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[发明专利]用于提高外延片波长均匀性的石墨基板-CN202110739044.6有效
发明人：葛永晖;梅劲;肖云飞;陆香花;陈张笑雄;艾海平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板包括多个子基板和连接轴，所述多个子基板呈环形间隔连接在所述连接轴的外周壁上，且所述多个子基板呈涡轮扇叶状布置，每个所述子基板的上表面均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，所述多个子基板上的多个凹槽呈多圈环形布置。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。
用于提高外延波长均匀石墨

[发明专利]提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法-CN202111442421.6有效
发明人：陈张笑雄;卢云霞;葛永晖;贾胜敏;陆香花;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在非掺杂GaN层与n型GaN层之间增加低温InAlGaN/InGaN/GaN超晶格优化层，以较低的温度生长，N空隙在较低的温度下较难形成，减少N空隙生成，超晶格优化层中所携带的In原子可以与N空隙提前反应，减小N空隙延伸至多量子阱层中形成光子湮灭点的可能，提高发光二极管外延片的内量子效率。超晶格优化层中GaN过渡层掺杂有Si，可以促进电子的增加与流动，配合InAlGaN过渡层的势垒，可以使得电子更均匀进入InGaN/GaN多量子阱层中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。
提高量子效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]改善晶格失配的发光二极管及其制备方法-CN202310573184.X在审
发明人：王绘凝;栗伟;冯岩;王顺;陆香花;梅劲;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善晶格失配的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延叠层，所述外延叠层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面具有露出所述多量子阱层的至少两个第一凹槽，所述至少两个第一凹槽中的每个内填充有透明绝缘材料。本公开实施例能改善多量子阱层之间存在晶格失配的问题，提升外延叠层的晶体质量。
改善晶格失配发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有复合基板的衬底、半导体器件及衬底的制备方法-CN202310378430.6在审
发明人：葛永晖;肖云飞;陆香花;张奕;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本公开公开了一种具有复合基板的衬底、半导体器件及衬底的制备方法，属于半导体技术领域。该衬底包括复合基板；复合基板包括基板主体和ZnO层，ZnO层位于基板主体的一面。本公开能够有效的解决晶格失配的问题。
具有复合衬底半导体器件制备方法

[发明专利]改善光效的发光二极管及其制备方法-CN202310284715.3在审
发明人：洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层包括u型AlGaN层，所述第二子层和所述第四子层包括GaN层，所述第三子层包括n型GaN层。本公开实施例能改善有源层中量子垒层的制备质量，提升发光二极管的发光效率。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法-CN202310162054.7在审
发明人：洪威威;陆香花;梅劲;肖云飞 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种外延结构及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延结构包括衬底、硅原子阻挡层和外延层，所述硅原子阻挡层和所述外延层依次层叠在所述衬底上，所述硅原子阻挡层用于阻挡所述衬底中的硅原子向所述外延层扩散。本公开实施例能改善硅原子容易从衬底扩散至外延层的问题，提升外延层的晶体质量。
外延结构及其制备方法

[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202310250994.1在审
发明人：洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括n型层和p型层，以及设置在所述n型层和所述p型层之间的有源层，所述有源层包括依次层叠在所述n型层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层均包括层叠的量子阱层和量子垒层；所述第一有源层的量子阱层的厚度小于所述第二有源层的量子阱层的厚度，所述第二有源层的量子阱层的厚度小于所述第三有源层的量子阱层的厚度。本公开实施例能改善发光二极管的内量子效率，提升发光二极管的发光效果。
改善量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法-CN202210274355.4有效
发明人：陈张笑雄;茅艳琳;陆香花;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法，属于外延生长技术领域。使外延托盘呈柱状且包括同轴相连的衬底放置柱与直径小于衬底放置柱的支撑柱。衬底放置柱的侧壁具有多个沿衬底放置柱的周向等距离间隔分布的缓冲凹槽，每个缓冲凹槽在第一表面所在平面上的投影均包括气流过渡弧线与气流缓冲弧线，气流过渡弧线的半径与弧长分别小于气流缓冲弧线的半径与弧长，气流缓冲弧线的半径小于衬底放置柱的弧长。配合支撑柱的侧壁的多个导向斜槽。导出大量携带有副产物和未反应完成的前驱体反应物的气流。反应腔边缘的副产物沉积的情况的缓解以及乱流的减少，均可提高反应腔内流场的稳定性。
提高反应腔流场稳定性外延托盘使用方法

