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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]快闪记忆体及其制造方法-CN202310066295.1在审
发明人：王舜能;陈东煌;高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种快闪记忆体及其制造方法，快闪记忆体包括具有沿第一方向延伸的源极区的快闪记忆体单元线性阵列。各个快闪记忆体单元包括邻接源极区设置的浮动栅极。快闪记忆体单元线性阵列进一步包括设置于快闪记忆体单元的浮动栅极之间的隔离带。抹除栅极线沿第一方向延伸并设置于源极区上方。控制栅极线沿第一方向延伸并设置于隔离带上方及快闪记忆体单元的浮动栅极上方。控制栅极线具有近接于源极区的非直边缘，非直边缘至少在控制栅极线设置于隔离带上方的地方缩进远离源极区。
记忆体及其制造方法

[发明专利]形成电容器的方法与电容器-CN202310048421.0在审
发明人：王培任;高境鸿;李梓光;何孟昌;巫昆懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：揭露一种形成电容器的方法与电容器。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及形成介电层于第一电极与第二电极之间，其中除了通过金属化层外，第一电极不与任何其他导体电性连接，其中除了通过介层窗层外，第二电极不与任何其他导体电性连接。
形成电容器方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310151140.8在审
发明人： 高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括一第一介电层、该第一介电层上方的一导电层及该导电层的一第一部分上方的一第一电极。该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210554972.X在审
发明人： 高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括设置在衬底上方的有源栅极金属结构，有源栅极金属结构具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。该半导体器件包括以第一横向距离与有源栅极金属结构的第一侧壁相邻设置的第一源极/漏极区域。该半导体器件包括以第二横向距离与有源栅极金属结构的第二侧壁相邻设置的第二源极/漏极区域，其中第二横向距离明显大于第一横向距离。该半导体器件包括抗蚀剂保护氧化物(RPO)，该抗蚀剂保护氧化物(RPO)包括在衬底的主表面的横向定位在第二侧壁和第二源极/漏极区域之间的部分上方延伸的第一部分，其中，RPO不具有延伸到有源栅极金属结构的顶面上方的部分。本申请的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于金属图案的钝化层结构-CN202210579304.2在审
发明人： 高境鸿;邓贵宇;李梓光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于金属图案的钝化层结构。本文提供了一种半导体元件及其制造方法。前述半导体元件可以包含衬底、第一通孔、第一衬垫、第二衬垫以及第一钝化层。所述第一衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以平行于所述第一衬垫。所述第一钝化层可以围绕所述第一衬垫以及所述第二衬垫。第一钝化层可以包含位于所述第一衬垫上的第一部分。所述第一钝化层可以包含位于所述第二衬垫上的第二部分。所述第一钝化层的所述第一部分的厚度可以超过所述第一衬垫的高度。所述第一钝化层的所述第二部分的厚度可以超过所述第二衬垫的高度。
用于金属图案钝化结构

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210430941.3在审
发明人： 高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成牺牲层；图案化牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻牺牲栅电极在牺牲栅电极中形成多个开口；利用与牺牲栅电极的材料不同的填充材料填充多个开口；去除牺牲栅电极以形成栅极空间，从而在栅极空间中留下多个柱或壁；以及利用一种或多种导电材料填充栅极空间，从而形成金属栅电极。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210658260.2在审
发明人： 高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。以第一光刻胶层为蚀刻掩模蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，岛状图案与第一导电层的汇流条图案通过环形沟槽间隔开。形成连接图案以连接岛状图案和汇流条图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中形成在岛状图案上的第二导电层。去除第二光致光刻胶层，并去除连接图案，从而形成凸块结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210853744.2在审
发明人： 高境鸿;邓贵宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：互连结构，位于衬底上；钝化层，设置在互连结构上；第一通孔、第二通孔和第三通孔，设置在钝化层中并且连接至互连结构，第一通孔、第二通孔和第三通孔的每个具有沿第一方向纵向取向的细长形状；以及第一焊盘，沿第一方向纵向取向并且接合在第一通孔、第二通孔和第三通孔上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210555141.4在审
发明人： 高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了制造半导体器件的方法。该方法包括沿半导体衬底的顶面形成凹槽。该方法包括形成沿凹槽的第一侧壁延伸的基于氮化物的间隔件层。该方法包括在凹槽中形成场氧化物层，该场氧化物层沿凹槽的底面延伸，而基于氮化物的间隔件层阻止场氧化物层的横向尖端延伸到除了凹槽之外的半导体衬底的任何部分。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]栅极结构及其制造方法与形成半导体装置的方法-CN201710718685.7有效
发明人：魏嘉余;张復诚;陈信吉;高境鸿;郑枷彬;李国政;黄薰瑩;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种栅极结构，包含栅极以及具有顶表面和底表面的第一隔离结构。栅极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁的底部边缘和第二侧壁的底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构的顶表面与第一隔离结构的底表面之间。栅极亦包含邻近第二侧壁的顶部边缘的第二水平面。由栅极结构界定出的有效通道宽度包含第二侧壁的高度和第二水平面的宽度。
栅极结构及其制造方法形成半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210002072.4在审
发明人：王文骏;李梓光;林志贤;高境鸿;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：接触部件，位于介电层中；钝化结构，位于介电层上方；导电部件，位于钝化结构上方；种子层，设置在导电部件和钝化结构之间；保护层，沿导电部件的侧壁设置；以及钝化层，位于导电部件和保护层上方。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210027212.3在审
发明人：吴铠齐;高境鸿;康孟意;郭舫廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种具有有源器件单元阵列和伪器件单元阵列的集成电路(IC)及其制造方法。IC包括衬底、有源器件单元和伪器件单元。有源器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极(S/D)区域的阵列和设置在衬底上的具有第一栅极填充材料的栅极结构的阵列。伪器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极区域的第一阵列、设置在衬底上或衬底内的第二导电类型的源极/漏极区域的第二阵列以及设置在衬底上的双栅极结构的阵列。每个双栅极结构包括第一栅极填充材料和与第一栅极填充材料不同的第二栅极填充材料。
集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810970565.0有效
发明人：许真吟;吴春立;高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010448329.X在审
发明人：王義欣;郑善允;高境鸿;周敬智;陈奕廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种用于最小化在平面的金属氧化物半导体结构中的多个硅锗晶面的方法和设备。例如，根据此方法制造的装置可能包括半导体基板、形成在基板上的多个栅极堆叠、由硅锗形成的多个源极/漏极区域、以及位于多个源极/漏极区域中的两个源极/漏极区域之间的浅沟槽隔离区域。多个源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域位于相邻于多个栅极堆叠中的至少一个栅极堆叠。此外，浅沟槽隔离区域在基板中形成沟槽而不与所述的两个源极/漏极区域相交。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN201711220067.6有效
发明人：蔡宗翰;王柏仁;吴春立;高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。
半导体装置结构及其形成方法

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