“pmut”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果95个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]同频异构的压电超声波换能器及其制备方法-CN202111462511.1有效
发明人：张玉超;李加东;苗斌;周红宇;王光华;张士钦 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：所述同频异构的压电超声波换能器包括：形成于同一衬底上的用于发射超声波的第一PMUT单元及用于接收超声波的第二PMUT单元；其中，所述第一PMUT单元和所述第二PMUT单元的结构互不相同。本发明提供的同频异构的压电超声波换能器，通过在同一衬底上形成结构不同的第一PMUT单元和第二PMUT单元，第一PMUT单元和第二PMUT单元的具体结构可以根据实际所需的发射性能和接收性能进行设计，从而达到兼顾发射性能和接收性能的效果；而且第一PMUT单元和第二PMUT单元集成在同一芯片上，能够保证了两者的谐振频率相同。
频异构压电超声波换能器及其制备方法

[发明专利]一种大肠杆菌益生菌EcN无抗生素高效稳定表达体系构建与应用-CN202210653033.0有效
发明人：康振;王阳;赵琳琳;陈坚;堵国成;陈佳敏 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C12N15/70 文献下载
摘要：本发明通过截短EcN隐性质粒的一个或多个元件，得到pMUT1衍生质粒pMUT1’‑del‑Rop、pMUT1’‑del‑NikA、pMUT1’‑del‑Rop‑NikA以及pMUT2衍生质粒pMUT2’‑del‑MobB、pMUT2’‑del‑MobC、pMUT2’‑del‑MobD和pMUT2’‑del‑Hyp、pMUT2’‑del‑MobBCD‑Hyp。
一种大肠杆菌益生菌 ecn 抗生素高效稳定表达体系构建应用

[发明专利]柔性PMUT阵列-CN201780012648.2在审
发明人：唐纳德·威廉·基德韦尔;拉温德拉·谢诺伊;乔恩·拉斯特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：公开柔性PMUT阵列和其制造方法的实施例。在一个实施例中，一种压电式微机械超声换能器PMUT阵列包括多个PMUT，其中所述PMUT的柔性阵列中的每一PMUT包含：被配置成支撑所述PMUT的第一聚合物层，被配置成对所述PMUT提供平面化的机械层，第一电极，第二电极，被配置成分离所述第一电极与所述第二电极的压电层，在所述第一电极、压电材料和所述第二电极上的被配置成路由电信号的图案，和被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体。
第二电极第一电极配置路由电信号机械超声聚合物层频率响应柔性阵列压电材料换能器机械层平面化压电层成对腔体压电图案支撑制造

[发明专利]一种基于PMUT的图像声呐接收阵及其制造方法-CN202110659721.3在审
发明人：徐方良;何野;徐波 -专利权人：江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01S15/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PMUT的图像声呐接收阵及其制造方法。所述的图像声呐接收阵包括承压壳体、PMUT模块、PCB转接板和电子仓；所述的PMUT模块在PCB转接板上均匀分布组成阵列，通过引脚焊盘和PCB转接板进行连接，所述的PCB转接板和电子仓通过信号传输接口进行连接，所述的承压壳体覆盖在PMUT模块上，并与PCB转接板粘接；所述PMUT模块包括管壳和封装于管壳中的PMUT芯片，PMUT芯片表面形成空腔，PMUT阵元裸露，空腔内填充耦合剂。
一种基于 pmut 图像声呐接收及其制造方法

[发明专利]一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列-CN202110235018.X在审
发明人：周嘉;王续博;刘安;任俊彦;马有草 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列，PMUT单元包括依次叠层的基底(1)、电隔离层(2)、下电极(3)、压电层(4)、上电极(5)、钝化层(6)和引线层(7)，所述的基底(1)上从其底部沿轴向向上开设有一盲孔式空腔形成背腔PMUT阵列包括若干按行列依次排列的PMUT单元。与现有技术相比，本发明背衬结构可以将PMUT阵列带宽提高一倍以上，并且同时满足相控阵对单元间距的要求。
一种背衬型高频宽带 pmut 单元阵列

