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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双极晶体管-CN201911147141.5有效
发明人： 高桥新之助 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了适合于减少基极电阻以及基极集电极间结电容并能够实现高频区域中的性能改善的双极晶体管。在基板上的基极台面上配置发射极台面以及基极电极。基极电极上的基极布线经过基极开口与基极电极连接。发射极台面包括具有在一个方向上较长的平面形状的多个发射极指。发射极指包括第一、第二发射极指，基极开口从第一发射极指的一个端部在长边方向上拉开间隔地配置，而未被配置于使第二发射极指在长边方向上延长的区域。第二发射极指的基极开口侧的端部比第一发射极指的基极开口侧的端部更向长边方向突出。
双极晶体管

[发明专利]功率放大器-CN202111533698.X在审
发明人：马少骏;小屋茂树;青池将之;高桥新之助;梅本康成;长谷昌俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制形成在发射极与基极之间的寄生电容的功率放大器。功率放大器是具有基板、和在基板的主面依次层叠的发射极层、基极层及集电极层的功率放大器，具有：绝缘物，与发射极层相邻地设置；发射极电极，设置在发射极层及绝缘物与基板之间；基极电极，与基极层电连接；以及集电极电极，与集电极层电连接，在与基板的主面垂直的方向上，在基板与基极电极之间设置有发射极电极、绝缘物以及基极层。
功率放大器

[发明专利]功率放大电路-CN202111298651.X在审
发明人：近藤将夫;梅本康成;马少骏;高桥新之助 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供能够提高处于低温的温度环境的晶体管的耐压性的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：放大部，放大无线频率信号；加热部(114)，与放大部相邻地设置，且具有随着通过电流的增加而发热量增加的至少一个晶体管(11411)；以及控制电路(112)，与晶体管(11411)连接，在环境温度在规定的阈值以下的情况下，使通过电流增加。
功率放大电路

[发明专利]半导体装置-CN202111273521.0在审
发明人： 高桥新之助;青池将之;筒井孝幸;小屋茂树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111220186.8在审
发明人： 高桥新之助;青池将之;长谷昌俊;播磨史生 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810373479.1有效
发明人： 高桥新之助;青池将之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种能使漏电流降低的半导体装置。配置于半导体基板上的半导体层包括活性区域和在俯视时包围活性区域的元件隔离区域。在活性区域形成有场效应晶体管。彼此分离的多个保护环电极经由元件隔离区域对活性区域的电位造成影响。在半导体层、场效应晶体管以及保护环电极上形成有层间绝缘膜。形成于层间绝缘膜上的保护环连接布线对多个保护环电极进行相互电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202011063884.7在审
发明人：近藤将夫;佐佐木健次;小屋茂树;高桥新之助 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制集电极电流或漏极电流的路径的寄生电感或寄生电阻的增加的半导体装置。在基板配置有两列的晶体管列。两列的晶体管列的每列晶体管列由在第一方向上排列的多个晶体管构成，两列的晶体管列在与第一方向正交的第二方向上隔开间隔配置。在俯视时，在两列的晶体管列之间的区域配置有第一布线。第一布线与两列的晶体管列的多个晶体管的集电极或者漏极连接。在俯视时第一凸块与第一布线重叠，且配置在两列的晶体管列之间，并与第一布线连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010985508.7在审
发明人：佐佐木健次;梅本康成;小屋茂树;高桥新之助;近藤将夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及放大器模块-CN202010195743.4在审
发明人：佐佐木健次;近藤将夫;小屋茂树;高桥新之助;梅本康成;大部功;筒井孝幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
半导体装置以及放大器模块

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