专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型一体化污水处理装置-CN202321110831.5有效
  • 陈代高 - 四川宜康环保科技有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-19 - C02F9/00
  • 本实用新型公开了一种新型一体化污水处理装置,包括进水管,所述进水管安装在格栅池一侧,所述格栅池另一侧安装有厌氧池,所述兼氧池内侧底部安装有回流管,所述兼氧池与设备间连接,所述设备间与滴滤生化池一侧连接,所述滴滤生化池顶部设置有湿地植物种植槽,所述滴滤生化池另一侧安装有清水池,所述滴滤生化池通过管道与清水池连接,所述清水池外侧固定有消毒池,所述水池通过管道与消毒池连接。该新型一体化污水处理装置,将厌氧池、兼氧池、设备间、滴滤生化池集成为一体化池,节约空间,并方便在工厂成套制造,容易运输,占地省,能耗低,运行方式灵活,特别适合小型、分散处置的污水处理设备,及与之类似的工业有机污水处理。
  • 一种新型一体化污水处理装置
  • [发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法-CN202111633446.4有效
  • 胡晓;陈代高;张宇光;王磊;肖希 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-08-08 - H01L31/107
  • 提供了雪崩光电探测器及其制备方法。探测器包括:衬底,其表面包括第一半导体层;位于衬底上的第二半导体层;和光波导。第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一P型、第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区、第二本征区、第二N型和第一N型掺杂区,第一至第三P型掺杂区、第一至第三N型掺杂区浓度均依次递减;第二P型紧邻第一P型掺杂区的部分区域的第一高度低于其他区域的第二高度以形成槽,光波导位于该槽中且布置成大体沿第二方向延伸且与第二方向成预设夹角,第二半导体层依次覆盖部分第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区和第三P型掺杂区;第一N型、第三P型、第一N型掺杂区均连接有电极。
  • 雪崩光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法-CN202111643459.X有效
  • 胡晓;陈代高;张宇光;王磊;肖希 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-08-04 - H01L31/107
  • 提供了雪崩光电探测器及制备方法。探测器包括:衬底,其表面包括第一半导体层;衬底上的第二半导体层,第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一、第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区、第二本征区、第二N型和第一N型掺杂区,第一至第三P型以及第一至第三N型掺杂区的浓度均依次递减,第一本征区、第三N型掺杂区、紧邻第三N型的第二P型掺杂区的部分、紧邻第一本征区的第三P型掺杂区的部分在垂直方向上具有的第一高度H1不等于该层其他区域具有的第二高度H2;第二半导体层沿第一方向依次覆盖第二P型掺杂区的H2的部分、第二P型掺杂区的H1、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区的H1和第三P型掺杂区的H2的部分。
  • 雪崩光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]耦合器-CN202111623682.8有效
  • 刘敏;陈代高;肖希;王磊 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2021-12-28 - 2023-08-04 - G02B6/14
  • 公开了一种耦合器,包括第一波导、模式转换结构和覆盖层。其中,模式转换结构沿波导方向依次包括1至m阶耦合区,第i阶耦合区包括中间功能层和对称地位于中间功能层两侧的i对功能层;中间功能层中包括i+1个等间距的基本耦合单元,i对功能层中的任一个功能层中的基本耦合单元的数量沿远离中间功能层的方向依次递减1,第m阶耦合区包括中间功能层和位于中间功能层两侧的m对或m‑1对功能层,m对或m‑1对功能层中的任一个功能层中的基本耦合单元的数量沿远离中间功能层的方向依次递减1,第i阶中的基本耦合单元以穿插的方式与下一阶中的基本耦合单元进行耦合,基本耦合单元为纳米级至微米级尺寸。i和m均为正整数,且1≤i≤m‑1,m大于或等于3。
  • 耦合器
  • [发明专利]光放大器-CN202310168394.0在审
  • 周佩奇;陈代高;肖希 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-06-23 - G02B6/12
  • 本公开实施例公开了一种光放大器,包括:衬底;波导,位于所述衬底上;所述波导包括:输入部分、放大部分、转向部分及输出部分;其中,所述输入部分用于接收光信号,所述转向部分用于将从所述放大部分输出的光信号重新反射回所述放大部分,使得所述光信号在所述放大部分中多次重复传输;增益层,覆盖所述波导的放大部分,用于将所述放大部分中的光信号进行放大;所述输出部分用于输出放大后的光信号。
  • 放大器
  • [发明专利]调制器-CN202310003060.8在审
  • 刘阳;肖希;王磊;陈代高;胡晓 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-06-09 - G02F1/035
  • 本公开实施例公开了一种调制器。所述调制器包括:第一光波导,沿第一方向延伸,用于传输第一光信号;第一电极,位于所述第一光波导之上,且位于所述第一光波导的第一侧,包括:N个第一子电极;其中,相邻的两个第一子电极之间间隔设置,N为大于或等于2的正整数;第二电极,位于所述第一光波导之上,且位于所述第一光波导的第二侧,包括:N个第二子电极;其中,相邻的两个子电极之间间隔设置;所述第二侧与所述第一侧相对设置。
  • 调制器
  • [发明专利]光电探测器-CN202111530137.4有效
  • 陈代高;肖希;王磊;刘敏;周佩奇;胡晓;张宇光;余少华 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2021-12-14 - 2023-06-02 - H01L31/105
  • 本发明实施例提供的光电探测器,包括:平板结构、波导结构、限光结构、吸收结构、第一电极结构及第二电极结构;其中,所述波导结构延伸至所述限光结构中,且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的外侧壁中第二侧壁所在的第二边相切;所述波导结构用于将入射光以与所述第二边相切的方向导入所述限光结构中;通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输,并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中;所述第一电极结构位于所述限光结构内;所述第一电极结构、第二电极结构用于收集沿所述吸收结构及所述限光结构传输的电子或空穴;所述第一电极结构与第二电极结构收集的载流子的类型不同。
  • 光电探测器
  • [发明专利]光接收芯片-CN202011384020.5有效
  • 陈代高;肖希;王磊;刘敏;胡晓;张宇光;余少华 - 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
  • 2020-11-30 - 2023-06-02 - G02B6/126
  • 本申请提供一种光接收芯片,包括输入耦合单元、偏振旋转单元、光电探测单元、第一传输波导、以及第二传输波导,光信号具有输入TE偏振光和/或输入TM偏振光;偏振旋转单元能够将输入TE偏振光旋转90度转换成输出TM偏振光、且能够将输入TM偏振光旋转90度转换成输出TE偏振光;第一传输波导用于将输入TE偏振光和/或输入TM偏振光从输入耦合单元传输至偏振旋转单元;第二传输波导用于将输出TE偏振光和/或输出TM偏振光从偏振旋转单元传输至光电探测单元;第一传输波导的总长度与第二传输波导的总长度相等,本申请提供的光接收芯片能够实现偏振无关光信号接收。
  • 接收芯片

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