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[发明专利]一种基于石墨烯薄膜的应变检测传感器及其制备方法-CN201910147207.4有效
发明人：赵沛;梅乐;郑浩然;任钱诚;包高峰;邹振兴;刘嘉斌;王宏涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种应变系数大、检测灵敏度高的基于石墨烯薄膜的应变检测传感器及其制备方法。应变检测传感器包括石墨烯薄膜，石墨烯薄膜包括两层石墨烯单层膜，两层石墨烯单层膜相互叠接。石墨烯单层膜上的石墨烯呈岛状分布。基于石墨烯薄膜的应变检测传感器的制备方法包括：在铜基底上生长石墨烯单层膜；将粘结剂涂覆于石墨烯单层膜表面，得到铜基底‑石墨烯单层膜‑粘结膜；将铜基底‑石墨烯单层膜‑粘结膜中的铜基底腐蚀，得到石墨烯单层膜‑粘结膜；用另一片铜基底‑石墨烯单层膜、将石墨烯单层膜‑粘结膜捞起，得到铜基底‑双层石墨烯薄膜‑粘结膜；最后将铜基底‑双层石墨烯薄膜‑粘结膜中的铜基底完全腐蚀，得到双层石墨烯薄膜‑粘结膜。
一种基于石墨薄膜应变检测传感器及其制备方法

[发明专利]一种光学薄膜光学常数工艺相关性的实验方法-CN202111414307.2有效
发明人：刘华松;刘丹丹;冷健;尚鹏;杨霄;孙鹏;邢宇哲;顿世杰;何健;孟森;何家欢;徐颖 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本申请提供一种光学薄膜光学常数工艺相关性的实验方法，包括以下步骤：设定单层薄膜；设定所述单层薄膜的目标工艺参数A；设置所述目标工艺参数A的值A1,A......An；以设定规则对所述目标工艺参数A进行排序；按排序后的所述目标工艺参数A的顺序依次在光学基底上制备具有对应所述目标工艺参数A的值的所述单层薄膜，每层所述单层薄膜的其它工艺参数不变，获得分层光学薄膜；获取所述分层光学薄膜的目标光谱；构建所述分层光学薄膜的物理模型，每层所述单层薄膜具有相同的光学常数模型；以所述目标光谱为目标函数，对所述物理模型的每层所述单层薄膜的光学常数进行拟合；计算获得所述单层薄膜的光学常数；获得所述光学常数和所述目标工艺参数A的相关性。
一种光学薄膜光学常数工艺相关性实验方法

[发明专利]一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法-CN201710934027.1有效
发明人：杨森;张垠;姚康康;周超 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括：1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2、制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时；4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性，可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂，跟已有的理论计算结果一致，使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。
一种基于液态浸泡增强单层二硫化钼薄膜铁磁性方法

[发明专利]一种单层自组装金纳米颗粒/二硫化钼复合膜及其制备方法-CN201710403077.7有效
发明人：万艳芬;杨鹏;尹航;马谡;吴治涌;王润卉 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层自组装金纳米颗粒/二硫化钼复合膜及其制备方法，该单层自组装金纳米颗粒/二硫化钼复合膜的制备方法主要包括：厚度为6nm的金纳米颗粒自组装单层薄膜、二硫化钼单层薄膜；这两种薄膜材料依靠范德华力形成单层自组装金纳米颗粒本发明充分利用单层自组装金纳米颗粒/二硫化钼复合膜中金纳米颗粒自组装单层薄膜和二硫化钼单层薄膜的协同激发作用能够产生光电性能高增益，制备的单层自组装金纳米颗粒/二硫化钼复合膜厚度均一可控，金纳米颗粒自组装单层薄膜的集体表面等离子激元共振效应作为激发泵浦，能够极大增强二硫化钼单层薄膜的光致发光和光电转换效率，在未来光电器件、生物光子学、场效应晶体管、光探测器等光电领域具有极大优势。
一种单层组装纳米颗粒二硫化钼复合制备方法

[发明专利]一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料及其制备方法-CN201810011236.3在审
发明人：胡益丰;郭璇;张锐;尤海鹏;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料，其特征在于，包括单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜交替排列成多层膜结构，其化学通式为[SbSe(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜的厚度，1≤a≤50nm，1≤b≤50nm，x表示单层SbSe和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数，相SbSe/Sb多层相变薄膜的总厚度为50nm。本发明的SbSe/Sb多层相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有如下优点：SbSe和Sb薄膜材料复合后达到优势互补，协同作用，在SbSe\Sb复合方式下加快了相变速度，在SbSe
单层相变存储器薄膜多层相变薄膜材料复合方式相变薄膜材料多层膜结构薄膜材料化学通式交替排列交替周期热稳定性相变薄膜综合性能传统的交替层正整数多层式中制备复合应用

