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[发明专利]一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法-CN202011026600.7有效
发明人：赵建强;张伟;丁继洪;陈洁;刘中梦雪;刘庆飞;陈计学 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。
一种背照式 emccd 背面结构及其制作方法

[发明专利]一种硅基背照PIN器件结构-CN202011024275.0有效
发明人：丁继洪;陈计学;刘中梦雪;张伟;丁艳丽 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
一种硅基背照 pin 器件结构

[发明专利]一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法-CN201811099655.3有效
发明人：张海峰;陈计学;高博;朱小燕 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），在氮化硅膜层（3）上生成有第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10），且在第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10）上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比，且在刻蚀的过程中，减少了氮化硅膜层的损失，最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性，改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失，制作出结构完整的多层多晶硅栅结构。
一种 emccd 器件多层多晶结构制作方法

[发明专利]一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置-CN201710830231.9有效
发明人：刘阳;陈计学;房立峰;张帅;张伟 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置，包括正调节固定板、负调节固定板、正电极延长柱与负电极延长柱，正调节固定板及负调节固定板分别水平连接于正蒸镀电极及负蒸镀电极顶部；正电极延长柱及负电极延长柱分别通过固定孔竖直固定于正调节固定板及负调节固定板；正电极延长柱及负电极延长柱顶部分别螺纹连接有固定套筒，固定套筒侧壁设有水平的开口槽,两个固定套筒的开口槽相对设置，蒸发舟两端分别插入两个开口槽形成配合；两个固定套筒上部分别设有锁紧螺栓，使蒸发舟两端分别夹紧固定于相对应的锁紧螺栓与电极延长柱之间；通过电极延长柱使蒸发舟的安装位置升高，从而缩短了蒸发源和基片的距离，能够提高沉积速率。
一种沉积速率蒸发调节固定装置

[发明专利]一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置-CN201810120521.9有效
发明人：房立峰;陈丙根;陈计学;刘阳;张帅;王帆 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C25D17/12 文献下载
摘要：本发明公开一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置，包括装载罩壳与装载托盘，装载罩壳呈圆锥台状，装载罩壳顶面设有导电片、底边设有导电环；装载罩壳壳壁设有电镀液通孔阵列，装载罩壳壳壁还内嵌有一组金属引线,金属引线顶端与导电片相连、底端与导电环相连；装载托盘与装载罩壳底部螺纹配合连接，形成容纳金属热沉元件的装载腔，装载托盘设有一组电镀液穿流孔；导电片中心设有螺孔，装载罩壳顶部设有与螺孔同心的安装孔，安装孔内穿设有导电柱，导电柱用于和电镀设备阴极接口螺纹连接；本装置无需对金属热沉元件夹持，电镀液流进流出装载腔实现电镀；结构简单、安装方便、稳定性好，且电镀均匀性高，满足金属热沉元件的电镀要求。
装载罩壳托盘金属热沉导电片电镀金属金属引线热沉元件阴极装置安装孔导电环导电柱电镀液装载腔电镀壳壁螺孔螺纹配合连接电镀均匀性安装方便电镀设备电镀液流螺纹连接通孔阵列阴极接口圆锥台状罩壳顶部穿流孔同心的罩壳顶底端夹持内嵌流出容纳

[发明专利]一种管状元器件端面金属化工装-CN201710688343.5有效
发明人：张帅;陈计学;赵建强;张乐银;姜楠 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开一种管状元器件端面金属化工装，包括掩埋工装与蒸发工装，掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块，成型件能够与承载底座形成配合，成型件中心设有成型孔；元器件承载柱能够与成型孔形成配合，元器件承载柱顶面用于放置管状元器件，元器件承载柱放入成型孔后，元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔；通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片，蒸发工装对饼片进行固定，再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化；NaCl价格低廉，且容易与管状元器件制成饼片，金属化结束后只需将NaCl溶解，即可取出管状元器件；本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化，提高了效率。
元器件元器件承载成型孔工装成型件金属化掩埋承载底座端面金属柱顶面蒸发工装制作蒸发工艺成型腔质量块冲压放入填充配合溶解取出

[发明专利]一种雪崩二极管低频参数测试装置-CN201610722805.6有效
发明人：潘结斌;陈计学;赵娟;朱小燕;房立峰 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
一种雪崩二极管低频参数测试装置

