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[发明专利]双频低噪声放大电路-CN202310349515.1在审
发明人：刘飞飞;任健;郝俊祥;戴剑;崔亮;王磊;宋学峰;杨琦;陈南庭;王海龙;杨楠;曾雁声;冯晗琛;成立鑫;张忠山;杨旭达;吴浩洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端与第二放大支路的输出端作为双频低噪声放大电路的输出端；第一放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第一工作频段的信号，并对第一工作频段的信号进行放大处理；第二放大支路，用于对输入信号进行滤波，得到第二工作频段的信号，并对第二工作频段的信号进行放大处理；第一工作频段和第二工作频段互不重叠。本发明能够降低噪声系数并减小芯片面积。
双频噪声放大电路

[发明专利]电流复用低噪声放大器及集成电路-CN202310224502.1在审
发明人：杨楠;刘飞飞;戴剑;崔亮;王磊;宋学峰;杨琦;陈南庭;王凯;王海龙;任健;俊祥;曾雁声;晗琛;成立鑫;张忠山 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。
电流低噪声放大器集成电路

[发明专利]单刀双掷微波开关-CN202310249449.0在审
发明人：戴剑;王磊;李士卿;崔亮;陈南庭;宋学峰;侯伦;刘方罡;刘海峰;郭丰强;武世英;申靖轩;范仁钰;傅琦;刘乐乐;高显;苏辰飞;梁家铖 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；第一晶体管的第一端连接输入端口，第一晶体管的第二端连接第一输出端口，第一晶体管的栅极连接第一控制端口；第二晶体管的第一端连接输入端口，第二晶体管的第二端连接第二输出端口，第二晶体管的栅极连接第二控制端口；第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间，第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。本申请提供的单刀双掷微波开关具有低插入损耗，降低了射频信号的损耗。
单刀微波开关

[发明专利]W波段混频器-CN202310145574.7在审
发明人：梁家铖;戴剑;王磊;侯伦;崔亮;陈南庭;苏辰飞;傅琦;高显;范仁钰;刘方罡;郭丰强;刘乐乐 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应晶体管的栅极，第一电桥的耦合端连接第二场效应晶体管的栅极；第一场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的直通端和第三电桥的耦合端，第二场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的耦合端和第三电桥的直通端；第二电桥的输入端作为混频器的射频端；第三电桥的输入端作为混频器的中频端。本申请提供的W波段混频器有效降低了损耗，提高了本振射频隔离度，可以应用于复杂电磁环境中。
波段混频器

[发明专利]一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法-CN202310175294.0在审
发明人：陈然;刘帅;赵瑞华;戴剑;崔亮;梁廷敬;宋学峰;王凯;陈南庭;王海龙;杨琦;成立鑫;王晟;王飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配，其中，等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路，实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响，又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。
一种 gan 射频前端电路 tr 组件及其制备方法

[发明专利]微波功率开关电路、装置及控制方法-CN202210278146.7在审
发明人：郝俊祥;刘飞飞;卜爱民;王磊;陈南庭;刘帅;戴剑;王凯;冯涛;郭丰强;韩玉鹏;傅琦;宋作奇;苏晓晨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块；开关模块和射频输出端口一一对应；开关模块包括第一开关支路；第一开关支路包括第一开关管、第二开关管和吸收负载；在同一第一开关支路中，第一开关管与吸收负载串联连接，第二开关管与吸收负载并联连接；当微波功率开关电路工作时，同一开关模块中的第一开关管的开关状态和第二开关管的开关状态相反，以使该开关模块对应的射频输出端口与射频输入端口之间处于导通状态或隔离状态。本发明可以使微波功率开关电路的插损降低，并提高其隔离度。
微波功率开关电路装置控制方法

[发明专利]一种射频前端芯片结构-CN201911397251.7有效
发明人：杨琦;刘帅;白银超;要志宏;王磊;李丰;王凯;崔亮;郭丰强;王海龙;杨楠;陈南庭;杜晨浩;刘星 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。
一种射频前端芯片结构