[发明专利]一种大面积单层致密纳米微球薄膜组装方法、装置及装置的使用方法-CN201610584610.X在审
发明人：吕湘连;曾行昌;何洋;苑伟政;杨儒元;徐玉坤;朱宝;刘少维;周庆庆;姜澄宇;陶于金;王亮;武伟超;王丹;李沛峰;孙智伟 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积单层致密纳米晶体微球自组装方法、装置及装置的使用方法，属于薄膜制备领域。该纳米微球薄膜组装方法结合旋涂和气‑液界面组装技术优点，分两步主动调节单层致密纳米微球薄膜的成形过程，即：通过旋涂，确保在基底上形成单层纳米层，再将基底上的单层纳米层剥离在液面，通过添加表面活性剂推挤，使不连续的单层纳米组装成致密纳米薄膜，完成大面积单层致密纳米微球薄膜的组装过程。该方法还可以通过最后降低液面，将该单层膜转移到第二基底上。该方法很大程度提高了单层纳米微球薄膜的成膜质量、其成本低廉、操作简单，适用于不同直径的纳米小球组装。
一种大面积单层致密纳米薄膜组装方法装置使用方法

[发明专利]一种三明治结构复合纳米阵列衬底的制备方法-CN201911164758.8有效
发明人：董军;卢珠;韩庆艳;高伟;王勇凯;严学文;吴飞飞;王瑞 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B32B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三明治结构复合纳米阵列衬底的制备方法，先采用简单温和的金属溶胶自组装法，在油‑水界面上快速形成金银合金纳米单层薄膜，并借助注射器缓慢吸取薄膜上表面多余的有机溶剂，通过提拉方式将薄膜转移到硅片上，得到金银合金纳米单层薄膜；然后采用聚合物保护‑刻蚀法将石墨烯转移到金银合金纳米单层薄膜表面上；最后在石墨烯表面再转移上述金银合金纳米单层薄膜，得到三明治结构的金银合金纳米单层薄膜‑石墨烯‑金银合金纳米单层薄膜复合纳米阵列衬底
一种三明治结构复合纳米阵列衬底制备方法

[发明专利]一种单层或几个单层的CrTe3薄膜及其制备方法-CN202110687492.6在审
发明人：姚杰;赵爱迪 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种单层或几个单层的CrTe3薄膜及其制备方法。所述薄膜呈单一结构相，是具有磁性的半导体二维材料，且其薄膜表面在扫描隧道显微镜下表现出特征的锯齿状结构。本发明提供一种所述的单层CrTe3薄膜制备方法，采用分子束外延的方法在真空的腔体里面制备得到。本发明所述的单层CrTe3薄膜制备简单，薄膜质量高，成分均匀，表面平整。本发明还提出单层CrTe3薄膜在自旋电子器件中的应用，对于电子器件小型化有重要的用途。
一种单层几个 crte3 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有新型纳米多层结构的薄膜及其制备方法-CN201611012186.8有效
发明人：白文琦;涂江平;王秀丽;金攻;李瑞玲;李玲玲;谢跃军 -专利权人：中奥汇成科技股份有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有新型纳米多层结构的薄膜及其制备方法，纳米多层结构的薄膜由依次沉积在基体上的锆底层及锆‑氮化锆‑碳多层结构构成。其中，锆底层厚度为200‑300nm，可提高薄膜的承载能力及与金属基底的结合力。锆‑氮化锆‑碳多层结构由锆单层、氮化锆单层及非晶碳单层构成，其中“氮化锆单层‑锆单层‑非晶碳单层‑锆单层”组成一个重复单元，多层结构由若干个重复单元构成。多层结构中，锆单层为密排六方结构，氮化锆单层为面心立方结构。纳米多层的薄膜具有高承载能力、高耐腐蚀及高耐磨的特点，并具有良好的生物相容性，在金属关节领域具有应用前景。
一种具有新型纳米多层结构薄膜及其制备方法