[发明专利]一种减少超声换能器声串扰的深槽隔离方法及超声换能器-CN202211342448.2有效
发明人：尹峰;李晖 -专利权人：浙江仙声科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及阻断干扰领域，公开了一种减少超声换能器声串扰的深槽隔离方法及超声换能器，超声换能器包括CMOS单元，其上设有至少一个PMUT单元，所有PMUT单元共用PMUT衬底，PMUT单元设有空腔，深槽隔离方法包括步骤：当PMUT单元的尺寸和面积均小于其相应的预设值、及空腔的面积大于其预设值时，先围绕空腔、自机械层向PMUT衬底内刻蚀深槽；再在深槽隔离出的区域内的机械层上淀积压电叠层；反之，先在机械层上淀积压电叠层；再围绕空腔、自压电叠层表面向机械层表面刻蚀接触孔，并自接触孔内的机械层表面向PMUT衬底内刻蚀至少一个深槽。本发明通过在PMUT单元之间设置深槽阻碍超声波横向传播，可有效减少超声换能器的声串扰。
一种减少超声换能器声串扰隔离方法换能器

[发明专利]PMUT器件及其制备方法-CN202310185153.7在审
发明人：商文玲;李加东;苗斌;王丹芮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMUT器件及其制备方法，PMUT器件包括：衬底、位于衬底上的振动结构、及位于衬底下方和/或振动结构上方的滤波结构，振动结构包括依次位于衬底上方的第一电极层、压电层及第二电极层，衬底中形成有空腔本发明提供一种PMUT器件及其制备方法，在PMUT器件的结构上设置了滤波结构，并通过设计谐振腔，可以滤除噪声，有效提高了PMUT器件检测的信噪比，改善PMUT器件的灵敏度、检测精度及检测范围；同时，该PMUT
pmut 器件及其制备方法

[发明专利]压电微机械超声波换能器及超声探测系统-CN202310217941.X在审
发明人：商文玲;李加东;苗斌;王丹芮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电微机械超声波换能器及超声探测系统，该压电微机械超声波换能器包括PMUT单元和挡板，其中，PMUT单元包括形成于衬底上的至少用于发射和接收超声波的PMUT阵元，挡板覆盖于部分PMUT阵元发射超声波的一侧发射方向上该压电微机械超声波换能器在部分PMUT阵元发射超声波的一侧发射方向上设置挡板，使部分有挡板的PMUT阵元只能在无挡板的一侧发射方向上发射或接收超声波，无挡板的PMUT阵元可同时在其两侧发射方向上发射或接收超声波本发明采用这种单侧探测和双侧探测相结合的方式，在增大PMUT器件的探测范围的同时，通过对比单侧探测的回波信号与双侧探测的回波信号，可准确判断出目标物所在的方位，提高探测精度和探测效率。
压电微机超声波换能器超声探测系统

[发明专利]具有双电极的超宽带换能器-CN201380023320.2有效
发明人： A·哈贾蒂 -专利权人：富士胶片戴麦提克斯公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明描述了宽带压电微机械超声换能器(pMUT)，pMUT阵列以及具有宽带pMUT阵列的系统。例如，压电微机械超声换能器(pMUT)包括放置在衬底上的压电膜。参考电极被耦合至该膜。
具有电极宽带换能器

[发明专利]基于压电微机械超声换能器的二维笔式交互系统及方法-CN202111014227.8在审
发明人：娄亮;吴志鹏;黄帅;张麟伟;刘洋 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F3/043 文献下载
摘要：本发明提供一种基于压电微机械超声换能器的二维笔式交互系统及方法，包括超声笔、接收模块及智能终端设备，通过在超声笔中设置压力传感器、笔头PMUT、笔尾PMUT、超声笔控制器，以及在接收模块中设置第一接收PMUT、第二接收PMUT及接收模块控制器，从而利用PMUT尺寸小、功耗低、价格低、性能优异、方便集成的优点，将之与笔式人机交互相结合，从而可大幅缩小设备尺寸、减小设备价格，同时提高设备性能。
基于压电微机超声换能器二维交互系统方法

