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[发明专利]发光二极管封装体及其制造方法-CN201711213331.3有效
发明人：郑荣;金尚彦;金赫骏 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管封装体及其制造方法，发光二极管封装体包括：分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑第一引线以及第二引线，包括使第一引线以及第二引线中任一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于腔室内；第一波长部，配置于发光二极管芯片的上部，对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖腔室的底面的方式配置，并对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换，第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度不同。由于能够将发光二极管封装体所包含的荧光体的量以配置在发光二极管芯片上的荧光体的量为基准确定，因此能够对决定由发光二极管芯片释放的光的色坐标的荧光体的量进行数值控制。
发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]能够进行色温控制的发光二极管照明装置-CN201810897569.0有效
发明人：基斯·霍普伍德;陈成昊;李亨镇;韩相昱 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H05B45/20 文献下载
摘要：一种能够进行色温控制的发光二极管照明装置包括：色温控制器，接收色温选择信号并输出第一控制信号及第二控制信号；发光二极管驱动器，连接到多个发光二极管群组；以及发光二极管选择电路，包括：第一开关，连接到被施加整流电压的第一节点且接收第一控制信号；第一发光二极管群组，通过第一开关选择性地连接到第一节点；第二发光二极管群组，与第一发光二极管群组串联连接；第三发光二极管群组，通过第一开关选择性地连接到第一节点；第四发光二极管群组，与第三发光二极管群组串联连接；以及第二开关，通过接收第二控制信号选择性地将第二发光二极管群组或第四发光二极管群组的输出端子连接到发光二极管驱动器。
能够进行色温控制发光二极管照明装置

[发明专利]用于合成氧化锌(ZnO)的方法和/或系统-CN201780031214.7有效
发明人：雅各布·J·理查森;埃万·C·奥哈拉 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：简要地描述了用于合成氧化锌的系统和/或方法的实施例，包含腔室外壳、晶片衬底固持器、流体处理系统和用于实施的序列。所述腔室外壳具有类圆柱形形状和大小被设定为收纳和包封所述晶片衬底固持器的腔，加热氧化锌形成生长溶液。
用于合成氧化锌 zno 方法系统

[发明专利]LED驱动用系统级封装及含其的LED照明装置-CN201710504095.4有效
发明人：陈成昊;韩相昱;李亨镇 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种LED驱动用系统级封装及含其的LED照明装置。所述LED照明装置包括：整流器，其整流从外部电源输入的交流电压生成驱动电压；发光元件组，其包括获得所述驱动电压发光的多个LED发光元件；系统级封装，其连接于所述整流器及发光元件组驱动及控制所述发光元件组，其中，所述系统级封装包括驱动模块、功能模块及电阻元件，所述驱动模块、功能模块及电阻元件一体封装于单一基板上构成一个IC芯片。根据本发明的能够调光的交流驱动方式的LED照明装置，形成将驱动LED发光元件的电路元件集成在一个封装体内的系统级封装，从而能够减小产品的尺寸、最小化制造费用。
led 驱动系统封装照明装置

[发明专利]III族氮化物衬底和其制造方法-CN201580065648.X有效
发明人：桥本忠朗 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物衬底，其具有非极性或半极性平面的第一侧和具有一个以上埋藏的金属条带的第二侧，其中所述条带垂直于III族氮化物的c轴。在金属条带上存在大于90％的堆叠缺陷。第二侧可暴露非极性或半极性平面。本发明还揭示具有非极性或半极性平面的第一侧和具有暴露的非极性或半极性平面的第二侧的III族氮化物衬底。所述衬底含有间距大于1mm的堆叠缺陷束。本发明还提供制造上文所述III族氮化物衬底的方法。
半极性平面非极性衬底堆叠缺陷金属条带暴露条带埋藏垂直制造

[发明专利]第III族氮化物晶体、其制造方法和在超临界氨气中制造块状第III族氮化物晶体的方法-CN201580065613.6有效
发明人：桥本忠朗 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：在一个例子中，本发明提供一种第III族氮化物晶体，其具有暴露单晶或高度定向多晶第III族氮化物的氮极性c平面的第一侧面和暴露第III族氮化物的第III族极性表面多晶相或非晶相的第二侧面。此类结构适用作用于块状第III族氮化物晶体的氨热生长的晶种。本发明还公开制造此类晶体的方法。本发明还公开使用此类晶体通过氨热方法制造第III族氮化物块状晶体的方法。
第III族氮化物晶体第III族氮化物制造多晶氨气极性表面块状晶体侧面第III族超临界氮极性非晶相晶体的热生长暴露单晶晶种

[其他]发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯-CN201690000846.8有效
发明人：赵良植;李允燮;金岱昱;金多惠 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： A99Z99/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯，根据本实用新型的一实施例的发光装置可以包括：发光部，包括发光元件；以及侧壁部，包围上述发光部的侧面，并与上述发光部的侧面接触，上述发光元件包括从一个生长基板生长的两个以上的发光单元，上述两个以上的发光单元相互电连接。根据本实用新型，具有如下效果，即，提供与使用两个以上的发光二极管芯片时相同或更多的光量，并且由于利用包括两个以上的发光单元的一个发光二极管芯片，能够使在发光单元与发光单元之间产生的阴影最小化。
发光单元发光装置本实用新型发光部发光二极管芯片发光元件车辆用侧面接触生长基板侧壁部电连接最小化光量包围阴影侧面生长

