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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法-CN202210854892.6在审
  • 陈伟梵;蔡国基 - 力拓半导体股份有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法。所述碳化硅(SiC)半导体功率晶体管，包括由SiC制成的衬底、衬底平面上的漂移层、漂移层中的多个井区、井区内的多个源极区、漂移层上的多个栅极、漂移层和每个栅极之间的栅极绝缘层，以及漂移层中的多个井拾取区(well pick‑upregions)。漂移层中形成有多个V形槽，且每个V形槽的底部和侧壁被每个井区包围。每个V形槽的底部与每个源极区直接接触。栅极位于V形槽之间，并延伸至其两侧的V形槽的侧壁。井拾取区位于每个V形槽的底部下方，且每个井拾取区穿过源极区并与井区接触。
  • 碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法
  • [发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及制造其的方法-CN202210714181.9在审
  • 陈伟梵;蔡国基 - 力拓半导体股份有限公司
  • 2022-06-22 - 2023-10-24 - H01L29/78
  • 本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管和制造其的方法。本发明的碳化硅半导体功率晶体管包括由碳化硅(SiC)制成的衬底、设置在衬底上的漂移层，形成在漂移层上的栅极层、设置在漂移层中的多个第一井拾取区及多个第二井拾取区、多个源极电极以及多个接触件。多个V形槽形成在漂移层中。在各V形槽的底部处的栅极层中形成第一开口，在V形槽之间的漂移层的顶部处的栅极层中形成第二开口。多个接触件设置在第二开口内，以直接接触第二井拾取区。本发明提供优良的开关能量损失效能和开关可靠性。
  • 碳化硅半导体功率晶体管制造方法
  • [发明专利]串叠结构及电子装置-CN202311029133.7在审
  • 纪杰;陈伟梵;蔡国基 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-08-16 - 2023-09-15 - H03K19/003
  • 本申请提供串叠结构及电子装置，涉及半导体的技术领域。该串叠结构包括第一器件、第二器件和保护器件；第一器件的第二端电连接第二器件的第一端，第一器件的控制端电连接第二器件的第二端；第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端；保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个，第一保护三极管的第一端电连接于第一器件的第二端，第一保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端；第二保护三极管的第一端电连接于第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端。本申请能够解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。
  • 结构电子装置
  • [发明专利]宽带隙半导体器件与其制造方法-CN202210741958.0在审
  • 陈伟梵;蔡国基 - 力拓半导体股份有限公司
  • 2022-06-27 - 2023-08-25 - H01L29/872
  • 本发明提供一种宽带隙半导体器件与其制造方法。所述宽带隙半导体器件包括衬底、外延层、合并PN结肖特基(merged PN junction Schottky，MPS)二极管阵列以及围绕MPS二极管阵列的边缘终端区。外延层具有第一平面、第二平面以及位于第一平面与第二平面之间的数个沟槽。MPS二极管阵列形成于外延层的第一平面中。边缘终端区包括浮动环区以及过渡区。浮动环区具有形成于外延层的第二平面中的浮动环。过渡区位于浮动环区与MPS二极管阵列间。过渡区包括一PIN二极管，而所述PIN二极管形成于数个沟槽中以及沟槽之间的外延层上。
  • 宽带半导体器件与其制造方法
  • [发明专利]二极管及其制备方法、电子装置-CN202310206434.6有效
  • 陈伟梵 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-03-07 - 2023-06-16 - H01L29/06
  • 本申请提供二极管及其制备方法、电子装置，涉及半导体的领域。该二极管包括阴极层、外延层、金属层和阳极层；外延层接触阴极层，外延层远离阴极层的表面设置有相接触的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部的远离阴极层的表面接触阳极层；第二掺杂部远离外延层的表面接触金属层，金属层远离阴极层的表面接触阳极层；第二掺杂部和金属层构成控制结构，控制结构配置为：阳极层通入正向电流时，控制结构处于导通状态，以使正向电流依次通过第一掺杂部、第二掺杂部和外延层流动至阴极层。本申请能够解决二极管正向导通所需的导通电压大的问题。
