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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310517496.9有效
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黄猛
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长鑫存储技术有限公司
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2023-05-10
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2023-10-24
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H10B12/00
- 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：中间器件层，中间器件层具有第一面和第二面，第一面具有第一焊盘，第二面具有第二焊盘，中间器件层包括存储单元阵列，第一焊盘与存储单元阵列的字线电连接，第二焊盘与存储单元阵列的位线电连接；第一器件层位于第一面上，且第一器件层的表面具有第三焊盘，第三焊盘与相应的第一焊盘电连接，第一器件层包括字线驱动器，第三焊盘与字线驱动器电连接；第二器件层位于第二面上，且第二器件层的表面具有第四焊盘，第四焊盘与相应的第二焊盘电连接，第二器件层包括位线感测放大器，第四焊盘与位线感测放大器电连接。本公开实施例至少有利于提升半导体结构的性能。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]测漏装置-CN202011181217.9有效
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何家平;古进忠
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长鑫存储技术有限公司
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2020-10-29
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2023-10-24
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G01M3/26
- 本发明实施例提供一种测漏装置，包括：测试平台，测试平台用于承载放置待测漏的研磨头，且研磨头可以分为一个或者多个独立的分区，每一分区对应具有一个腔室，每一腔室对应具有通气孔；上盖，用于密封腔室，且上盖位于腔室远离测试平台的一侧；可动装置，可动装置在平行于测试平台的表面上可移动，且在垂直于测试平台的方向上可移动，还适于向上盖施加压力，以使上盖密封腔室。本发明实施例通过可动装置对上盖施加压力，有利于对上盖施加均匀的压力和降低操作人员的时间成本，有利于提高测漏装置测漏结果的准确性。
- 装置
- [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202110444445.9有效
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杨蒙蒙;白杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-04-23
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2023-10-24
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H10B12/00
- 本发明提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决基底内的器件损伤的技术问题，该制作方法包括：提供基底，基底包括核心区和位于核心区外且相邻的外围区，基底上形成有预设阻挡层，预设阻挡层覆盖核心区和外围区；去除外围区对应的至少部分预设阻挡层，以暴露部分基底，保留的预设阻挡层形成第一阻挡层；在第一阻挡层和基底上依次形成层叠的介质层和第一导电层；去除第一阻挡层上的部分介质层和部分第一导电层，保留第一阻挡层上靠近外围区的部分介质层和部分第一导电层。通过第一阻挡层和介质层部分重叠，减少基底暴露，降低基底被去除部分的风险，进而降低了基底内的器件暴露甚至损伤的风险。
- 半导体结构制作方法
- [发明专利]均衡电路、数据采集方法及存储器-CN202011018885.X有效
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张志强
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长鑫存储技术有限公司
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2020-09-24
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2023-10-24
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G11C7/10
- 本申请提供一种均衡电路、数据采集方法及存储器，均衡电路包括第一输入缓冲电路、第二输入缓冲电路以及选择采样电路；其中，第一输入缓冲电路与第二输入缓冲电路分别与选择采样电路连接，且第一输入缓冲电路与第二输入缓冲电路采用的参考电压不同；选择采样电路根据均衡电路前一次输出的数据，选择对第一输入缓冲电路或第二输入缓冲电路输出的数据信号进行数据采样，并将采集到的数据作为均衡电路当前输出的数据。即上述均衡电路包括两个不同的输入缓冲电路，选择采样电路在采集数据时，需要根据均衡电路前一次输出的数据，从上述两个输入缓冲电路中选择其中一个所输出数据信号进行数据采集，由此可以更加有效的提升接收数据信号的质量。
- 均衡电路数据采集方法存储器
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010887358.6有效
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王连红;平尔萱
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长鑫存储技术有限公司
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2020-08-28
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2023-10-24
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H01L29/861
- 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底、半导体结构、绝缘层、导电层；所述半导体结构位于所述衬底的一侧，包括第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成PN结；所述绝缘层位于所述半导体结构背离所述衬底的一侧；所述导电层位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。所述导电层用于减小所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成的PN结的势垒，从而增加在相同电压下所述PN结的电流密度。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]检测方法、装置及设备-CN202310506229.1有效
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杨杰
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长鑫存储技术有限公司
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2023-05-08
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2023-10-24
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G01R31/26
- 本公开实施例提供了一种检测方法、装置及设备，涉及半导体技术领域，上述方法应用于半导体器件，该半导体器件的源极、漏极以及衬底均接地，栅极与预设的扫描电压源连接；上述方法包括：按照预设扫描参数，控制扫描电压源在栅极施加一扫描电压；在扫描电压从第一电压值变化至第二电压值的过程中，实时检测流经栅极的栅极电流；当检测到栅极电流在预设时长内保持第一电流值不变时，将栅极电流在首次等于第一电流值时扫描电压的电压值，确定为半导体器件的界面态陷阱电荷饱和时的栅极电压，在后续采用电荷泵测量技术测量半导体器件的界面态信息时，可以将该栅极电压作为在栅极施加的脉冲电压的最大电压值，由此可以提升界面态信息的测量准确度。
- 检测方法装置设备
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201810540224.X有效
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蔡宗叡
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长鑫存储技术有限公司
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2018-05-30
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2023-10-24
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H01L21/336
- 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基板，首次先后植入锗离子和N型掺杂离子于P型阱层的表层并沿基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于栅极沟槽形成栅极金属层，并掺杂P型掺杂离子形成N型可调变轻掺杂区，沉积介电隔离层覆盖基板的上表面，并刻蚀介电隔离层以露出漏极区域的表面；再次先后植入锗离子和N型掺杂离子于漏极区域，并沿P型硅衬底部的厚度方向延伸至P型阱层的表层中，以使漏极区域的深度大于源极区域的深度；以及制作字线金属层。实施本发明，能够在提高晶体管的导通电流的同时不增加读取字位讯号的误判率。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202310828775.7在审
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廖昱程;蒋懿;杨晨
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长鑫存储技术有限公司
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2023-07-06
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2023-10-20
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H10B12/00
- 本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底及多个有源柱，多个有源柱在基底上沿第一方向和第二方向间隔排布，且均沿第三方向延伸，第一方向、第二方向与第三方向两两相交，基底上还具有填充相邻有源柱之间间隙的介质层；图形化介质层，以形成沿第二方向交替设置的第一沟槽和第二沟槽，其中，第一沟槽和第二沟槽均沿第一方向延伸，且分别露出沿第二方向排布的有源柱的至少部分侧壁，在沿第三方向上，第一沟槽和第二沟槽具有不同的深度；形成填充第一沟槽的第一字线，形成填充第二沟槽的第二字线，在沿第三方向上，第一字线与第二字线之间相互错开。本公开实施例至少利于降低相邻字线之间的电容耦合效应。
- 半导体结构制造方法
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