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[发明专利]合成反铁磁体、磁隧道结器件和存储装置-CN202211664109.6在审
发明人：柳淀春;李昇宰;长谷直基;金洸奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：提供了合成反铁磁体、磁隧道结器件和存储装置。该合成反铁磁体包括：具有第一表面的第一铁磁性层；第二铁磁性层，具有面对第一铁磁性层的第一表面的第二表面；以及设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的第一非磁性层，其中第一铁磁性层具有倾斜的垂直磁各向异性(PMA)，其中第一铁磁性层的磁化方向从垂直于第一表面和第二表面的第一方向倾斜，第一铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量和第二铁磁性层的磁化方向在第一方向上的分量彼此相反。
合成磁体隧道器件存储装置

[发明专利]磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件-CN202210781501.2在审
发明人：金洸奭;朴盛健;金基雄;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。
隧道器件包括存储

[发明专利]磁隧道结器件和包括其的存储设备-CN202210831349.4在审
发明人：金洸奭;朴盛健;李昇宰;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有更稳定的垂直磁各向异性(PMA)和/或提高的运行速度。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面的自由层；面对所述自由层的第一表面的钉扎层；在所述钉扎层和所述自由层之间的第一氧化物层；和在所述自由层的第二表面上的第二氧化物层。所述自由层包括掺杂有非磁性金属X的磁性材料。所述第二氧化物层包括作为金属Z的氧化物的ZOx。金属Z的氧亲和力大于非磁性金属X的氧亲和力。
隧道器件包括存储设备

[发明专利]磁隧道结器件和其制造方法、存储器件和电子系统-CN202210209054.3在审
发明人：金洸奭;朴盛健;长谷直基;李昇宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了磁隧道结器件和其制造方法、包括该磁隧道结器件的存储器件和电子系统。该磁隧道结器件包括：第一磁性层；设置为面对第一磁性层的第二磁性层；以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间并包括金属氧化物的第一氧化物层，其中第一氧化物层的金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及其中第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。
隧道器件制造方法存储电子系统

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201580045843.6有效
发明人： 长谷直基;落合隆夫;大坊忠臣;加藤侑志;大岭俊平;伊藤顺一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁存储元件和电子设备-CN201880021415.3在审
发明人： 长谷直基;细见政功;肥后丰;大森广之;内田裕行;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：[待解决的问题]提供一种具有降低的写入电流同时保持存储层的磁性保留性能的磁存储元件和电子设备。[解决方案]磁存储元件包括：自旋轨道层，其沿一个方向延伸；写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动；隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层；以及非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。
轨道层自旋磁存储元件绝缘体层存储层磁化固定层隧道结元件保留性能电子设备堆叠位置方向流动方向延伸非磁性层顺序堆叠写入电流电耦合写入线延伸

[发明专利]磁存储器、磁存储器记录方法以及磁存储器读取方法-CN201880015594.X在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供了一种磁存储器，该磁存储器可以在一个存储单元(10)中记录多值信息的同时抑制制造成本的增加，该存储器包括：第一和第二隧道结元件(100a、100b)，该第一和第二隧道结元件(100a、100b)分别具有叠层结构，该叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层(202)、具有可逆磁化方向的记录层(206)、以及被夹在参考层与记录层之间的绝缘层(204)；第一选择晶体管(300)，该第一选择晶体管(300)电连接至第一和第二隧道结元件的第一端；第一配线(400a)，该第一配线(400a)电连接至第一隧道结元件的第二端；以及第二配线(400b)，该第二配线(400b)电连接至第二隧道结元件的第二端。
隧道结元件磁存储器配线电连接选择晶体管叠层结构参考层记录层绝缘层读取固定磁化方向存储器磁化方向存储单元多值信息制造成本第一端可逆记录

[发明专利]磁存储器和磁存储器记录方法-CN201880015595.4在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种磁存储器，其中反转误差的发生可以被抑制并且可以实现稳定记录。[方案]一种磁存储器包括：自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生；磁存储元件，提供在自旋轨道层上并且具有由绝缘层和磁性层组成的叠层结构，在该磁性层中磁化方向根据要记录的信息改变；以及电压施加层，经由绝缘层向磁性层施加电压。电压施加层在电流在自旋轨道层中流动的同时向磁性层施加电压，从而改变磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。
磁性层磁存储器轨道层自旋绝缘层电压施加层施加电压记录自旋极化电子磁存储元件磁各向异性磁化方向电流产生叠层结构磁阻尼反转流动

[发明专利]磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法-CN201780087367.3在审
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;別所和宏;内田裕行;佐藤阳;长谷直基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种存储多级信息的、能够在充分地确保读裕度的同时进行读取的磁存储器。提供一种磁存储器，其包括：第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；和第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，其中基于所述第一确定单元的确定结果来改变所述第二确定单元的确定状态。
磁存储元件配线磁存储器确定单元读取磁化状态半导体装置彼此交叉电子设备多级信息电连接地电裕度串联存储

[发明专利]铁磁隧道结元件及其制造方法-CN201780087821.5在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：[问题]提供一种铁磁隧道结元件及其制造方法，利用该方法可以避免增加元件占用面积和制造步骤的数量，同时还避免元件属性的变化并维持高的制造产量。[解决方案]提供了一种铁磁隧道结元件，包括以下：第一磁性层；第一绝缘层，设置在第一磁性层顶上；第二磁性层，设置在第一绝缘层顶上并包含磁性过渡金属；以及氧化镁膜，设置为覆盖第二磁性层的侧表面并包含磁性过渡金属。
磁性层铁磁隧道结元件绝缘层磁性过渡金属制造氧化镁膜元件属性侧表面面积和占用覆盖

[发明专利]磁存储元件、磁存储装置、电子装置以及制造磁存储元件的方法-CN201780087141.3在审
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;別所和宏;肥后丰;佐藤阳;长谷直基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本文旨在提供一种磁存储元件、一种磁存储装置和一种存储多值信息的结构较为简单的电子装置。一种磁存储元件，具有：多个隧道结元件，各自包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，且通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。
隧道结元件磁存储元件磁存储装置电子装置参考层存储层膜结构固定磁化方向横截面形状材料形成层压方向磁化方向多值信息绝缘体层电并联反转平行切割存储制造

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201580045837.0有效
发明人：大岭俊平;大坊忠臣;加藤侑志;长谷直基;伊藤顺一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。
磁阻元件磁存储器

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