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[发明专利]用于三维存储器件的存储器开口和接触开口的同时形成-CN201880072574.6有效
发明人： J·凯;崔志欣;M·查德赫里;J·阿尔斯梅尔;T·张;武贺光辉;雄戸井寿和;山口健介 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：多个叠层结构被堆叠在衬底上方。每个叠层结构包括绝缘层与牺牲材料层的交替堆叠以及覆盖在该交替堆叠上的反台阶介电材料部分。在形成每个叠层结构期间同时形成多种类型的开口。穿过每个叠层结构同时形成的开口可以包括至少两种类型的开口，这些开口可以选自穿层存储器开口、穿层支撑开口和穿层阶梯区开口。每个穿层开口均填充有各自的穿层牺牲开口填充结构。可以分阶段去除穿层牺牲开口填充结构的堆叠以形成各种器件部件，这些器件部件包括存储器堆叠结构、支撑柱结构和阶梯区接触通孔结构。牺牲材料层被导电层代替，该导电层通过环形绝缘间隔物与阶梯区接触通孔结构横向电隔离。
用于三维存储器件存储器开口接触同时形成

[发明专利]用于人工神经网络的差分非易失性存储器单元-CN201910531149.5有效
发明人： P·F·邱;W·H·崔;马雯;M·卢克博登 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明题为“用于人工神经网络的差分非易失性存储器单元”。非易失性存储器阵列架构用于实现神经网络(BNN)的用途允许在所述存储器阵列内执行矩阵乘法和累加。用于存储神经网络的权重的单位突触由两个单独存储器单元的差分存储器单元形成，诸如具有可编程电阻的存储器单元，每个存储器单元连接在字线对中的对应一者与共享位线之间。将输入作为具有电压值的模式施加在连接到所述单位突触的字线对上，以通过确定所述共享位线上的电压电平来执行所述输入与所述权重的乘法。此类乘法的结果由感测放大器来确定，且所述结果由累积电路进行累加。
用于人工神经网络非易失性存储器单元

[发明专利]具有用于快速编程的已连接字线的存储器设备-CN201980005980.5有效
发明人： X·杨;H-Y·曾;D·杜塔 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2019-02-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了用于存储器单元的快速编程和读取操作的装置和技术。在编程和读取操作期间，用公共电压信号驱动包括选定字线和一个或多个相邻字线的一组字线。所述字线可永久性地彼此连接或通过开关连接。在另一种方法中，所述字线由公共电压信号单独驱动。在一组块中，存储器单元的一个块可设置有已连接字线，以提供相对高访问速度，而存储器单元的另一个块具有已断开的字线，以提供更高存储密度。在另一方面，字线的存储器单元被分成多个部分，并且最靠近行解码器的部分被保留，以实现高访问速度与低存储密度。
具有用于快速编程连接存储器设备

[发明专利]用于磁阻随机存取存储器的复合自由层-CN201880061542.6有效
发明人： Y-S·崔 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了用于磁阻随机存取存储器的装置、系统和方法。用于存储数据的磁隧道结(350)包括固定层(412)、势垒层(410)和复合自由层(400)。势垒层(410)为设置在固定层(412)和复合自由层(400)之间的OS。复合自由层(400)包括铁磁性非晶形层(406)和平面内各向异性自由层(408)。自旋霍尔效应(SHE)层(402)可耦接到磁隧道结(350)的复合自由层(400)。SHE层(402)可被配置为使得SHE层(402)内的平面内电流在复合自由层(400)中产生自旋电流。
用于磁阻随机存取存储器复合自由

[发明专利]用于位扫描的装置和方法-CN201980005873.2有效
发明人：林磊;Z·李;H·陈;C·苏 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/40 文献下载
摘要：提供了一种装置，该装置包括多个存储器单元；编程电路，该编程电路被配置为将多个编程脉冲施加到该存储器单元；以及扫描电路，该扫描电路被配置为在每个编程脉冲之后执行n状态位扫描直到满足第一预先确定的标准与在每个编程脉冲之后执行m状态位扫描直到满足第二预先确定的标准之间重复切换，其中mn，并且n0。
用于扫描装置方法