[实用新型]单片可重构砷化镓低噪声放大器-CN201922355120.4有效
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器

[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法-CN201911352260.4在审
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管-CN201410427708.5有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、背势垒层、氮化镓、势垒层以及绝缘介质层组成，在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在绝缘介质层上形成有栅极，栅极与绝缘介质层形成肖特基接触。本发明通过在栅极正下方沟道区域引入极化强度大于势垒层的背势垒层，使背势垒层和势垒层的极化强度相抵消，起到耗尽栅下沟道的二维电子气的效果，从而实现增强型工作状态。
一种氮化增强型异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201410427468.9有效
发明人：杜江锋;陈南庭;潘沛霖;刘东;白智元;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，在器件表面有淀积一层钝化层，并且在钝化层中引入电偶极层以调制沟道电场的分布。本发明通过在钝化层中间引入电偶极层以改变沟道电场的分布，提高器件的耐压能力，同时避免增加器件寄生电容。此外，电偶极层的引入能有效的屏蔽势垒层表面束缚电荷，减小栅延迟和电流崩塌效应。
一种具有电偶极层结构氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管-CN201410433662.8有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源极和漏极与铝铟氮镓势垒层形成欧姆接触，所述栅极与栅介质层形成肖特基接触，所述埋栅介质层和埋栅均位于铝铟镓氮缓冲层中，且所述埋栅位于埋栅介质层中。通过埋栅单独偏置，且根据埋栅的不同偏置，实现调控器件的阈值电压；当埋栅处于负偏压时，埋栅耗尽氮化镓沟道层的二维电子气，使器件实现增强型工作；当埋栅处于零偏压或正偏压时，氮化镓沟道层中存在二维电子气，使器件实现耗尽型工作。
具有结构氮化增强耗尽型异质结场效应晶体管

[发明专利]大功率LED模组-CN201310572912.1有效
发明人：王向展;邹淅;黄建国;赵迪;陈南庭;欧文;张衡明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中，由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题，提供了一种大功率LED模组，其技术方案可概括为大功率LED模组，包括散热基板及多个发光芯片，每个发光芯片都设置于散热基板上，所述多个相同的发光芯片按照内疏外密的排列方式设置在散热基板上。本发明的有益效果是，具有更好的温度均匀性和更好的散热效果，适用于大功率LED模组。
大功率 led 模组

[发明专利]一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201410433616.8有效
发明人：杜江锋;刘东;陈南庭;潘沛霖;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p‑GaN电流阻挡层、n‑GaN缓冲层、n+‑GaN衬底、漏极；所述p‑GaN电流阻挡层中心设有宽度为LAP的孔径，且嵌套在n‑GaN缓冲层上部，所述n‑GaN缓冲层内设有p‑GaN岛，所述p‑GaN岛位于p‑GaN电流阻挡层与n+‑GaN衬底之间。本发明所提出的GaN PI‑VHFET中，通过使用p‑GaN岛层，在n‑GaN缓冲层内引入额外的p型杂质，截止状态下耗尽n‑GaN缓冲层区域，使得缓冲层在耐压时相当于本征区，因此可以抑制常规GaN VHFET中，垂直电场强度随着远离p‑GaN电流阻挡层与n‑GaN缓冲层界面不断减小的问题，从而提升器件的击穿电压。同时，截止状态下漏极泄漏电流也将有所降低。
一种具有 gan 垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管-CN201410454173.0有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为与现有的GaN MIS‑HFET器件相比，本发明的具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管在其铝铟镓氮缓冲层及沟道层之间具有氮化铝背势垒层，且沟道层为复合沟道层。本发明的有益效果是，提高了可靠性，且可重复性高，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。
具有复合沟道氮化增强型异质结场效应晶体管

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