[发明专利]适合高密度集成的PMUT-on-CMOS单元、阵列芯片及制造方法-CN202110991565.0有效
发明人：李晖;尹峰 -专利权人：南京声息芯影科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元通过垂直方向的多通道金属连线结构，实现PMUT‑on‑CMOS三维结构，通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统PMUT‑on‑CMOS金属互连的瓶颈，极大地降低了金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对PMUT阵列性能的不良影响。
适合高密度集成 pmut on cmos 单元阵列芯片制造方法

[发明专利]传感器装置-CN201780011514.9有效
发明人：唐纳德·威廉·小基德韦尔;拉温德拉·谢诺伊;乔恩·拉斯特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种传感器装置包括：压电微机械超声波换能器PMUT阵列，其经配置以发射和接收超声波信号，其中所述PMUT阵列包括多个PMUT且所述PMUT阵列是柔性的；一个或多个集成电路，其经配置以处理所述超声波信号；电池，其经配置以将电力提供到所述PMUT阵列和所述一个或多个集成电路；耦合材料，其经配置以固持所述PMUT阵列、所述一个或多个集成电路和所述电池；以及封壳，其经配置以将所述PMUT阵列、所述一个或多个集成电路
传感器装置

[发明专利]使用热压接合、共晶接合和焊料接合的用于微加工pMUT阵列与电子器件的集成技术-CN201980046664.2在审
发明人：布莱恩·毕考肖;桑迪普·阿卡拉杰 -专利权人：艾科索成像公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本公开内容提供了使用热压或共晶/焊料接合将压电式微加工超声换能器(pMUT)阵列与专用集成电路(ASIC)集成的方法。在一方面，本公开内容提供了一种装置，包含：第一基板和第二基板，所述第一基板包含pMUT阵列并且所述第二基板包含电路，其中使用热压将所述第一基板和所述第二基板接合在一起，其中pMUT阵列的单独pMUT的任何集合是可寻址的在另一方面，本公开内容提供了一种装置，包含：第一基板和第二基板，所述第一基板包含pMUT阵列并且所述第二基板包含电路，其中使用共晶接合或焊料接合将所述第一基板和所述第二基板接合在一起，其中所述pMUT阵列的单独pMUT的任何集合是可寻址的。
使用热压接合焊料用于加工 pmut 阵列电子器件集成技术

[发明专利]集成压阻和压电微机械超声换能器装置及相关的处理方法-CN202310159120.5在审
发明人： J·M·蔡;D·K·本杰明;Y·陈;T·克瓦 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本公开涉及集成压阻(PZR)和压电微机械超声换能器(PMUT)装置及相关的处理方法。一种混合传感器，其包含：压阻元件，所述压阻元件用于感测施加的力；压电微机械超声换能器(PMUT)，所述PMUT用于感测所述混合传感器的阈值距离内对象的存在；以及衬底，所述压阻元件和所述PMUT两者都安置于所述衬底上
集成压电微机超声换能器装置相关处理方法

[发明专利]集成MEMS-CMOS超声波传感器-CN202111210016.1在审
发明人：穆斯塔法·索利曼 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：实施例包括超声波传感器阵列，这些超声波传感器阵列中的各个检测器元件的PMUT结构至少部分地集成到CMOS ASIC晶圆中。MEMS加热元件通过在该CMOS晶圆中的这些PMUT结构之下和/或在这些PMUT结构之上(例如，在保护层中)集成来与这些PMUT结构集成。例如，实施例可以避免晶圆键合，并且可以减少PMUT超声波传感器的常规制作所涉及的其他后加工，同时还改善了热响应。
集成 mems cmos 超声波传感器

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 95 条