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[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210670362.6在审
发明人： 龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法包括：在位元线之间形成半导体层；图案化半导体层以形成多个单元接触和沟槽，其中沟槽隔开两个单元接触；在沟槽中形成隔离层。半导体层可形成在位元线之间，使得位元线之间可不形成牺牲层。可省略形成牺牲层的工艺以节省制造成本及时间。由于半导体层形成在形成隔离层之前，因此在形成半导体层时不会形成空隙。
半导体结构制造方法

[发明专利]具有气隙的半导体结构-CN202211274644.0在审
发明人： 龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种具有气隙的半导体结构。该半导体结构具有一第一位元线，设置在一基底上；一接触点，邻近设置在该基底上的该第一位元线设置，其中在该接触点的一上部与该第一位元线之间的一第一距离小于在该接触点的一下部与该第一位元线之间的一第二距离；一介电层，共形地设置在该第一位元线、该基底以及该接触点上；以及一第一气隙，被该介电层所密封，并由该第一位元线、该基底以及该接触点所界定。
有气半导体结构

[发明专利]具有气隙的半导体结构的制备方法-CN202211699527.9在审
发明人： 龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括形成一第一位元线以及一第二位元线在一基底上；形成一图案化层在该第一位元线与该第二位元线之间，其中该图案化层覆盖该基底并围绕该第一位元线的一下部以及该第二位元线的一下部；形成一共形层在该图案化层上；形成一接触点在该共形层上以及在该第一位元线与该第二位元线之间，其中在该接触点的一顶部与该基底之间的一垂直距离大于在该图案化层的一顶部与该基底之间的一垂直距离；移除该图案化层与该共形层；以及形成一气隙在该接触点与该第一位元线之间，或是在该接触点与该第二位元线之间，其中该气隙被一介电层所密封。
有气半导体结构制备方法

[发明专利]半导体对位结构及其制造方法-CN202111156983.4在审
发明人：赖朝文;龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种对位结构的制造方法包括：提供基板及复数个导电特征，导电特征间隔排列于基板上；在基板及导电特征上共形地沉积第一堆叠层，第一堆叠层上具有复数个凹入部；在第一堆叠层上形成牺牲层，移除部分的牺牲层以形成分别位于凹入部的复数个遮盖；以遮盖作为蚀刻遮罩对第一堆叠层进行非等向性蚀刻工艺，形成复数个第一堆叠部并露出导电特征；在第一堆叠部及导电特征上共形地沉积第二堆叠层；以及对第二堆叠层执行蚀刻光刻工艺，形成分别在第一堆叠部上的复数个第二堆叠部及分别暴露导电特征的复数个对位通孔。借此，能精准地利用对位通孔将半导体元件放置到导电特征上，使得半导体元件与导电特征接触并电性连接。
半导体对位结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构和其形成方法-CN202110755905.X在审
发明人： 龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体结构，包括基板、位于基板上的金属位元线、位于金属位元线的侧壁上的位元线间隔层、邻近金属位元线的接触件。半导体结构包括覆盖金属位元线、位元线间隔层和接触件的覆盖层，其中覆盖层包括覆盖位元线间隔层的侧壁的第一部分、覆盖接触件的侧壁的第二部分及覆盖接触件的顶表面的第三部分。半导体结构包括介于覆盖层的第一部分及第二部分之间的气隙，其中气隙的顶部部分朝向位元线间隔层倾斜，第一部分及第三部分在气隙上方彼此接触。本揭露的半导体结构中的覆盖层通过自封装的方式形成气隙，使得气隙的结构完整，从而有效降低半导体结构中的寄生电容。
半导体结构形成方法

[发明专利]形成电容器的方法-CN202111213265.6在审
发明人： 龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种形成电容器的方法，包括在基板上形成堆叠，其包括支撑层、在支撑层上的第一材料层和在第一材料层上方的第二材料层，其中至少第一材料层包括可灰化材料。方法还包括图案化堆叠以在堆叠中形成第一开口、在第一开口中形成包括第二开口的第一电极、移除第二材料层以暴露第一电极的外侧表面的上部、灰化第一材料层以暴露第一电极的外侧表面的下部，以及在第一电极的第二开口中和第一电极的外侧表面上形成介电层和第二电极。由于本公开的形成电容器的方法使用灰化工艺移除堆叠下部的材料层，使得堆叠中的电极在支撑层中可以避免摇摆，从而增加电容器的可靠度。
形成电容器方法

[发明专利]一种利用三级胺制备硫脲类化合物的电化学方法-CN202110960573.9有效
发明人：赖胤龙;严绍熙;周丽珍;张圣领;伍思潮;黎细永;黄钰泓;胡薷心;龚耀雄;陈怏憧 -专利权人：韶关学院
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C25B3/09 文献下载
摘要：本发明属于电化学有机合成技术领域，公开了一种在电化学条件下以三级胺和异硫氰酸苯酯为原料直接制备硫脲类化合物的方法。所述制备方法包括如下步骤：在无隔膜的电解池中依次加入电解质、电解溶剂、三级胺和异硫氰酸苯酯，插入阳极及阴极，搅拌，常温常压恒电流条件下进行反应，反应完成后，用有机溶剂对电解液进行有机萃取然后再分离提纯得到硫脲类化合物。本发明所述方法无需额外添加金属催化剂和繁琐的多步骤操作，从而有效地避免制备复杂的催化剂，反应体系简单有效，环境友好,产率高；本发明所述方法反应在常温常压下操作，简单、安全，是一种硫脲类化合物的全新的合成方法。
一种利用三级制备硫脲化合物电化学方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110606770.0在审
发明人： 龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基板、栅极、位线、上盖层、第一间隔件、绝缘层、第二间隔件以及旋涂介电层。栅极与位线位于基板上。栅极位于基板与位线之间。上盖层位于位线上。第一间隔件位于栅极、位线以及上盖层的侧壁上。绝缘层位于第一间隔件的上部分上。第二间隔件位于绝缘层的底面且向下延伸。绝缘层、第一间隔件与第二间隔件定义出空气间隙。旋涂介电层位于第一间隔件、空气间隙与第二间隔件之间。旋涂介电层低于位线的底面。借此，本发明的半导体结构，空气间隙的开口位于位线下方使旋涂介电层可从第一间隔件的底部上流入开口中，以达到封闭开口的效果。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置和其形成方法-CN202110300680.9在审
发明人： 龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括基板、位于基板上的金属比特线、位于金属比特线的相对两侧壁上的比特线间隔层、邻近金属比特线的接触件、位于接触件的相对两侧壁上的接触件间隔层、介于比特线间隔层和接触件间隔层之间的气隙、位于气隙上方的介电覆盖膜、位于介电覆盖膜上的间隔层，以及覆盖金属比特线、间隔层和接触件的覆盖层。其中，介电覆盖膜的下表面和接触件的上表面共平面，覆盖层接触介电覆盖膜。借此，本发明的半导体装置可避免装置中的覆盖层填入气隙中，从而维持气隙结构的完整性，以减少半导体装置中的寄生电容。
半导体装置形成方法

