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[发明专利]显示产品维修信息的方法、装置、服务器及介质-CN202010960777.8有效
发明人：黄菲菲;孙程;崔洪禄;韩灿;刘照斌;张松海 -专利权人：北京京东振世信息技术有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06T19/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示产品维修信息的方法、装置、服务器及介质，该方法应用于客户端中，包括：接收服务端发送的与目标维修事件中目标产品相对应的目标模型文件以及目标维修信息；目标模型文件中包括目标产品的三维模型信息，目标维修信息中包括待维修部位以及待维修部位的渲染参数；根据目标模型文件以及目标维修信息中的渲染参数，将目标产品以及待维修部位在三维虚拟显示区域中进行区别显示。本发明实施例的技术方案，通过显示在三维虚拟显示区域中的目标产品和待维修部位对维修人员培训时，可以降低培训成本，提高了培训过程中的代入感，进而提高培训效率的技术效果。
显示产品维修信息方法装置服务器介质

[发明专利]一种艇用下沉式平台-CN202310564775.0在审
发明人：王志斌;钱晓立;韩灿;苗川;毛翔;孙德臣 -专利权人：中国船舶集团有限公司第七0八研究所
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B63B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种艇用下沉式平台，属于水面艇技术领域，其包括所在高度低于主甲板的下沉式平台甲板、设于下沉式平台甲板侧面并与主甲板连接的侧壁板、以及活动设于侧壁板与主甲板连接处的下沉式平台翻盖；下沉式平台翻盖处于关闭状态时与主甲板贴合且齐平，位于下沉式平台甲板的正上方。本发明可使在艇上的应用区域不受限制，可同时应用于艉部、两舷侧等位置，可有效增加单艇下沉式平台的总面积。
一种下沉平台

[发明专利]一种带拉法尔斜切喷管及气浮结构的空间涡轮发电系统-CN202210826498.1在审
发明人：李育隆;韩灿;于新刚;田林 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： F02K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带拉法尔斜切喷管及气浮结构的空间涡轮发电系统，涉及空间航天器能源领域，包括高压气瓶、燃料贮箱、氧化剂贮箱、燃气发生器、涡轮、行星齿轮箱、发电机以及整流器，燃料贮箱和氧化剂贮箱分别通过导气管与高压气瓶连接，高压气瓶通过导管与涡轮进气口连接，燃料贮箱通过导管与发电机的燃料进口连接，发电机的燃料出口通过导管与行星齿轮箱的燃料进口连接，氧化剂贮箱通过导管与燃气发生器的进料口连接，行星齿轮箱的燃料出口与燃气发生器的进料口连接，燃气发生器的出料口与涡轮进气口连接，发电机接线柱与整流器的接线柱连接。本发明解决进气式微型涡轮高转速条件下轴承的润滑问题，具有运行稳定、可靠性高、寿命长的特点。
一种带拉法尔斜切喷管结构空间涡轮发电系统

[外观设计]带物资管理图形用户界面的显示屏幕面板-CN202130093914.8有效
发明人：苗剑宇;吕晗东;朱恂;李智尧;邓菲;韩灿;穆倩雯 -专利权人：北京京东振世信息技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：带物资管理图形用户界面的显示屏幕面板。2.本外观设计产品的用途：用于人机交互及显示。3.本外观设计产品的设计要点：在于显示信息的图形用户界面的界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.因其不具备设计要点，省略俯视图、仰视图、左视图、右视图、后视图。6.图形用户界面的用途：该显示屏幕面板用于机器人、手机、台式电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能屏、智慧屏、显示拼接屏。产品的图形用户界面为可视化管理应急物资的图形用户界面。主视图显示应急物资管理主界面；在主视图中点击右下角“物品种类（种）”所在按钮进入变化状态图1，显示物资调拨申请界面；在变化状态图1中点击右下角的“申请调拨”按钮进入变化状态图2，显示物资调拨界面；在变化状态图2中点击“立即调拨”按钮进入变化状态图3，显示物资追踪界面；在变化状态图3中任意点击一个物资所在卡片进入变化状态图4，显示对应物资的物资追踪界面。各视图均有对应的使用状态参考图。
物资管理图形用户界面显示屏幕面板

