专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率元件及其制造方法-CN202110422918.5有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-04-20 - 2023-09-29 - H01L29/06
  • 一种功率元件及其制造方法,所述功率元件包括:外延层,具有沟渠,所述沟渠自所述外延层的第一表面向第二表面延伸;漏极掺杂层,位于所述外延层的所述第二表面上;第一基体区与第二基体区,位于所述沟渠两侧的所述外延层中;第一源极掺杂区与第二源极掺杂区,分别位于所述第一基体区与所述第二基体区中;隔离场板,位于所述沟渠中;绝缘填充层,位于所述沟渠中,环绕所述隔离场板的下部的侧壁与底部;第一栅极与第二栅极,位于所述沟渠中且位于所述绝缘填充层上;以及介电层,环绕所述第一栅极与所述第二栅极的侧壁,其中所述第一栅极与所述第二栅极的底角为钝角。本申请可以提升元件的崩溃电压,降低导通电阻,改善品质因素,提升元件的效能。
  • 功率元件及其制造方法
  • [发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置-CN202210490696.5在审
  • 陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-05-07 - 2023-09-22 - H01L29/78
  • 本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体装置,包括具有阱的基底、在阱内的体掺杂区、在体掺杂区内的体拾取区、在体拾取区两侧的体掺杂区内的源极区、漏极区、在漏极区与体掺杂区之间的厚氧化层、指状栅极、导体结构以及栅极绝缘层。厚氧化层定义出有源区。指状栅极分别设置在源极区的外侧的有源区上,其中每个指状栅极包括多个分支部,分支部彼此平行排列并延伸至厚氧化层上。导体结构设置在分支部之间并横跨有源区与厚氧化层,其中导体结构与指状栅极电绝缘。栅极绝缘层位在指状栅极与有源区之间以及位在导体结构与有源区之间。
  • 横向扩散金属氧化物半导体装置
  • [发明专利]高电压集成电路及其半导体结构-CN201911197731.9有效
  • 韦维克;陈柏安;张育麒 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-11-29 - 2023-09-08 - H03K19/0175
  • 一种高电压集成电路及其半导体结构,其中该半导体结构包括一衬底,衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区,第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管,设置在高电压N型井区上,高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极,源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上;漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接;及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件,连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间,提供一分压给N型晶体管的栅极。
  • 电压集成电路及其半导体结构
  • [发明专利]半导体元件-CN201911004932.2有效
  • 谢克·麦斯坦巴雪;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-10-22 - 2023-09-01 - H01L29/78
  • 本发明提供一种半导体元件,包括第一导电型阱、第二导电型阱、源极区域、漏极区域以及多晶硅环栅极结构。第一导电型阱配置于第一导电型衬底中。第二导电型阱配置于第一导电型阱旁边且被第一导电型阱环绕。源极区域配置于第一导电型阱中。漏极区域配置于第二导电型阱中。多晶硅环栅极结构配置于第一导电型阱及第二导电型阱上方,位于源极区域及漏极区域之间且环绕漏极区域。源极区域与第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于或等于在第二方向上的距离,第一方向与第二方向垂直,且第二方向为多晶硅环栅极结构的长边方向。本发明除了能够维持较高的电流,更可最小化波动,阀值电压以及线性区间漏极电流在X方向及Y方向上均能够较佳地受到控制。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811572406.1有效
  • 韦维克;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2018-12-21 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体装置及其形成方法,该方法包括提供一半导体基板。半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区及高电位接面终端预定区,且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态,且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910788574.2有效
