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[发明专利]一种掺钾的钼合金板材制备方法-CN202311153551.7在审
发明人：陈占洋;陈兴友;朱宇;魏凯;中村晃;张慧霞 -专利权人：西安格美金属材料有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺钾的钼合金板材制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1：选取掺钾钼粉，掺钾钼粉的费氏粒度为6μm‑20μm；步骤2：掺钾钼粉中掺杂合金元素，混合均匀并得到钼粉合金；其中钾的质量含量为50ppm‑200ppm，硅的质量含量为0.1%‑0.2%，铝的质量含量为0.05%‑0.08%；步骤3：对钼粉合金进行冷等静压处理，制得密度均匀的压坯；步骤4：压坯进行高温烧结，获得烧结坯，保证烧结坯的密度不低于9.5g/cm3；步骤5：对烧结坯进行轧制，轧制前进行预热，轧制采用多道次加工的形式进行，获得加工坯；步骤6：对加工坯进行高温热处理；步骤7：采用交叉换向法进行轧制，最终获得掺钾的钼合金板材。在提高合金材料的强度、抗下垂能力和蠕变性能方面具有显著的优势，可以在发挥重要作用。
一种合金板材制备方法

[发明专利]一种降耗式高密度钼钛靶材加工方法及装置-CN202310450113.0在审
发明人：陈占洋;朱林;王法兵;张飞;赵改梅;王赟龙;温春雨;中村晃;丛蓉 -专利权人：山东格美钨钼材料股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B21B1/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种降耗式高密度钼钛靶材加工方法及装置，涉及靶材加工的技术领域，其包括机体，所述机体设有用于对包套后的靶材进行轧制的压片机构，所述机体设有用于将包套后的靶材输送至压片机构的往复块，所述往复块与压片机构之间设有过渡台，所述往复块与过渡台上表面沿水平方向滑动连接，所述机体设有驱动往复块做间歇性往复运动的送料件。本申请具有减小生产成本的效果。
一种降耗高密度钼钛靶材加工方法装置

[发明专利]溅射靶材及其制造方法-CN201980026113.X有效
发明人： 中村晃;岩重央;西圣也;长岛英人;铃木康司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式涉及的溅射靶材具有由金属材料构成的板状的靶材主体。所述靶材主体具有靶材部和基座部。所述靶材部包含溅射面。所述基座部包含位于所述溅射面的相反侧且硬度比所述溅射面高的冷却面、以及拉伸强度从所述冷却面向所述靶材部逐渐降低的梯度强度层。
溅射及其制造方法

[发明专利]一种铬硅化物靶材及其制备方法-CN202010959472.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铬硅化物靶材及其制备方法，特点是该CrSi靶材相对密度在99％以上，氧含量小于500ppm，其制备方法包括以下步骤：将纯度99.9％以上的铬和硅混合后粉碎成平均粒径10‑100μm的粉末；2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中反应生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；3)然后将步骤1)和步骤2)的混合原料粉末通过真空热压，在惰性气体气氛10‑1000Pa下，于1200‑1350℃和加压力400‑600kg/cm2下处理60‑480分钟，得到密度97％以上的烧结体；4)再通过热等静压技术得到密度99％以上的烧结体；5)烧结体通过真空热处理炉进行退火后，通过机械加工除去表层的氧化及变质层得到铬硅化物靶材，优点是高纯度、高密度化。
一种铬硅化物靶材及其制备方法

[发明专利]层叠电子部件-CN202210309283.2在审
发明人：斋藤则之;佐藤义宪;吉田亨;须田昭;中村晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠电子部件，该层叠电子部件具备：素体，其通过层叠绝缘层而形成，并且具有设为安装面的底面、及以相对于底面交叉的方式延伸的侧面；和底面电极，其形成于素体的底面，底面电极具备第一电极层和形成于比第一电极层更靠素体侧的第二电极层，第一电极层是以覆盖第二电极层的方式层叠的树脂电极，并且具有沿侧面延伸的延伸部，延伸部的宽度尺寸比底面中的第一电极层的宽度尺寸小。
层叠电子部件

[发明专利]层叠电子部件-CN202210309397.7在审
发明人：斋藤则之;广瀬修;吉田亨;佐藤义宪;须田昭;中村晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠电子部件，该层叠电子部件具备：素体，其通过层叠绝缘层而形成，并且具有设为安装面的底面；和底面电极，其形成于素体的底面，并且包含玻璃及烧结金属，底面电极具备第一电极层和形成于比第一电极层更靠素体侧的第二电极层，第二电极层的缘部被作为素体的一部分的外敷层覆盖，第一电极层在夹持外敷层的状态下层叠于第二电极层上，第一电极层的玻璃含量比第二电极层的玻璃含量大。
层叠电子部件