[发明专利]波长转换部制造装置及利用其的波长转换部制造方法-CN201510416016.5有效
发明人：梁炳皓;李荣柱;金京南 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种波长转换部制造装置及利用其的波长转换部制造方法。依据本发明的一个示范性实施例，发光装置的波长转换部制造装置包含：分配器，包含第一储存部，所述第一储存部可配置均匀地混合载持有荧光体的树脂；及第一温度调节部，连接至所述分配器，其中所述第一温度调节部包含温度传感器。因此，在制造波长转换部时，可固定地保持树脂的温度，由此可将制造的多个发光装置的发光特性的偏差最小化。由此，可提高发光装置制程的产率。
波长转换制造装置利用方法

[发明专利]透明导电结构和其形成-CN201680053481.X在审
发明人：雅各布·J·理查森;埃万·C·奥哈拉;申灿燮 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施例包含制造一或多种氧化锌晶体以形成透明导电结构和/或所述一或多种氧化锌晶体用以形成透明导电结构的用途，所述透明导电结构包括一或多种三维几何特征所述结构，以提供额外电型和/或光学型性质。
透明导电结构形成

[发明专利]第III族氮化物晶片和其制造方法-CN201380048864.4有效
发明人：桥本忠朗;艾德华·里特斯;锡拉·霍夫 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种其中一个表面在视觉上可区别于另一个表面的第III族氮化物晶片(例如GaN、AlN、InN和其合金)。在利用机械方法(例如多线锯)从第III族氮化物块晶切割所述晶片后，化学蚀刻所述晶片以使所述晶片的一个表面在视觉上可区别于另一个表面。本发明还揭示一种制造此类晶片的方法。
iii 氮化物晶片制造方法

[外观设计]照明用控制器-CN201730263992.1有效
发明人：陈成昊;李亨镇 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称照明用控制器；2．本外观设计产品的用途本外观设计产品通过导线连接于外部的发光元件，用于照明；3．本外观设计产品的设计要点产品的图案和形状及其结合；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
照明控制器

[实用新型]包括外壳的电子元件控制器-CN201720752957.0有效
发明人：陈成昊;韩相昱;李亨镇 -专利权人： 首尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及包括外壳的电子元件控制器，包括外壳，其包括彼此结合的上盖及下盖；印刷电路板，其固定于外壳的内部；硅胶部件，其填入外壳的内部，上盖包括第一锁定部，下盖包括向上盖方向延伸且以滑动方式与第一锁定部结合的第二锁定部。本实用新型的电子元件控制器能够提高产品可靠性。
包括外壳电子元件控制器

[发明专利]掺杂铋的半绝缘第III族氮化物晶片和其制造方法-CN201380048113.2有效
发明人：桥本忠朗;艾德华·里特斯;锡拉·霍夫 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明揭示一种掺杂铋(Bi)的半绝缘晶片GaxAlyIn1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)。所述半绝缘晶片具有104ohm‑cm或更大的电阻率。虽然很难获得第III族氮化物的单晶锭，但氨热法可生长位错/晶界密度小于105cm‑2的第III族氮化物的高定向多晶或单晶锭。本发明还揭示制造所述半绝缘第III族氮化物块晶和晶片的方法。
掺杂绝缘 iii 氮化物晶片制造方法

[发明专利]裂缝减少的III族氮化物块状晶体的种晶选择和生长方法-CN201680006774.2在审
发明人：桥本忠朗;艾德华·里特斯;达赖尔·凯 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：在一种情况下，本发明提供使用种晶生长III族氮化物的块状晶体的方法，所述种晶是通过以下方式选择(a)在多于一个点测量种晶的x射线摇摆曲线，(b)量化所测量x射线摇摆曲线的峰宽度，和(c)评估所述量化峰宽度的分布。本发明也包括选择用于生长III族氮化物的块状晶体的种晶的方法。所述III族氮化物的块状晶体可使用至少一种通过上述方法选择的种晶在超临界氨或III族金属的熔融物中生长。
裂缝减少 iii 氮化物块状晶体选择生长方法

[发明专利]用于生长第III族氮化物晶体的衬底和其制造方法-CN201580048863.9在审
发明人：桥本忠朗 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：在一个例子中，本发明提供一种用于生长第III族氮化物的厚层的衬底。所述衬底具有经制备用于第III族氮化物的外延生长的第一表面和与所述第一表面相对、具有多个凹槽的第二表面。本发明还提供一种使用有槽衬底产生第III族氮化物的厚层或块状晶体的方法。在一个配置中，所述有槽衬底生长第III族氮化物的厚层或块状晶体，其中弓曲和/或从所述衬底自发分离减少。
用于生长 iii 氮化物晶体衬底制造方法

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