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- [发明专利]成像设备-CN202310368966.X在审
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河角良一;石馆毅洋;高野广树;铃木康司
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佳能株式会社
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2023-04-07
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2023-10-17
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G03G15/043
- 一种成像设备，包括：多个光电导体；多个曝光单元，每个曝光单元对应于所述多个光电导体中的一个不同光电导体，所述多个曝光单元中的每个曝光单元包括：基板，在基板上安装有配置成发光以对光电导体曝光的多个发光部；以及管道，管道配置成沿着基板引导冷却基板的气流；风扇，配置成产生冷却基板的气流；和管道单元，配置成经由所述多个开口中的不同开口与所述多个曝光单元的管道连通；其中，在所述多个开口中具有从风扇起最长流路的第一开口的面积大于在所述多个开口中具有从风扇起最短流路的第二开口的面积。
- 成像设备
- [发明专利]真空处理装置-CN201980075427.9有效
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铃木康司;长岛英人;藤井佳词
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株式会社爱发科
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2019-09-12
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2023-09-05
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C23C14/00
- 本发明提供一种通过简单的结构就可冷却真空室内设置的可动防尘板的真空处理置。具有真空室(1)并对该真空室中安装的被处理基板(Sw)实施规定的真空处理的发明的真空处理装置(SM)，其特征在于：在真空室内设置防尘板(8)，防尘板由真室中固定配置的固定防尘板(81)和在一个方向上自由移动的可动防尘板(82)构成还具有：竖直设立在真空室的内壁面(13)上的金属材质的块体(9)；以及冷却块体冷却装置(11)，在对被成膜基板实施规定的真空处理的可动防尘板的处理位置上，体的顶表面(91)与可动防尘板接近或抵接。
- 真空处理装置
- [发明专利]溅射装置-CN202111281677.3在审
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铃木康司;长岛英人;田代征仁
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株式会社爱发科
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2021-11-01
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2022-05-13
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C23C14/35
- 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。
- 溅射装置
- [实用新型]图像读取装置以及图像形成装置-CN201921865504.4有效
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铃木康司;安井计政;森田哲弘
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东芝泰格有限公司
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2019-11-01
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2020-05-29
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H04N1/04
- 本实用新型提供一种狭缝玻璃不易破损的图像读取装置以及图像形成装置。实施方式的图像读取装置具有：扫描仪部，其对原稿进行光照射并输出读取信号，扫描仪部具有设置在被输送的原稿通过的位置并且在主扫描方向上细长地形成的第一透明部，以及设置在载置原稿的位置并且在主扫描方向和副扫描方向上具有宽度地形成的第二透明部；原稿输送部，其将原稿向扫描仪部输送，原稿输送部与扫描仪部的一端通过连接部以可转动的方式连接，并在扫描仪部的具有第一透明部和第二透明部的第一表面上可开闭；以及保护部件，其具有一定的厚度，设置在第一表面上的第一透明部的周围的规定的位置。通过本实用新型，能够降低狭缝玻璃在发生意外跌落时破损的可能。
- 图像读取装置以及形成
- [发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201710670183.1在审
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邻嘉津彦;铃木康司
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株式会社爱发科
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2017-08-08
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2018-02-23
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H01L21/02
- 本发明涉及成膜方法及成膜装置。课题在于，提供对于形成于沟槽等内的膜而言不形成空隙地在沟槽等内埋入膜的成膜方法。本发明的一方式的成膜方法包括以下工序通过在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面产生包含硅的成膜气体的等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成包含硅的第1半导体膜。形成于上述侧壁的上述第1半导体膜通过在上述基板的上述表面产生包含卤素的蚀刻气体的等离子体而被选择性除去。通过在上述基板的上述表面产生第1等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成第2半导体膜。
- 方法装置
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