[发明专利]具有气隙区的半导体结构的制造方法-CN202110171380.5在审
发明人：赖朝文;龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有气隙区的半导体结构的制造方法，包括：形成牺牲材料层及导电元件，牺牲材料层侧向邻接导电元件；在导电元件及牺牲材料层上形成遮罩图案；根据遮罩图案移除牺牲材料层的一部分，以露出剩余的牺牲材料层的侧表面；以及从剩余的牺牲材料层的侧表面进行等离子蚀刻工艺，以完全移除剩余的牺牲材料层而形成邻接导电元件的气隙区。此方法通过形成牺牲材料层、移除牺牲材料层的一部分以及从剩余的牺牲材料层的侧表面进行等离子蚀刻工艺以完全移除剩余的牺牲材料层，从而形成位于两导电元件之间的气隙区(其介电常数为1)，以有效降低两导电元件之间的寄生电容。
有气半导体结构制造方法

[实用新型]一种智能家居鞋柜-CN202122329374.6有效
发明人：赖胤龙;严绍熙;曾懋华;龚耀雄;陈怏憧;吴丽芸;蓝依微 -专利权人：韶关学院
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： A47B61/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及环保设备技术领域，公开了一种智能家居鞋柜，用于放置在门廊处使用，包括壳体和设于所述壳体内用于放置鞋的抽屉式柜体，所述壳体内侧壁上设有导轨，所述柜体的外侧壁上设有用于与所述导轨配合的导槽，所述导槽上设有齿条，所述壳体内设有与所述齿条齿轮传动连接的步进电机；还包括设于所述壳体上的控制模块，所述壳体的外侧壁上设有第一红外线感应器，所述壳体的顶部设有第二红外线感应器，所述控制模块分别与所述第一红外线感应器、第二红外感应器、步进电机电连接，所述控制模块通过线缆与外部供电连接。本实用新型自动化程度高，能够维持放鞋的空间整洁，具有很好的实用性。
一种智能家居鞋柜

[实用新型]一种便携式具有香薰功能的加湿器-CN202120130495.5有效
发明人：赖胤龙;曾懋华;严绍熙;张琦;周丽珍;罗建民;杜煜龙;李健华;龚耀雄 -专利权人：韶关学院
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： F24F6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式具有香薰功能的加湿器，包括拿取仓和喷出头，所述拿取仓的上端设置有雾化仓，且雾化仓的上表面设置有积水槽，所述拿取仓的下端内侧设置有微型水泵，且微型水泵的下侧安装有卡槽块，所述卡槽块的中部开设有出水口，且卡槽块的下端边缘安装有外螺纹，并且出水口的下端连接有吸水管，所述吸水管的外侧设置有水仓，且水仓的上端内侧设置有内螺纹。本实用新型结构简单，方便移动，将微型水泵与吸附海绵设为卡合式拆卸连接，而柚子皮提取的精油可以存储在吸附海绵内，精油消耗完以后，将吸附海绵取下对其进行补充，能够增加整个装置的稳定使用能力，同时可以增加气味的喷出均匀能力，也能避免香薰分子直径过大会堵塞吸水口。
一种便携式具有功能加湿器

[实用新型]芯片缺陷探测器-CN03257079.1无效
发明人：陈志焜;龚耀雄;罗屯元 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片缺陷探测器，特别指用以在芯片研磨前，及时且快速检测异常芯片的装置；该芯片缺陷探测器是包括有一测试平台，用以承载一芯片以供测试；一超声波检测装置，设置于该测试平台上方，用以发射一平面超声波以扫描该芯片及接收该芯片所反射回来的超声波；及一微处理器，用以处理该芯片所反射回来的超声波并传送至一监视器；借此探测该芯片的内部是否存在缺陷。
芯片缺陷探测器

[发明专利]自动显示磨耗程度的研磨垫及制造方法-CN02131996.0有效
发明人：陈志焜;龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种自动显示磨耗程度的研磨垫，包括一研磨基板，具有一研磨面、一基准面、至少一第一标记孔，设置于该研磨面下方一第一既定距离处、至少一第二标记孔，设置于该研磨面下方一第二既定距离处，以及至少一第三标记孔，设置于该研磨面下方一第三既定距离处，其中该第一、第二及第三标记孔，由该研磨面往该基准面方向延伸，并且该第三既定距离大于该第二既定距离，且该第二既定距离大于该第一既定距离。
自动显示磨耗程度研磨制造方法

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