“黄宝伟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]功率器件、功率模块和车辆以及功率器件的制备方法-CN202111673637.3在审
发明人：王世谈;黄宝伟 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件、功率模块和车辆以及功率器件的制备方法，功率器件包括：第一导电类型的漂移层；在漂移层的正面依次设置有第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区和发射极，发射极与阱区和源区接触，在漂移层的背面设置有集电极；多个沟槽栅结构，每个沟槽栅结构沿纵向贯穿源区和阱区并延伸至漂移层；其中，多个沟槽栅结构沿横向排布，靠近中央位置的相邻两个沟槽栅结构之间的阱区中设置有第二导电类型的调节区，中央位置为在横向上多个沟槽栅结构排布的中央区域。本发明的功率器件能平衡功率器件中不同区域的结温，提升器件整体性能并延长器件寿命。
功率器件模块车辆以及制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法、功率模块和车辆-CN202111629760.5在审
发明人： 黄宝伟;李庆丰 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种功率器件及其制备方法、功率模块和车辆，功率器件包括：第一导电类型的漂移层；在漂移层的正面沿垂直于漂移层的方向依次设置有第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区和第一发射极，在漂移层的背面至少设置有集电极；至少一个沟槽结构，每个沟槽结构包括沟槽，沟槽贯穿源区和阱区且沟槽的槽底延伸至漂移层，沟槽内填设有沿沟槽深度方向延伸且沿沟槽宽度方向排布的栅极和第二发射极，第二发射极与第一发射极连接。本发明的功率器件，能优化功率器件开关时栅极的震荡问题，提高器件稳定性。
功率器件及其制备方法模块车辆

[发明专利]场效应晶体管及具有其的半导体功率模块和车辆-CN202111579500.1在审
发明人：郝瑞红;黄宝伟 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管及具有其的半导体功率模块和车辆。所述场效应晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区；漂移区的上表面形成有第二导电类型掺杂区和正面电极层，第二导电类型掺杂区位于漂移区的上表面与正面电极层的下表面之间，第二导电类型掺杂区中形成有第一导电类型的源区；多个沟槽栅结构，多个沟槽栅结构彼此间隔开，每个沟槽栅结构从第二导电类型掺杂区的上表面延伸至漂移区内；漂移区的下表面形成有第二导电类型的集电区和背面电极层，集电区位于漂移区与背面电极层之间；其中，至少一个沟槽栅结构在与漂移区平行的方向沿非直条状延伸。所述场效应晶体管具有更低的正向饱和压降，降低在应用端使用时的损耗。
场效应晶体管具有半导体功率模块车辆

[发明专利]IGBT元胞结构和功率器件及制备和控制方法及车辆-CN202111498743.2在审
发明人：王慧慧;黄宝伟 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT元胞结构和功率器件及制备和控制方法及车辆，IGBT元胞结构包括漂移区；漂移区的正面形成有阱区、第一源区、第一栅极结构和发射电极，其中，阱区和第一源区与发射电极接触，第一栅极结构与阱区、第一源区和发射电极绝缘；漂移区的背面形成有电场截止层、集电区层和集电极，所述集电区层位于所述电场截止层和所述集电极之间；其中，在集电区层远离所述电场截止层的一面形成有第二栅极结构和第二源区，第二栅极结构与集电极绝缘，第二源区与集电极接触。根据本发明的TGBT元胞结构和功率器件及车辆，能够避免出现电流拖尾现象，减小关断损耗，提升IGBT器件的性能。
igbt 结构功率器件制备控制方法车辆

[发明专利]功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件-CN202111384986.3在审
发明人： 黄宝伟;罗娜娜 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件，功率器件元胞结构包括：依次叠层设置的集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区、第一导电类型的注入区、第一绝缘层和发射极，第一绝缘层中开设有接触孔，发射极通过接触孔与注入区接触；栅槽结构，栅槽结构的顶部与第一绝缘层接触，栅槽结构贯穿注入区和阱区，栅槽结构的底部延伸到漂移区；栅槽结构的至少一侧形成有第二导电类型的发射区，发射区沿栅槽结构的顶部向栅槽结构的底部延伸。本发明实施例的功率器件元胞结构，能够缩短沟道长度，减小沟道电阻，降低正向导通压降。
功率器件结构及其制备方法

