专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202010448329.X在审
  • 王義欣;郑善允;高境鸿;周敬智;陈奕廷 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-03-05 - H01L27/092
  • 一种用于最小化在平面的金属氧化物半导体结构中的多个硅锗晶面的方法和设备。例如,根据此方法制造的装置可能包括半导体基板、形成在基板上的多个栅极堆叠、由硅锗形成的多个源极/漏极区域、以及位于多个源极/漏极区域中的两个源极/漏极区域之间的浅沟槽隔离区域。多个源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域位于相邻于多个栅极堆叠中的至少一个栅极堆叠。此外,浅沟槽隔离区域在基板中形成沟槽而不与所述的两个源极/漏极区域相交。
  • 半导体装置

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