  • 二极管及其制备方法电子装置
  • [发明专利]晶体管及其制备方法、电子装置-CN202310244053.7有效
  • 陈伟梵 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-03-15 - 2023-06-06 - H01L29/06
  • 本申请提供一种晶体管及其制备方法、电子装置，晶体管包括沿第一方向层叠设置的漏极层和外延层，以及设置于外延层远离漏极层表面的源极和栅极；外延层设置有沿第二方向依次连接的第一掺杂部、第二掺杂部、控制结构和第三掺杂部；第一掺杂部电连接于源极，第三掺杂部远离控制结构的一端通过外延层电连接漏极层；控制结构电连接栅极，控制结构配置为：源极通入电流，且栅极处于导通状态时，控制结构处于导通状态，以使电流依次通过第一掺杂部、第二掺杂部、控制结构、第三掺杂部和外延层流动至漏极层。本申请能够解决晶体管的沟槽迁移率低，晶体管的性能差的问题。
  • 晶体管及其制备方法电子装置
  • [发明专利]瞬态电压抑制器-CN201410128521.5有效
  • 陈伟梵 - 南亚科技股份有限公司
  • 2014-04-01 - 2019-02-22 - H02H9/04
  • 本发明提供一种瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器包含N个第一晶体管和N个半导体单元。所述N个第一晶体管分别耦接在参考接地与N个衬垫之间，且所述N个晶体管是由参考电源线上的电压控制。所述N个半导体单元分别耦接在所述参考接地与所述N个衬垫之间，或分别耦接在所述参考电源线与所述N个衬垫之间。N为正整数。
  • 瞬态电压抑制器
  • [实用新型]一种高压晶体管结构-CN201620230415.2有效
  • 陈伟梵;张明伦 - 昆山永续智财技术服务有限公司
  • 2016-03-23 - 2016-12-07 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种高压晶体管结构，包括一颗Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本实用新型在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之前，启动了双向高压导通保护二极管保护机制，将额外电流导出，进而保护了Cool MOS晶体管，可解决硅材料作成Cool MOS晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。
  • 一种高压晶体管结构
  • [发明专利]一种高压晶体管结构-CN201610171219.7在审
  • 陈伟梵;张明伦 - 昆山永续智财技术服务有限公司
  • 2016-03-23 - 2016-06-01 - H01L25/07
  • 本发明公开了一种高压晶体管结构，包括一颗硅材料作成的Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之前，启动了双向高压导通保护二极管保护机制，将额外电流导出，进而保护了Cool MOS晶体管，可解决硅材料作成Cool MOS晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。
  • 一种高压晶体管结构
  • [发明专利]一种高电子迁移率晶体管结构-CN201610171256.8在审
  • 陈伟梵;张明伦 - 昆山永续智财技术服务有限公司
  • 2016-03-23 - 2016-05-25 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构，包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管，及一颗双向高压导通保护二极管；所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之前，启动了双向高压导通保护二极管保护机制，将额外电流导出，进而保护了氮化镓晶体管，可解决氮化镓晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。
  • 一种电子迁移率晶体管结构
  • [发明专利]静电放电保护装置及电路-CN201210371351.4有效
  • 陈伟梵 - 南亚科技股份有限公司
  • 2012-09-28 - 2013-12-04 - H02H9/04
  • 本发明公开静电放电保护装置及电路，包括一P型基板；一N型阱区形成于P型基板上；至少一P型掺杂区形成于N型阱区上，其中该至少一P型掺杂区与一受保护的电路的一输入/输出端电性连接；一第一N型掺杂区，形成于P型基板上，其中该第一N型掺杂区与一第一节点电性连接，且该至少一P型掺杂区、该N型阱区、该P型基板、以及该第一N型掺杂区构成一硅控整流器。以及一第二N型掺杂区，形成于该N型阱区上并与一第二节点电性连接，其中部分该至少一P型掺杂区以及该第二N型掺杂区形成一放电路径，当一静电放电事件发生于该输入/输出端时，该硅控整流器与该放电路径将静电电荷分别旁路至该第一节点与该第二节点。
  • 静电放电保护装置电路
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