[发明专利]IGBT元胞结构、芯片及车辆-CN202111022566.0在审
发明人：王慧慧;黄宝伟 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT元胞结构、芯片和车辆，包括：多个元胞子结构；至少一个P+柱，相邻两个元胞子结构通过P+柱连接；N‑漂移区和金属发射极，每个元胞子结构的每个P型阱区设置在N‑漂移区和金属发射极之间，P+柱的一端与金属发射极连通且另一端与N‑漂移区连通；N型缓冲层；P型集电区；多个载流子存储层。本发明通过设置载流子存储层，在IGBT元胞结构导通时，使得载流子存储层下方的空穴不会被P型阱区和载流子存储层的反偏PN结抽取，从而降低饱和压降，以及，通过设置P+柱，在器件导通时，提高其抗闩锁能力，在器件关断时，通过碰撞电离产生的电子抽取N‑漂移区中的空穴，从而降低关断时间和关断损耗。
igbt 结构芯片车辆

[实用新型]一种LED显示屏固定架-CN202222350909.2有效
发明人： 黄宝伟;林德军;李金亮 -专利权人：山东鸿图科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED显示屏固定架，包括主框架，所述主框架内壁后端固定连接有隔板，所述主框架前端外侧固定连接有固定框，所述固定框前端边角处均固定连接有第一夹紧机构，所述主框架两侧分别固定连接有第一固定机构和第二固定机构，所述主框架一侧外壁中上部和中下部均开设有一号固定槽，所述主框架另一侧外壁顶部和底部均开设有二号固定槽，所述主框架后端顶部和底部两侧均安装有固定块，所述隔板后端中心滑动连接有多个第二夹紧机构，多个所述第二夹紧机构之间安装有支撑板，所述支撑板后端中心固定连接有固定柱。本实用新型通过拉动两个固定机构上的把手将两个活动柱缩回，便可以将显示屏快速更换，方便工作人员操作。
一种 led 显示屏固定

[实用新型]一种后浇带独立支撑装置-CN202221435899.6有效
发明人：杨自强;袁奇;胡成魁;黄宝伟;陈杭 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： E04G25/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种后浇带独立支撑装置，涉及后浇带支撑技术领域。包括支撑架和结构板，结构板设于支撑架的上方，支撑架的顶部内设有手摇顶升结构，手摇顶升结构的底板固定于支撑架内侧壁，手摇顶升结构的顶板与结构板固定连接，推动结构板上移或下移，顶升结构的摇柄设于支撑架的外部。通过在支撑架的顶部设置手摇顶升结构，手摇顶升结构与结构板连接，摇动手摇顶升结构使其上升或下降，可以带动结构板上升或下降，当上升时能够将后浇带处结构板支撑紧密，能避免后浇带内大量积灰，施工缝剔凿垃圾清理困难，当下降时容易拆卸该支撑架；通过上述结构能够调节支撑架的高度和支撑紧密度，可周转性好，从而能够节省材料成本，创造经济效益。
一种后浇带独立支撑装置

[发明专利]逆导型IGBT器件及制备方法-CN202010002643.5有效
发明人： 黄宝伟;肖秀光;吴海平;陈刚 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种逆导型IGBT器件及制备方法，包括漂移层和设置在漂移层上表面的正面结构，漂移层下表面设置有缓冲层，缓冲层内设有多个空腔区；缓冲层表面设有导电层，空腔区与导电层之间设有间隙，导电层由而背面第一导电类型区和背面第二导电类型区间隔设置，背面第二导电类型区设置在空腔区下方，导电层表面设有集电极层。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在缓冲层内设置空腔区，且将空腔区设置在背面第二导电类型区的上方，形成电流散射中心，使背面第二导电类型区的空穴在IGBT开通时能以更快的速度注入IGBT的漂移层，能够明显消除电压折回现象。
逆导型 igbt 器件制备方法

[实用新型]一种可周转式电梯井防护装置-CN202221429402.X有效
发明人：杨博伦;胡成魁;黄宝伟;杨自强;陈杭 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种可周转式电梯井防护装置，涉及建筑施工技术领域。包括由钢筋搭设而成的钢筋防护网，钢筋防护网通过连接结构安装于电梯井内的梁板上；连接结构包括预埋固定件、连接件和调节件，预埋固定件预埋于电梯井内的梁板上，连接件的一端与预埋固定件的外端可拆卸连接，连接件的另一端与调节件的一端连接，调节件的另一端与钢筋防护网的边缘连接，其中，调节件为可伸缩结构件。通过预埋固定件以及与预埋固定件可拆卸连接的连接件，本实用新型固定可靠，能够确保施工人员的安全，通过调节件可调节钢筋防护网与梁板内壁之间的间距，通过连接件方便拆卸和安装钢筋防护网，使得钢筋防护网可以适用不同尺寸的电梯井，操作方便，可周转性强。
一种周转电梯防护装置