[发明专利]一种高纯铝的纯化方法-CN202110087405.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本申请提供一种高纯铝的纯化方法，属于金属铝的提纯技术领域。纯化方法包括：在坩埚外加热使铝原料熔融成熔融铝液；将冷却管浸入熔融铝液中，向冷却管中通入冷却介质，使得高纯铝在冷却管表面析出，得到析出层；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第一预设厚度时，采用分离件围绕冷却管的轴线转动，以对熔融铝液进行搅拌；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第二预设厚度时，取出冷却管。其能够有效改善纯化率。
一种高纯纯化方法

[发明专利]一种靶材和背板的真空扩散接合方法-CN202011608222.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材和背板的真空扩散接合方法，特点是包括以下步骤：1)将内置加热装置的金属包套整体预热到300‑400℃，然后放置在液压机机床上；2)将背板插入到金属包套的凹槽中，将靶材置于背板上表面中央，再在靶材上表面放置压块；3)将安装在液压机的机床上部的排气容器下降直至排气容器底部的橡胶密封圈压到液压机的机床内下部的压台上，将排气容器进行抽真空或充入惰性气体置换空气或者充入氢气置换空气；4)将靶材和背板加热到400‑700℃，在压块上表面施加压力，在该温度和压力下保持一段时间，取出接合率达99％以上的背板和靶材，即完成背板和靶材的真空扩散接合，优点是能避免接合面被氧化，进一步提高接合率。
一种背板真空扩散接合方法

[实用新型]靶材组件-CN202121968838.1有效
发明人：山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材组件，包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本实用新型中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件

[发明专利]高纯度铝纯化方法以及装置-CN202011316884.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本申请涉及金属铝提纯领域，具体而言，涉及一种高纯度铝纯化方法以及装置。该纯化方法包括以下步骤：对铝原料熔炼；在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管旋转，分离部件环绕析晶冷却管旋转，且二者旋转方向相反。通过在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管和分离部件反向旋转，能够有效地防止熔融铝随着析晶冷却管一起旋转，这样就加快了相对旋转速度，熔融铝往反方向旋转，从而能够使得浓化层变薄，纯化效率提高，进而能够使得析晶量增加。
纯度纯化方法以及装置

[实用新型]一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件及铝纯化装置-CN202121738744.5有效
发明人：广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： F27D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，包括冷却管，冷却管内穿设内管，内管底端开口靠近冷却管底部，冷却管的底面为扩径的球形面。本实用新型还公开了一种铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，用于插入坩埚内析出铝晶。内管内的冷却气体可直达冷却管底部，从而提高冷却管底部的热交换速率，加快熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。扩径球形面的设计增大了换热面积，同样提高了熔融铝体相在冷却管底部的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。
一种用于熔融铝析晶纯化冷却管组件装置

[实用新型]一种均匀析晶的铝纯化装置-CN202121738769.5有效
发明人：广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种均匀析晶的铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于插入坩埚内析出铝晶的冷却管，其侧壁设有隔热层；冷却管插入坩埚内析出铝晶时，熔融铝靠近液面区域对应于隔热层所在位置。本实用新型通过在冷却管侧壁设置隔热层，并将隔热层位置与熔融铝靠近液面区域相对应，降低熔融铝靠近液面区域的热传递，进而减缓该区域的析晶速率，使之与熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率接近，使铝晶在冷却管表面整体生长速率一致，实现均匀析晶。
一种均匀纯化装置

[发明专利]一种靶材晶粒微细化的制成工艺-CN202010148378.1有效
发明人：尤小磊;常艳超;中村晃;董常亮 -专利权人：爱发科电子材料（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B21B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材晶粒微细化的制成工艺，首先将铝锭进行加热至170‑220℃后进行一次压延，一次压延过程中设计压延道次为≧2次，每次压下量相等，得半成品靶材；然后再对半成品靶材加热至300‑350℃后进行二次压延，二次压延中分为≧2个道次，第一道次压下量低于其余道次的压下量，得到成品靶材，通过金相显微镜观察发现，成品靶材中晶粒的平均尺寸≦90μm，且晶粒的尺寸分布更加集中。
一种晶粒微细制成工艺

[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法-CN201980004037.2有效
发明人：芦小丽;新田纯一;中村晃;佐藤美穂 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I(002)+I(004))/(I(100)+I(002)+I(101)+I(102)+I(110)+I(103)+I(112)+I(004))为0.85以上。
溅射制造方法

[发明专利]靶材组件及其制作方法-CN202110962008.6在审
发明人：山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材组件及其制作方法，该靶材组件包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本发明中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件及其制作方法

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