平面设置且沿第二方向具有第一尺寸，所述接触部的顶部沿所述第二方向具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一方向、所述第二方向和所述接触部的底部所在平面均平行于所述衬底所在平面，所述第一方向和所述第二方向相交；第一隔离结构，覆盖所述接触部的侧壁，所述第一隔离结构的底部呈平面设置，且所述第一隔离结构的底部和所述接触部的底部基本平齐。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202211251578.5在审
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严勋
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长鑫存储技术有限公司
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2022-10-13
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2022-11-11
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H01L21/768
- 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底以及位于衬底上的导电层；刻蚀导电层以形成贯穿导电层的第一沟槽；在衬底上形成第一介质层，第一介质层至少填充第一沟槽；刻蚀第一介质层以形成第二沟槽，第二沟槽至少部分位于第一沟槽内，且第二沟槽的深宽比大于第一沟槽的深宽比；在第二沟槽内形成第二介质层，第二沟槽内具有未被第二介质层填充的第一气隙。第一沟槽将导电层间隔为多个导电线，本公开通过形成相比于第一沟槽具有更大的深宽比的第二沟槽，并在第二沟槽内填充第二介质层，以在第二沟槽内形成具有更大尺寸的第一气隙，降低相邻两个导电线之间的寄生电容。
- 一种半导体结构及其制造方法
- [实用新型]一种榫式太阳能电池组件-CN202221140132.0有效
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严勋;王丽华;董超
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盐城天合国能光伏科技有限公司
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2022-05-12
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2022-09-09
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H02S30/10
- 本实用新型公开了一种榫式太阳能电池组件，包括第一边框，所述第一边框的下表面固定连接有电池，所述电池的侧表面固定连接有第二边框，所述电池的侧表面且位于第一边框、第二边框的内部设置有接线柱，所述第一边框的下表面设置有固定机构，所述第一边框的侧表面设置有安装槽，所述安装槽的内表面滑动连接有硬质片，所述硬质片的上表面固定连接有橡胶垫。本实用新型，通过设计防水塞、第一边框与第二边框，实现通过榫卯式连接，增加连接的便利性，通过设计固定机构，避免螺栓轻微松动导致装置之间连接不紧密，且可以调节安装槽内部的大小，增加连接的性能且便于拆装，通过设计橡胶垫、安装槽与固定机构，增加连接部分防水的性能。
- 一种太阳能电池组件
- [实用新型]一种弧形太阳能电池-CN202221151907.4有效
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董超;严勋;薛云奈
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盐城天合国能光伏科技有限公司
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2022-05-13
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2022-09-09
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H02S20/00
- 本实用新型公开了一种弧形太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该弧形太阳能电池，包括衬底，所述衬底上设置有容纳槽，所述容纳槽的内部设置有电池片，所述衬底的上方固定连接有有机玻璃，所述衬底的侧面固定连接有防护侧边。本实用新型中，设置了加强单元、容纳槽、防护侧边、电池片，加强单元中的横梁一、横梁二、支撑杆可以对衬底提供多个方向的支撑作用，使整体可以抵抗更加恶劣的环境，延长其使用寿命，使用起来比较耐用，容纳槽的特殊分布，减少相同面积下的电池片的使用数量，既方便安装，又增加整体的强度，同时，防护侧边可以避免其它物品直接与有机玻璃发生直接的碰撞，提高有机玻璃的使用寿命。
- 一种弧形太阳能电池
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