[发明专利]蚕丝蛋白薄膜在制备湿度传感器中的应用-CN201610569607.0有效
发明人：张克勤;李青松;彭瑜;祁宁;张骁骅 -专利权人：南通纺织丝绸产业技术研究院
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚕丝蛋白单层薄膜在制备湿度传感器中的应用，湿度传感响应的湿度范围为7‑92％，蚕丝蛋白薄膜为单层薄膜。这种由单次旋涂溶液得到的单层膜没有光子晶体的复杂微观结构，制备流程简单、耗时短。本发明通过旋涂的方法制备单层的蚕丝蛋白薄膜，制备方法简单，由于薄膜干涉效应而呈现出一定的颜色，并且能够灵敏的响应湿度变化。
蚕丝蛋白薄膜制备湿度传感器中的应用

[发明专利]一种制备图案化单层二维材料的方法-CN202211295202.4在审
发明人：邓少芝;刘利伟;许宁生;周鹏 -专利权人：中山大学;复旦大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具有涉及一种制备图案化单层二维材料的方法，所述方法包括：制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化PDMS印章，并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布；在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上，得到图案化单层二维材料通过所述方法转印图案化单层二维材料解决了现有技术二维材料图案化和转移二维材料流程复杂、成本高昂、耗时长的问题。
一种制备图案单层二维材料方法

[发明专利]单层聚乙烯保护膜表面处理工艺-CN200810060327.2无效
发明人：黄志文 -专利权人：黄志文
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明所述的单层聚乙烯保护膜表面处理工艺，至少包括如下步骤：1)电晕处理，对单层聚乙烯薄膜正面和反面进行电晕处理，以增加表面的粗糙度，电晕处理时应保证单层聚乙烯薄膜的表面张力在38－48毫牛顿/米；2)印刷，经电晕处理后的单层聚乙烯薄膜，应在5天内对单层聚乙烯薄膜正面进行印刷，印刷是用凹印轮转机进行轮转凹版印刷；3)上胶，在印刷后的单层聚乙烯薄膜的反面涂布粘合剂。
单层聚乙烯保护膜表面处理工艺

[发明专利]一种基于非共价修饰的石墨烯蛋白复合薄膜及制备方法-CN201610694149.3有效
发明人：毛红菊;周麟;马云飞;金庆辉;赵建龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非共价修饰的石墨烯蛋白复合薄膜及制备方法，所述复合薄膜包括二氧化硅衬底、单层石墨烯和蛋白薄膜。制备方法包括：将通过化学气相沉积生长的单层石墨烯薄膜转移至二氧化硅衬底的表面，将石墨烯薄膜表面的光刻胶除去后在二氧化硅衬底表面留下单层石墨烯；将蛋白溶液滴加到单层石墨烯表面在60～90℃热失活处理1～10min，在单层石墨烯表面形成蛋白薄膜，即得。本发明通过热失活方法在石墨烯表面实现蛋白薄膜的非共价的修饰，石墨烯‑蛋白薄膜厚度可以控制在纳米级，薄膜均匀，操作简单，易于实现；蛋白薄膜表面具有氨基和羧基，可以作为后续生物分子诊断的平台，具有良好的应用前景
一种基于共价修饰石墨蛋白复合薄膜制备方法

[发明专利]用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料-CN201010566541.2无效
发明人：翟继卫;汪昌州;沈波;孙明成 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子材料技术领域，涉及一种用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料。本发明GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料中单层GeTe薄膜和单层Ge2Sb2Te5薄膜交替排列成多层薄膜结构，单层GeTe薄膜和单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度均为1~15nm。本发明薄膜材料结晶温度随周期中单层GeTe薄膜厚度的增加而升高，且基于GeTe/Ge2Sb2Te5纳米复合多层相变薄膜材料的相变存储单元可通过电脉冲来实现高阻态和低阻态之间的可逆转变；所述材料比Ge2Sb2Te5
用于相变存储器纳米复合多层薄膜材料

[发明专利]石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用-CN202111486768.0在审
发明人：杨诚;张显美 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于电子核心技术及生物医学工程技术领域，涉及传感器的制造及分子生物信息检测，具体涉及石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用，包括导电玻璃，所述导电玻璃表面设置单层单晶石墨烯薄膜，单层单晶石墨烯膜薄开设石墨烯沟道，石墨烯沟道上设置碲化钨薄膜形成顶栅，并使石墨烯与碲化钨形成石墨烯/碲化钨异质结构。其制备方法为：在金属箔表面制备单层单晶石墨烯材料，将金属箔刻蚀去除获得单层单晶石墨烯薄膜，将单层单晶石墨烯薄膜转移至导电玻璃表面，将单层单晶石墨烯薄膜刻出石墨烯沟道，将碲化钨薄膜转至使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上
石墨碲化钨异质结构生物传感器制备方法应用

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