[发明专利]一种双向抗静电保护电路版图结构及其制备方法-CN201710961724.6在审
发明人：朱小燕;陈计学;陈洁;吕东锋;李苏苏;赵娟 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种双向抗静电保护电路版图结构，包括N型衬底、阻挡层，Pwell区、N场区、N扩散区、P+区、二极管N+区、多晶硅电阻区、Vin区、Vout区以及VGND区，Vin区与多晶硅电阻区间隔设置，Vin区与N场区之间设有第一介质层；VGND区下方的N型衬底注入有N+接触区，VGND区与N+接触区之间设有第二介质层；二极管N+区上方设有环形的第三介质层；Vin区、多晶硅电阻区、Vout区、二极管N+区、VGND区均通过金属线条互连构成双向抗静电保护电路；本发明版图结构的制备方法通过生长阻挡层、离子注入、炉管退火、场氧化、制备多晶硅电阻、刻蚀、介质层生长、金属蒸发等步骤实现；该版图结构能够提高保护电路的抗静电效果，无需另外制备独立电路,并且兼容MOS制备工艺。
一种双向抗静电保护电路版图结构及其制备方法

[实用新型]一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构-CN201720301592.X有效
发明人：刘庆飞;陈计学;赵建强;朱小燕;赵绢 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。
一种电子倍增电荷耦合器件背面结构

[发明专利]一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法-CN201710186796.8在审
发明人：刘庆飞;陈计学;赵建强;朱小燕;赵绢 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。
一种电子倍增电荷耦合器件背面结构及其制作方法

[发明专利]一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法-CN201610715458.4在审
发明人：姜楠;简崇玺;赵建强;陈计学;赵娟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N‑阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N‑外延层，N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N‑外延层中心还设有N‑基区，N‑基区上设有N+基区，N‑基区中心设有P+发射区；发射极与N‑阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N‑阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。
一种自由集电极纵向 pnp 及其制备方法

[发明专利]一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法-CN201610921655.1在审
发明人：赵建强;张伟;姜楠;陈计学 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆腐蚀装置，其特征在于它包括支架（1），在支架（1）上设有电机（2），在电机（2）的输出端上设有连接杆（3），在连接杆（3）的端部设有粘片头（4），设置一个与粘片头（4）对应配合的腐蚀槽主体（5）。本发明具有结构简单、工艺操作易于实现、成本低、可靠性高等优点。
一种腐蚀装置以及方法

[发明专利]一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法-CN201410465727.7有效
发明人：潘结斌;陈计学;吕东锋 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法，包含以下步骤：a）将台面雪崩二级管构成反向工作电气回路，并在回路中串联电流表，台面雪崩二极管的两端分别并联电压表与电容表；b）确定台面雪崩二极管的反向击穿电压V_B；c）对台面雪崩二极管施加不同的反向工作电压；d）读取反向工作电压为V_n时的电容值C_n；e）重复步骤c，读取反向工作电压为V_n+1时的电容值C_n+1；f）根据公式计算台面雪崩二极管管芯面积，由于台面雪崩二极管在反向工作状态下，耗尽层势垒电容可用一定面积耗尽层内的电荷增量与反向偏压变化量的比值来表示，所以根据公式就可以进一步计算出台面雪崩二极管管芯的有源层面积，此方法测量准确，能够消除人为因素带来的误差。
一种台面雪崩二极管管芯面积测量方法

[发明专利]一种背照式图像传感器的制造方法-CN201610026413.6在审
发明人：谢斌;秦盼;张乐银;向圆;李彪;陈计学;赵建强;张伟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2016-01-16 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合；c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理，去除图像传感器芯片的背面衬底；d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层；e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层；f)在抗反射膜层上制备反光膜层；g)释放图像传感器芯片上的光感应元件；h)释放图像传感器芯片上的焊盘，得到最终的背照式图像传感器；本发明工艺简单易于实现，可适用于批量生产，采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘，使得后序封装中的引线键合工艺实现简单，节省了封装成本。
一种背照式图像传感器制造方法

[发明专利]一种双路双向ESD保护电路-CN201510664514.1在审
发明人：赵建强;陈洁;陈计学;张海峰;李苏苏;高博 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种双路双向ESD保护电路，设于被保护集成电路的输入端，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。
一种双向 esd 保护电路

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