[发明专利]一种透明导电薄膜的制备方法-CN202110338967.0在审
发明人：韩灿;米罗·泽曼;奥兰多·伊莎贝拉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电薄膜制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上沉积含氢薄膜硅；室温下在所述含氢薄膜硅上形成晶态的透明导电氧化物层；含氧氛围下对所述晶态的透明导电氧化物层进行热处理。本发明使透明导电氧化物层沉积与氢原子扩散分步进行，采用含氧环境后退火的方法，抵消氢原子对透明导电氧化物层内载流子浓度的贡献，避免透明导电氧化物层内自由载流子浓度升高而引起电池光学性能下降；同时提升了载流子迁移率，改善了透明导电薄膜的电学性能。
一种透明导电薄膜制备方法

[发明专利]薄膜自组装制备方法及其装置-CN201510084323.8有效
发明人：李思众;叶继春;高平奇;韩灿;盛江 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜自组装制备方法及其装置。具体的，本发明提供了一种薄膜的自组装制备方法：将成膜液装入注射单元中，将支撑液装入盛液单元中，将表面活性剂溶液装入注射单元或盛液单元；运行制备薄膜的自组装装置，将所述成膜液注射到所述盛液单元中的支撑液表面，生成所述成膜微粒的薄膜。该方法的制备工艺简单，成本低廉，可制备大面积的二维有序的微粒薄膜，克服了现有技术成形质量差、成形时间长、成形面积小且无法大规模生产的缺点。
薄膜组装制备方法及其装置

[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制备方法及应用-CN201911125759.1在审
发明人：韩灿;M·泽曼;O·伊莎贝拉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电氧化物薄膜制备的方法及应用，采用磁控溅射技术，经工艺调控，可实现高质量薄膜的高效率沉积，可在低温条件下实现60cm2V‑1s‑1的高载流子迁移率的透明导电氧化物薄膜的制备，电学性能与ITO相当，UV‑Vis‑IR全波段范围内的光学吸收率较ITO有明显降低。本发明所制备的掺氟氧化铟的透明导电氧化物薄膜具有良好的热稳定性，250℃以下的热处理基本不会带来材料性质的恶化；经过适宜后处理后的掺氟氧化铟薄膜可以实现其性能的进一步提升；此外在避免使用过渡金属元素，性能稳定的同时，可以实现光学性质的有效调控；并且由于不使用过渡金属元素，制备成本低廉。
一种透明导电氧化物薄膜制备方法应用

[发明专利]一种单晶硅倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用-CN201910086667.0在审
发明人：叶继春;高平奇;李思众;杨熹;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面及其制备方法和应用。具体地，本发明提供了一种单晶硅表面倒金字塔阵列结构绒面的制备方法，包括：在所述基片的至少一个主表面上生成聚合物微球单层薄膜，得到基片‑聚合物微球单层薄膜；在所述基片‑聚合物微球单层薄膜上生成掩膜层，得到基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层；除去所述基片‑聚合物微球单层薄膜‑掩膜层中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆盖掩膜的多个单元；腐蚀未覆盖所述掩膜的单元为倒金字塔形压槽，在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔阵列结构绒面。本发明制备倒金字塔阵列结构绒面方法工艺简单，成本低廉，克服了现有技术无法大规模生成，制备条件要求苛刻等缺点。
聚合物微球单层薄膜倒金字塔阵列结构绒面掩膜层主表面制备方法和应用单晶硅表面掩膜制备倒金字塔形单晶硅制备条件覆盖压槽腐蚀

[发明专利]基于回旋曲线的有轨运行起重运输机械转弯轨道设计方法-CN201710896327.5有效
发明人：董达善;乔榛;孙友刚;陈佳亮;韩灿;徐超 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： E01B23/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于回旋曲线的有轨运行起重运输机械转弯轨道设计方法：输入转弯要求及与机械总体相关的一级参数；输入与运行机构总成、车轮及轨道相关的二级参数；通过优化确定内侧轨道的圆弧段半径和回旋曲线段弧长参数；根据初始参数，计算运行机构由单个车轮组成时的优化轨道的内侧轨道函数及外侧轨道轨迹；对于运行机构由多个车轮组成的情况，根据连接车轮基本模块的多级平衡梁的数量，以线性叠加方式计算多轮修正值并进行逐级修正；对小于理论轮轨间隙的最终轨道的实际轮轨间隙进行对称处理后输出轨道；否则，修改初始参数重新进行轨道设计。本发明大大增加了轨道设计的灵活性，同时又减少设计的工作量。
基于回旋曲线有轨运行起重运输机械转弯轨道设计方法