  • 席德·内亚兹·依曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2019-08-26 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 一种半导体装置及其形成方法,该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以于半导体基板中形成P型阱与N型阱。N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分,第三部分位于第一部分与第二部分之间,第三部分的掺杂浓度低于第一部分的掺杂浓度与第二部分的掺杂浓度。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]高压半导体装置-CN201811619517.3有效
  • 韦维克;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2018-12-28 - 2023-07-28 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种高压半导体装置,包含半导体衬底具有第一导电型,第一阱设置于半导体衬底上,第一阱具有第一导电型,第二阱和第三阱与第一阱相邻,且具有与第一导电型相反的第二导电型,具有第二导电型的第一源极区和第一漏极区分别设置于第一阱和第二阱中,第一栅极结构设置于第一阱和第二阱上,具有第二导电型的第二源极区和第二漏极区分别设置于第一阱和第三阱中,第二栅极结构设置于第一阱和第三阱上,以及埋置层设置于半导体衬底中且具有第一导电型,埋置层与第一阱、第二阱和第三阱重叠且位于第一源极区下方。
  • 高压半导体装置
  • [发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法-CN202010337743.3有效
  • 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2020-04-26 - 2023-07-28 - H01L29/808
  • 本发明提供了一种结型场效应晶体管及其制造方法,适用于高电压操作。其中,结型场效应晶体管包括衬底层,掺杂有第一导电型掺质。基部井区形成在该衬底层上,掺杂有第二导电型掺质。阻挡层位于该衬底层与该基部井区的界面上,掺杂有该第一导电型掺质。栅极区在该基部井区的表面部,掺杂有该第一导电型掺质。源极区与漏极区在该基部井区的该表面部,位于该栅极区的两侧,掺杂有该第二导电型掺质。隔离结构在该基部井区的该表面部,隔离该栅极区。该栅极区包含往该漏极区延伸的一凸出部,该凸出部在该隔离结构下,该凸出部的深度比该栅极区的其他区域浅。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210544601.3在审
  • 陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-05-19 - 2023-07-18 - H01L21/762
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中该半导体结构包括:基板,具有第一导电类型;第一半导体层,在基板上并具有第二导电类型,第二导电类型不同于第一导电类型;第二半导体层,在第一半导体层上并具有第一导电类型;埋置层,在第二半导体层上并具有第二导电类型;外延层,在埋置层上并具有第二导电类型;以及深沟槽隔离结构,从外延层的顶表面往下延伸穿过外延层、埋置层、第二半导体层以及第一半导体层,并延伸至基板之中。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]一种屏幕用贴膜-CN202220741788.1有效
  • 何世友;孔令辉;陈柏安 - 深圳市倍思科技有限公司
  • 2022-03-31 - 2023-07-18 - B29C63/02
  • 本实用新型提供了一种屏幕用贴膜,包括粘尘件、屏幕保护膜以及可折叠的膜载体。膜载体包括依次首尾相连以形成可折叠结构的第一载体层、至少两个连接层以及第二载体层。屏幕保护膜粘附于第一载体层背离连接层的表面。粘尘件固定于第二载体层背离连接层的表面。粘尘件上设有用于保护粘尘件的粘尘件保护膜。连接层位于屏幕保护膜以及粘尘件之间,用于通过拉动连接层,使粘尘件和待贴膜设备分离的同时,第一载体层与屏幕保护膜分离,从而使屏幕保护膜粘附于待贴膜设备。与现有技术相比,本实用新型提供的一种屏幕用贴膜,具有不易进灰尘、除尘和贴合同步进行、操作方便的优点。
  • 一种屏幕用贴膜
  • [实用新型]一种屏幕用贴膜-CN202220747503.5有效
  • 何世友;孔令辉;陈柏安 - 深圳市倍思科技有限公司
  • 2022-03-31 - 2023-07-18 - B29C63/02
  • 本实用新型提供了一种屏幕用贴膜,包括第一除尘层、第二除尘层、屏幕保护膜以及至少两个膜层。至少两个膜层、第一除尘层以及第二除尘层依次首尾相连,形成可折叠结构。屏幕保护膜粘附于位于顶层的膜层。第一除尘层和第二除尘层之间相对的表面为非粘性表面,第二除尘层背离第一除尘层的表面为粘性表面。与现有技术相比,本实用新型提供的一种屏幕用贴膜,具有结构简单、贴膜方便、贴膜除尘同步进行的优点。
  • 一种屏幕用贴膜
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110422809.3有效
  • 陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-04-19 - 2023-07-07 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该方法包含:在基板上依序形成外延层及半导体层。在半导体层上形成图案化硬遮罩层。使用图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩,并刻蚀半导体层及外延层,以使外延层具有凹槽。移除图案化硬遮罩层。形成第一电极介电层于凹槽的侧壁及底面上且于半导体层上,以使第一电极介电层具有沟槽。形成第一电极于沟槽中。形成一对第二电极于第一电极上,以使该对第二电极沿着水平方向彼此对应地设置。形成第三电极于该对第二电极上。
  • 半导体结构及其形成方法

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