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[发明专利]半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统-CN202211254821.9在审
发明人：刘悦;赵玉垚;马有草;王浩沣 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统，待测样品包括基底及设置在所述基底表面的半导体薄膜，所述方法包括：入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点，获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数，所述光学参数包括所述半导体薄膜的折射率及消光系数和/或待测样品的曲率半径；以所述待测样品的光学参数作为已知参数，应用物理模型获得所述半导体薄膜的测量参数，所述测量参数包括半导体薄膜的相对介电常数、压电系数、厚度及应力；重复上述步骤，获得多个测量点的所述测量参数；对多个测量点的同一所述测量参数进行均匀性评价。本发明方法能够实现无损测量，且获得的测量参数不单一，满足多样化需求。
半导体薄膜均匀无损检测方法系统

[发明专利]基底及其形成方法、薄膜功能器件-CN202210389455.1在审
发明人：刘悦;马有草;吴史俊博;宋健;赵玉垚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开一种基底及其形成方法，一种功能薄膜器件，所述方法包括：提供基板；在所述基板表面形成粘附层；在所述氮化物黏附层表面形成电极层，所述粘附层与所述电极层、所述基板之间的晶格适配率小于等于25％；和/或，所述粘附层与所述电极层、所述基板之间的热失配小于等于15％。上述方法提高电极层与基板之间的粘附性，提高所述电极层的质量。
基底及其形成方法薄膜功能器件

[发明专利]岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件-CN202210273151.9在审
发明人：王续博;马有草;赵玉垚;刘悦 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件，所述形成方法包括：提供基底；提供掩模板，所述掩模板上具有通孔；将所述掩模板贴合固定于所述基底表面，所述通孔暴露出基底的部分表面；在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层；将所述掩模板与所述基底表面分离，在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。上述岛形薄膜结构的形成方法具有工艺步骤简单、成本低、工艺稳定性高的优点。
薄膜结构形成方法 mems 器件

[发明专利]具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法-CN202210050861.5在审
发明人：刘悦;马有草;宋健;赵玉垚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本申请公开一种具有压电薄膜的偏置结构及其形成方法，所偏置结构包括：底电极；位于所述底电极表面的压电薄膜；所述底电极与所述压电薄膜之间的指标参数的差异大于等于最低阈值，所述指标参数与压电薄膜的自发极化相关。本方案提出以功函数差异为核心，综合考虑晶格失配和热失配等各项指标参数，通过采用性质不完全相同的底电极材料和顶电极材料，得到底电极‑压电薄膜‑顶电极的偏置结构设计，改变压电薄膜的电学边界条件和机械边界条件，增强压电薄膜的自发极化，从而获得性能更加优异的压电薄膜材料。
具有压电薄膜偏置结构及其形成方法

[发明专利]钙钛矿薄膜及其低温制备方法、器件-CN202210039023.8在审
发明人：刘悦;马有草;宋健;赵玉垚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请公开一种钙钛矿薄膜及其制备方法和一种器件，包括：制备缓冲层，所述缓冲层的表层材料具有钙钛矿结构；在所述缓冲层表面制备具有钙钛矿结构的核心薄膜；所述缓冲层的制备温度小于等于所述核心薄膜的制备温度。所述制备方法能够在较低的制备温度下获得高质量的钙钛矿结构薄膜。
钙钛矿薄膜及其低温制备方法器件

[实用新型]超声成像装置以及超声成像系统-CN202120236471.8有效
发明人：问飞;马有草;王雏;张峰;刘悦 -专利权人：上海悉像科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种超声成像装置以及超声成像系统。所述超声成像装置包括：主体部，具有第一端和第二端；和换能器，设置于主体部的第一端，换能器包括：衬底；第一电极和第二电极；以及多个阵元，设置于衬底上，每个阵元包括：被动层，设置于衬底上；第一电极层，设置于被动层的远离衬底的一侧，第一电极层与第一电极电连接；第二电极层，设置于第一电极层远离衬底的一侧，第二电极层与第二电极电连接；第一压电层，设置于第一电极层和第二电极层之间。该超声成像装置和超声成像系统可以实现更高工作频率，进而可获得更高的成像分辨率，并且能够在特定位置实现聚焦，并能根据成像需求实时调整聚焦位置，从而更精确地观察。
超声成像装置以及系统

[发明专利]一种超声换能器用压电阵元的制作方法-CN202110445995.2在审
发明人：刘悦;刘恩清;马有草;宋健 -专利权人：淄博微铨新型金属功能材料有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L41/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种超声换能器用压电阵元的制作方法，其包括将压电陶瓷片减薄至50μm或其以下厚度；于减薄后的压电陶瓷片的两表面分别沉积电极后，再于其中一个表面设置背衬材料，得初始压电阵元；切割初始压电阵元，得压电阵元。本发明提供的技术方案利用减薄压电阵元中压电陶瓷片厚度的工艺，同时实现了压电阵元总体厚度的减小，以及对压电陶瓷片厚度的精确控制，获得了具有可调谐振频率的压电阵元；本发明采用的减薄后再沉积电极、设置背衬材料的技术方案既可使背衬材料设置均匀，又不影响对压电陶瓷片与背衬材料的结合。
一种超声器用压电制作方法

