专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果36个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [外观设计]电动三轮车-CN202230517160.9有效
  • 黄贤国 - 黄贤国
  • 2022-08-09 - 2022-12-13 - 12-11
  • 1.本外观设计产品的名称:电动三轮车。2.本外观设计产品的用途:本外观产品用于电动三轮车。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
  • 电动三轮车
  • [外观设计]车灯-CN202230204961.X有效
  • 黄贤国 - 黄贤国
  • 2022-04-13 - 2022-12-13 - 26-06
  • 1.本外观设计产品的名称:车灯。2.本外观设计产品的用途:本外观产品用于车灯。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:组合状态立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.本外观设计产品的组合状态仰视图为使用时不容易看到或看不到的部位,省略组合状态仰视图。7.本产品为组件产品:组件1为车灯左部;组件2为车灯右部;组件3为车灯中部。
  • 车灯
  • [外观设计]车灯(1)-CN202230204958.8有效
  • 黄贤国 - 黄贤国
  • 2022-04-13 - 2022-08-05 - 26-06
  • 1.本外观设计产品的名称:车灯(1)。2.本外观设计产品的用途:本外观产品用于车灯。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
  • 车灯
  • [外观设计]电动车-CN202130590537.9有效
  • 黄贤国 - 黄贤国
  • 2021-09-07 - 2022-03-15 - 12-11
  • 1.本外观设计产品的名称:电动车。2.本外观设计产品的用途:本外观产品用于电动车。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.无设计要点,省略俯视图;本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位,省略仰视图。
  • 电动车
  • [发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201810028656.2有效
  • 黄贤国;宋洵奕;王猛 - 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
  • 2018-01-12 - 2022-01-07 - H01L29/06
  • 公开了一种场效应晶体管及其制造方法,包括:衬底;阱区;体接触区、源区和漏区,位于阱区内,源区位于体接触区与漏区之间,源区与漏区之间形成沟道;栅极导体,位于源区与漏区之间的沟道上;衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型,源区和漏区为第二掺杂类型,阱区包括第一阱区和被第一阱区包覆的第二阱区,第二阱区的掺杂浓度高于第一阱区的掺杂浓度,第二阱区至少延伸在体接触区与源区之间,漏区位于所述第一阱区内。场效应晶体管中存在寄生三极管,通过调节第二阱区的掺杂浓度或者范围来控制寄生三极管的电流大小。通过在第一阱区内形成第二阱区,增大场效应晶体管的维持电压,最终减小场效应晶体管的寄生三极管电流对场效应晶体管的影响。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [实用新型]光电集成器件-CN202020771473.2有效
  • 吕政;何惠森;黄贤国 - 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
  • 2020-05-11 - 2020-11-20 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种光电集成器件,包括半导体基底,在所述半导体基底中至少包括一光电器件;覆盖所述半导体基底的第一表面的第一介电层;覆盖所述第一介电层的绝缘层;位于所述绝缘层中的第一开口,所述第一开口裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层;覆盖所述第一介电层的第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。本实用新型提供的光电集成器件使得光线只通过所述抗反射层即可进入所述光电器件,不仅可以获得优良的光学特性,还减小了制造成本。
  • 光电集成器件
  • [发明专利]光电集成器件及其制造方法-CN202010390949.2在审
  • 吕政;何惠森;黄贤国 - 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
  • 2020-05-11 - 2020-07-28 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种光电集成器件及其制造方法,所述方法包括:提供一半导体基底,在所述半导体基底中至少包括一光电器件;在所述半导体基底的第一表面形成第一介电层;在所述第一介电层上形成绝缘层;在所述绝缘层中形成第一开口,以裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层;在裸露的所述第一介电层上形成第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。本发明提供的光电集成器件使得光线只通过所述抗反射层即可进入所述光电器件,不仅可以获得优良的光学特性,还减小了制造成本。
  • 光电集成器件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top