[发明专利]改善发光效率的发光二极管及其制备方法-CN202211448280.3在审
发明人：肖云飞;贾胜敏;陆香花;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长n型层；在所述n型层上交替生长多个量子阱层和多个量子垒层，形成发光层；在所述发光层上生长p型层；其中，所述量子阱层采用以下方式形成：形成第一InGaN层；向反应腔通入氢气，在所述第一InGaN层上形成第二InGaN层；停止通入氢气，在所述第二InGaN层上形成第三InGaN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。
改善发光效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法-CN202211095304.1在审
发明人：尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。
提升发光效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210487263.4在审
发明人：贾胜敏;陈张笑雄;李宁;葛永晖;陆香花;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上的p型接触层包括依次层叠的第一铝镓氮层、第二铝镓氮层、第三铝铟镓氮层、第四铝铟镓氮层与第五铟镓氮层，厚度较大且存在几次势垒变化的p型接触层避免电流出现击穿的情况。降低二级管的工作电压，降低能耗。也可使载流子更均匀分布P电极区，大大降低因载流子分布不均匀导致的抗静电能力差，提高发光二极管发光器件的可靠性。而第一铝镓氮层、第二铝镓氮层、第三铝铟镓氮层、第四铝铟镓氮层与第五铟镓氮层中Mg的掺杂浓度依次上升，起到的降低电阻、降低工作电压并降低电流击穿概率的可能，提高发光二极管的可靠性。
提高量子效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件-CN202210708221.9在审
发明人：葛永晖;陈张笑雄;肖云飞;陆香花;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。
hemt 外延及其制备方法器件

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202210806496.6在审
发明人：尚玉平;张奕;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层以及P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，至少一个所述阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺Si的InGaN层，所述第二子层为掺C的InGaN层，第三子层为掺Mg和Si的InGaN层。采用本公开能够提高发光二极管外延片的发光一致性以及发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法-CN202210770975.7在审
发明人：肖云飞;陆香花;葛永晖;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的n型层、发光层和p型层；发光层包括多个InGaN量子阱层、多个n型GaN量子垒层和一个复合量子垒层，多个InGaN量子阱层和多个n型GaN量子垒层交替层叠，复合量子垒层位于最靠近p型层的InGaN量子阱层上，复合量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层均为GaN层，第二子层为AlN层，第三子层为AlxGa1‑xN层，0.02≤x≤0.08，第四子层为InN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。
提升发光效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提高平整度的HEMT外延片制备方法及外延片-CN202210599612.1在审
发明人：葛永晖;陈张笑雄;梅劲;肖云飞;陆香花;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高平整度的HEMT外延片制备方法及外延片，属于半导体器件技术领域。复合过渡层包括依次生长的InN成核层与AlInGaN过渡层。InN成核层与硅衬底的成核层具有更小的晶格失配和热失配，可以降低因晶格失配而产生的位错。以温度较低的第一温度进行第一阶段的生长，并得到InN岛状层。较低的第一温度得到的InN岛状层的表面较为粗糙，使位错湮灭。再升温到第二温度在InN岛状层上沉积InN材料以形成InN成核层，使表面平整，升温提升InN成核层的晶体质量，缺陷的减少与晶体质量的提高均有利于提高复合过渡层的表面平整度，提高得到的HEMT外延片的表面平整度。
提高平整 hemt 外延制备方法

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