[发明专利]一种建筑用钢筋除锈装置-CN202010562705.8有效
发明人：唐中辉;刘传雄;黄宝伟;温冬梅 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种除锈装置，尤其涉及一种建筑用钢筋除锈装置。技术问题：提供一种可自动旋转钢筋，自动将除锈剂喷洒在钢筋上，并且能够自动更换钢筋的建筑用钢筋除锈装置。本发明的技术方案是：一种建筑用钢筋除锈装置，包括有：底座，其左右两侧均安装有至少两个第一支撑柱，第一支撑柱顶部设有底板；旋转移动机构，底板前后两侧安装有旋转移动机构，底板前后两侧设有松料机构。本发明通过旋转移动机构，可带动钢筋自动移动与旋转，便于对钢筋喷洒除锈剂，通过松料机构，可使喷洒好除锈剂的钢筋自动掉入收集框中，无需人工将钢筋取下，通过下料机构，可实现钢筋的自动更换，无需人工反复拿取钢筋，减少了人工操作。
一种建筑钢筋除锈装置

[发明专利]半导体元胞结构、IGBT元胞结构、半导体结构及其制备方法-CN202111126601.3在审
发明人： 黄宝伟;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开的实施例公开一种半导体元胞结构、IGBT元胞结构、半导体结构及IGBT元胞结构的制备方法，半导体元胞结构包括依次层叠设置的N－型漂移层、N型终止层、P型集电极层以及集电极金属层；在N－型漂移层背向P型集电极层的一侧且在N－型漂移层中，半导体元胞结构包括两个间隔设置的第一沟槽、形成于第一沟槽内壁的沟槽形绝缘氧化层、位于沟槽形绝缘氧化层内的多晶硅电极、形成于第二沟槽内壁的第二沟槽、位于第二沟槽内的沟槽形栅氧化层、位于沟槽形栅氧化层内的多晶硅栅、位于第一沟槽之间的P肼区以及两个间隔设置的浮空P区，两个第二沟槽内的栅氧化层与P肼区相邻接。
半导体结构 igbt 及其制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及制备方法、电子设备-CN202010242481.2在审
发明人：朱辉;黄宝伟;肖秀光 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了绝缘栅双极型晶体管及制备方法、电子设备。该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区和位于漂移区一侧的电极结构；电场终止层，电场终止层设置在漂移区远离电极结构的一侧，电场终止层包括层叠设置的第一亚层和第二亚层，第一亚层靠近漂移区设置，第一亚层的结深大于第二亚层的结深，第一亚层掺杂浓度的峰值小于第二亚层掺杂浓度的峰值，第一亚层单位厚度中掺杂元素的掺杂浓度的变化量，小于第二亚层单位厚度中掺杂元素的掺杂浓度的变化量，第一亚层和第二亚层界面处的掺杂元素连续分布。由此，该绝缘栅双极型晶体管具有以下优点的至少之一：较高的开关软度；良好的反向阻断能力；较薄的厚度；较小的通态损耗和较小的开关损耗；较低的成本。
绝缘栅双极型晶体管制备方法电子设备

[发明专利]IGBT芯片及其制造方法-CN201811291406.4有效
发明人： 黄宝伟;肖秀光 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及一种IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括依次层叠的背面金属层(1)、第二导电类型的截止层(2)、第一导电类型的衬底(3)、有源区、发射极金属层(10)，有源区包括栅极沟槽(5)、发射极沟槽(6)、沟槽氧化层(4)、第一导电类型区(8)、第二导电类型区(7)、绝缘层(9)、以及第二导电类型附加区(11)，其中，第二导电类型附加区(11)将与栅极沟槽(5)相邻的沟槽的底部包围，或者将与栅极沟槽(5)相邻的沟槽全部包围。这样，当该IGBT芯片制成的功率器件承受反偏时，栅极沟槽旁的附加区能够通过耗尽扩展，将栅极沟槽包围在耗尽区中，尤其减小了栅极沟槽底部弯曲处的电场集中度，减小了功率器件失效的风险，提高了鲁棒性。
igbt 芯片及其制造方法

[发明专利]集成电流检测结构的IGBT器件及制备方法-CN201911410158.5在审
发明人： 黄宝伟;肖秀光;吴海平;陈刚 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电流检测结构的IGBT器件及制备方法，包括漂移层和设置在漂移层上表面的正面结构和设置在漂移层下表面的背面结构；漂移层内设有多对P柱和N柱，多对P柱和N柱形成在电流检测区的元胞下方，每对P柱与N柱紧靠设置。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在电流检测区元胞下方形成P柱和N柱，P柱和N柱区域可以形成超级结，而超级结的阻断特性能很好的隔绝邻近元胞施加的影响，尤其是阻止邻近元胞空穴电流的干扰，通过设置P柱和N柱形成超级结使得电流检测区与工作区的电流比例基本不随电流的变化而变化，从而可以通过电流检测区计算出高精度的工作区电流，进而能够对应用系统进行很好的保护。
集成电流检测结构 igbt 器件制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 24 条