[发明专利]一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列-CN202110235018.X在审
发明人：周嘉;王续博;刘安;任俊彦;马有草 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列，PMUT单元包括依次叠层的基底(1)、电隔离层(2)、下电极(3)、压电层(4)、上电极(5)、钝化层(6)和引线层(7)，所述的基底(1)上从其底部沿轴向向上开设有一盲孔式空腔形成背腔，所述的背腔中填充背衬材料(8)。PMUT阵列包括若干按行列依次排列的PMUT单元。与现有技术相比，本发明背衬结构可以将PMUT阵列带宽提高一倍以上，并且同时满足相控阵对单元间距的要求。
一种背衬型高频宽带 pmut 单元阵列

[发明专利]超声成像装置以及超声成像系统-CN202110111291.1在审
发明人：问飞;马有草;王雏;张峰;刘悦 -专利权人：上海悉像科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种超声成像装置以及超声成像系统。所述超声成像装置包括：主体部，具有第一端和第二端；和换能器，设置于主体部的第一端，换能器包括：衬底；第一电极和第二电极；以及多个阵元，设置于衬底上，每个阵元包括：被动层，设置于衬底上；第一电极层，设置于被动层的远离衬底的一侧，第一电极层与第一电极电连接；第二电极层，设置于第一电极层远离衬底的一侧，第二电极层与第二电极电连接；第一压电层，设置于第一电极层和第二电极层之间。该超声成像装置和超声成像系统可以实现更高工作频率，进而可获得更高的成像分辨率，并且能够在特定位置实现聚焦，并能根据成像需求实时调整聚焦位置，从而更精确地观察。
超声成像装置以及系统

[发明专利]一种闭孔CNTs/Al-Si复合泡沫材料的制备方法-CN201710940617.5有效
发明人：杨旭东;马有草;许佳丽;杨昆明;赵乃勤;邹田春 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种闭孔CNTs/Al‑Si复合泡沫材料，由以下原料制备而成：5wt％‑25wt％的硅粉，0‑5wt％的镁粉，0.15wt％‑1.5wt％的TiH₂粉末，余量为原位化学气相沉积获得CNTs/Al粉末。其制备方法为将原位CNTs/Al粉末进行机械球磨；将球磨后获得的CNTs/Al粉末与硅粉、镁粉、发泡剂在搅拌机中混合；将混合粉末进行冷压成型，得到圆柱形预制块；将预制块放入电阻炉内的圆柱形钢模内快速发泡，即得闭孔CNTs/Al‑Si复合泡沫材料。本发明的闭孔CNTs/Al‑Si复合泡沫材料，泡孔分布均匀，大小尺寸一致，且为全闭孔，应变率敏感效应较低，压缩应力应变曲线具有明显的平台区。本发明制得的泡沫铝材料产品质量稳定、性能优异，且制备过程简单、工艺流程快速。
复合泡沫材料闭孔硅粉镁粉制备预制压缩应力应变曲线搅拌机泡沫铝材料尺寸一致混合粉末机械球磨冷压成型敏感效应气相沉积原料制备原位化学圆柱形钢制备过程质量稳定工艺流程电阻炉发泡剂平台区应变率发泡放入泡孔球磨全闭

[发明专利]碳纳米管增强的泡沫铝填充铝合金管复合结构的制备方法-CN201810944760.6在审
发明人：赵乃勤;许佳丽;马有草;杨旭东;何春年;师春生 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管增强的泡沫铝填充铝合金管复合结构的制备方法，通过以下步骤实现：制备铝粉表面均匀负载着碳纳米管的复合粉末；机械球磨；将球磨后的复合粉末与尿素混合均匀，冷压成型；冷压后的试样在60‑80℃的温度下水浴6‑8h除去尿素，水浴后将试样置于烘箱中烘干；烘干后的试样置于管式炉中，在200‑300ml/min流量的氩气保护下以5℃/min的速率升温至650℃下烧结2‑4h，烧结完成后随炉冷却至室温；得到碳纳米管增强的泡沫铝填充铝合金管复合结构。
碳纳米管增强复合结构铝合金管泡沫铝制备填充复合粉末烧结烘干烘箱机械球磨均匀负载冷压成型铝粉表面尿素混合随炉冷却碳纳米管氩气保护管式炉冷压球磨水浴尿素下水

[发明专利]一种基于快速发泡法合成碳纳米管增强泡沫铝复合材料的制备方法-CN201811010019.9在审
发明人：赵乃勤;马有草;杨旭东;许佳丽;沙军威;何春年 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于快速发泡法合成碳纳米管增强泡沫铝复合材料的制备方法，包括下列步骤：1)催化剂前驱体制备:按照质量配比为18‑22：1的配比称取纯铝粉和Co(NO₃)₂·6H₂O，并融入适量无水乙醇溶液，烘干得到前驱体粉末；2)CNT/Al复合粉末的制备；3)发泡前驱体的制备：将前述得到的CNT/Al复合粉末与7wt.％的Si粉和0.3wt.％TiH₂粉末在三维混料机中混合0.5‑3h得到均匀的混合粉末使用冷压机在450MPa压力下保压得到发泡前驱体；4)泡沫铝的制备。
制备泡沫铝复合材料发泡前驱体合成碳纳米复合粉末发泡法无水乙醇溶液催化剂前驱前驱体粉末三维混料机混合粉末质量配比纯铝粉冷压机泡沫铝烘干保压称取配比融入

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