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[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法-CN202310848400.7在审
发明人：刘聪;储郁冬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤：沟槽刻蚀步骤；沟槽填充步骤，于所述基底表面以及所述沟槽内沉积隔离材料形成隔离层，并通入溅射气体，对所述沟槽靠近所述预设掩模版的拐角处的隔离层进行轰击，以使得所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值；以及平坦化步骤。本申请沟槽填充采用沉积加溅射模式，在保证沟槽填充能力的基础上，有效改善膜层表面均匀性；且通过采用通入过量氧气，以使部分氧气作为溅射气体的方式，可以减小对基底的轰击损害、降低气体管道的维护成本、减少设备耗材成本、降低产品成本、提高产品竞争力。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种沟槽隔离结构的形成方法-CN202310850629.4在审
发明人：刘聪;储郁冬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤：沟槽刻蚀步骤，隔离材料沉积步骤，隔离层刻蚀步骤，溅射步骤；重复所述隔离材料沉积步骤、所述隔离层刻蚀步骤以及溅射步骤，直至在所述沟槽内填满隔离材料，且所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值；以及平坦化步骤。本申请通过改善沟槽填充工艺，采用沉积加刻蚀加溅射模式，在保证较大深宽比的填充能力的基础上，有效改善沟槽拐角处隔离层的平坦度，改善膜层表面均匀性，降低后续化学机械研磨工艺风险和挑战，提高产品竞争力。
一种沟槽隔离结构形成方法