[发明专利]非易失性存储器中的交错编程和验证-CN201980005979.2有效
发明人： X·杨;H-Y·曾;D·杜塔 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路，该电路包括编程控制器，该编程控制器被配置为利用交错编程‑验证回路来执行编程操作以对相同块中的存储器单元进行编程。在每个编程‑验证回路期间，控制栅极线电压供电电路首先向块的第一单元提供编程脉冲，然后在验证第一单元之前，向块的第二单元提供编程脉冲。在发送编程脉冲之后，控制栅极线供电电路连续地向第一单元和第二单元提供验证脉冲，使得在第一单元和第二单元的相应编程阶段和验证阶段之间引入延迟。另外，在连续验证阶段期间施加第一存储器单元和第二存储器单元的公共控制栅极线上的恒定电压偏置。此外，可在验证阶段期间以颠倒顺序施加验证脉冲的顺序。
非易失性存储器中的交错编程验证

[发明专利]三维平坦反型NAND存储器设备及其制造方法-CN201880070737.7有效
发明人： Y·董;Y·陈;J·凯 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一种三维存储器设备，包括：绝缘条带和导电条带的交替堆叠，其通过线沟槽彼此横向间隔开；以及位于线沟槽中的存储器堆叠结构的二维阵列和电介质柱结构的二维阵列。每个线沟槽填充有存储器堆叠结构和电介质柱结构的横向交替序列。每个存储器堆叠结构含有竖直半导体沟道、与竖直半导体沟道的外侧壁接触的一对阻挡电介质、与该一对阻挡电介质的外侧壁接触的一对电荷存储层，以及与该一对电荷存储层的外侧壁接触的一对隧穿电介质。
三维平坦 nand 存储器设备及其制造方法

[发明专利]包含贯穿存储器层级接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法-CN201880070866.6有效
发明人：崔志欣;K·萨卡基巴拉;T·库伯;M·木西加;杉浦健治;H·奥托一;S·伊诺尔;Y·福库达 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请公开一种接触通孔结构，其在具有阶梯表面的楼梯区中竖直地延伸穿过绝缘层和导电层的交替堆叠。除了直接处于阶梯表面的水平界面下面的导电层，该接触通孔结构与交替堆叠的每个导电层电隔离。该接触通孔结构的横向突出部分接触导电层的环形顶表面。电隔离可以通过包括在绝缘层的层级处横向突出环形肋区的肋状绝缘间隔物提供，或者可以通过定位在导电层的层级处的环形绝缘间隔物提供。该接触通孔结构可以接触处于衬底上面的下面的金属互连结构的顶表面，以提供导电路径。
包含贯穿存储器层级接触结构三维器件及其制造方法

[发明专利]模块化时尚配饰-CN202310506043.6在审
发明人： E·塔兰卡茨;Y·巴尔;G·H·李;K·N·斯文;J·G·塔克 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A45F5/00 文献下载
摘要：本申请公开了模块化时尚配饰，并且涉及一种特定装置，包括：第一电子部件(220)；第二电子部件(260)；以及连接元件(280)，连接元件可拆卸地连接至第一电子部件和第二电子部件。第一电子部件经由连接元件可连接至第二电子部件以便形成可穿戴物品(201)。第一电子部件包括相机，第二电子部件包括能量存储部件，并且第一电子部件被配置成用于经由连接元件从第二电子部件接收电力。
模块化时尚配饰

[发明专利]具有程序偏置和快速感测的感测放大器-CN201780055853.7有效
发明人： J·H·于;R·A·塞尼;S·李;Y·L·李;Q·阮;T·Y·曾;C·许 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了用于访问非易失性存储器122的装置、系统和方法。位线302耦接到非易失性存储器元件123的存储单元。感测放大器306耦接到位线302。感测放大器306包括感测电路402和偏置电路404。感测电路402感测位线302的电性质以用于从一个或多个存储单元读取数据，并且偏置电路404向位线302施加偏置电压以用于向一个或多个存储单元写入数据。偏置电路404和感测电路402包括感测放大器306内单独的并行电路径。
具有程序偏置快速放大器