[实用新型]一种啦啦操脚下训练装置-CN201820814276.7有效
发明人：韩灿 -专利权人：西藏民族大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： A63B22/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种啦啦操脚下训练装置，它包含一个顶部设置有开口的机盒(1)，该机盒(1)的一侧设置有传动盒(2)；所述机盒(1)的开口处设置有一块脚踏板(3)，该脚踏板(3)两端的中部通过转轴与定位座(4)转动连接配合，所述的定位座(4)固定在机盒(1)端部的中心位置，所述踏板(3)的四角处分别固定有弹簧(5)，该弹簧(5)的下端固定在机盒(1)的底部。本实用新型结构简单，使用方便，能够给练习者脚下造成快速的起伏动作，从而实现锻炼整体平衡性的目的。
本实用新型训练装置定位座脚踏板弹簧机盒在机整体平衡性顶部设置起伏动作转动连接踏板传动盒开口处四角处下端转轴开口练习锻炼配合

[发明专利]一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池-CN201810692621.9在审
发明人：张晓丹;韩灿;侯福华;魏长春;任慧志;李跃龙;黄茜;陈新亮;侯国付;张德坤;许盛之;王广才;丁毅;徐文涛;罗景山;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池。所述减反射膜的制备包括：在衬底上制备绒度结构；在绒度结构表面均匀涂布一层固化胶；对固化胶进行固化处理；将绒度结构衬底与固化胶分离，得到具有绒度结构的减反射膜。该减反射膜可用于叠层太阳电池的制备中。可有效降低叠层电池的反射损失，增加光吸收，提高电池整体的光谱响应，并最终提高器件的综合输出性能；制备工艺简单，成本低廉，可重复利用，并且适用于大面积制备和生产；器件制作成本几乎没有增加；大大降低了叠层电池设计中引入衬底绒度结构的实施难度，并且绒度调控的可操作性得以增强，具有较强的应用普适性。
绒度制备减反射膜叠层太阳电池固化胶衬底叠层电池反射损失固化处理光谱响应结构表面均匀涂布器件制作输出性能制备工艺光吸收可重复普适性可用电池调控引入应用生产

[发明专利]硅基太阳能电池及其制备方法-CN201610362000.5有效
发明人：于静;叶继春;高平奇;韩灿;何坚 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提出的一种硅基太阳能电池，包括依次层叠的空穴传输层、第一钝化层、n型硅片，其特征在于所述空穴传输层材料选自碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种。上述硅基太阳能电池，采用高功函数材料作为空穴传输层取代p型掺杂层，低功函数材料作为电子传输层取代n型掺杂层，制备的非掺杂异质结空穴传输层与钝化层或硅片直接接触，耗尽区界面会形成强反型层，通过能带平齐与能带弯曲实现光生载流子向对应方向流动，以实现其有效分离，降低接触电阻和复合速度，带间缺陷态也会受到强反型层的屏蔽作用，从而使电池的开路电压增大，相应地电池转换效率升高。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]空穴钝化隧穿薄膜、制备方法及其在太阳电池中的应用-CN201710694413.8在审
发明人：叶继春;廖明墩;曾俞衡;高平奇;王丹;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴钝化隧穿薄膜主要成分为氮化硅(SiNx)，薄膜厚度为0.5‑3nm，氮化硅性质稳定、耐高温，有利于集成高温处理，且对晶硅表面有良好的化学钝化效果，其中氮化硅的电子亲和能为1.71eV，禁带宽度为5.31eV，与硅的导带带阶为2.34eV、价带带阶为1.85eV，空穴的隧穿势垒比电子的隧穿势垒低了近1eV，十分有利于对空穴的选择性隧穿；此外氮化硅具有很好的杂质阻挡能力，有利于降低空穴选择层材料或其他功能层中杂质的内扩散，保持界面和体硅的洁净度；而厚度在3nm以下的氮化硅薄膜有最佳的隧穿效率，本发明采用了等离子体辅助或热辅助原子层沉积方法沉积氮化硅薄膜能够获得该厚度的超薄氮化硅薄膜，操作简单方便。
空穴钝化薄膜制备方法及其太阳电池中的应用

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及其产物和包含该多晶硅薄膜的太阳能电池-CN201710696833.X在审
发明人：闫宝杰;叶继春;曾俞衡;高平奇;廖明墩;王丹;童慧;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。本发明还提供了上述制备方法的产物和包含该产物的太阳能电池。本发明处理温度低，处理时间短，可有效减少非晶硅薄膜中的杂质元素扩散，减少对相邻层材料的破坏和影响，使器件获得较优性能。
一种多晶薄膜制备方法及其产物包含太阳能电池

[发明专利]一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610271978.0有效
发明人：叶继春;高平奇;曾俞衡;韩灿;廖明墩;王丹;于静 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
一种氧化钝化接触太阳能电池及其制备方法

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