[发明专利]多内核管芯上存储器微控制器-CN201880019257.8有效
发明人：殷一博;H·张;P-S·赖;V·奇克洛伊;S·乔治基斯;Y·李;H·密祖克史;T·米瓦;J·帕克黑尔;T-Y·刘 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C29/16 文献下载
摘要：本发明公开了用于多内核管芯上存储器控制器150的设备、系统、方法和计算机程序产品。集成电路装置123、212、700包括非易失性存储器单元阵列200和微控制器单元150。微控制器单元150包括多个处理单元302、402、404。不同处理单元302、402、404对非易失性存储器单元阵列200并行执行不同类别的任务。
内核管芯存储器控制器

[发明专利]具有自对准多层级漏极选择栅极电极的三维存储器器件及其制造方法-CN201880040507.6有效
发明人： M·堤;S·亚达;张艳丽 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠形成的牺牲存储器开口填充结构。采用包括线性开口的光致抗蚀剂层和作为蚀刻掩模的一对牺牲存储器开口填充结构行的组合来形成延伸穿过漏极选择层级牺牲材料层的漏极选择层级隔离沟槽。牺牲间隔物形成在所述漏极选择层级隔离沟槽的侧壁上。漏极选择层级隔离介电结构形成在所述漏极选择层级隔离沟槽的剩余体积中。用存储器堆叠结构替换所述牺牲存储器开口填充结构。用导电材料替换所述牺牲材料层和所述牺牲间隔物以形成导电层和导电连接器间隔物。所述漏极选择层级隔离介电结构与所述存储器堆叠结构自对准，并将漏极选择层级导电层分开。
具有对准多层级漏极选择栅极电极三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]用于三维存储器件的对齐漏极选择层级隔离结构及其制造方法-CN201880041632.9有效
发明人：张艳丽;M·堤尚广;S·亚达;S·长峰;J·阿尔斯梅尔 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维存储器结构包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构的阵列，覆盖该交替堆叠并具有与存储器堆叠结构的阵列相同的周期性的漏极选择层级组件的阵列，横向围绕漏极选择层级组件的相应行的漏极选择栅电极，以及位于相邻的一对漏极选择栅电极之间并包括一对纵向侧壁的漏极选择层级隔离带。该对纵向侧壁中的每一个包括平面侧壁部分和凸面侧壁部分的横向交替序列。
用于三维存储器件对齐选择层级隔离结构及其制造方法

[发明专利]含有两种类型的支柱结构的多层存储器堆叠结构-CN201780038307.2有效
发明人： T·卡瓦穆拉;K·弗纳亚马 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/23 文献下载
摘要：在衬底上方形成包括第一绝缘层和第一牺牲材料层的第一交替堆叠的第一层结构。穿过所述第一层结构形成第一支柱结构。在所述第一层结构上方形成包括第二绝缘层和第二牺牲材料层的第二交替堆叠的第二层结构。穿过所述第二层结构形成存储器堆叠结构和第二支柱结构。用第一导电层和第二导电层代替所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层，同时所述第一支柱结构、所述第二支柱结构和所述存储器堆叠结构为所述第一绝缘层和所述第二绝缘层提供结构支撑。通过限制所述第一支柱结构在所述第一层结构内的空间范围，可以减少到背侧接触通孔结构的电短路。
含有种类支柱结构多层存储器堆叠

[发明专利]基于纳米颗粒的电阻式存储器设备及其制造方法-CN201780082029.0有效
发明人： R·卢兹;J·里尔;M·D·阿波达卡;D·斯图尔特;万雷;B·特里斯 -专利权人： 闪迪技术有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：含有纳米颗粒的电阻式存储器单元形成在两个电极之间。所述纳米颗粒可包埋在基体中，或在没有基体的情况下烧结在一起。所述存储器单元可为投射式存储器单元或屏障调制单元。聚合物配体可用于在衬底之上沉积所述纳米颗粒，然后任选的去除或替换所述聚合物配体。
基于纳米颗粒电阻存储器设备及其制造方法

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