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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括触摸传感器的柔性显示装置-CN201910717216.2有效
发明人：高晙荣;金奇南;韩官荣;赵镛列 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置。所述显示装置包括基板、设置在基板上并布置在第一方向上的多个第一触摸电极、设置在基板上并布置在与第一方向交叉的第二方向上的多个第二触摸电极以及第一虚设图案，第一虚设图案设置在所述多个第一触摸电极中的第一触摸电极内部，与所述第一触摸电极的外边缘分隔开，与所述第一触摸电极绝缘，并具有岛形状。第一虚设图案相对于第一轴对称，第一虚设图案在第一轴处弯曲。
包括触摸传感器柔性显示装置

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202210224314.4在审
发明人：李载悳;金奇南;安洙珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。半导体装置可以包括彼此平行的第一分离结构和第二分离结构、在第一分离结构与第二分离结构之间的块以及块上的位线。块包括串，位线包括电连接到第一串和第二串的第一位线，串中的每个包括串联连接的下选择晶体管、存储器单元晶体管和上选择晶体管，串中的每个中的上选择晶体管包括第一上选择晶体管和在第一上选择晶体管下方的第二上选择晶体管。第一串和第二串的第一上选择晶体管可以共享单个第一上选择栅电极。第一串和第二串的下选择晶体管的栅电极可以包括彼此共面的表面。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]用于冷成形玻璃片材的设备和方法-CN202110363898.9在审
发明人： 金奇南;彼得·诺尔斯;克里斯托弗·李·蒂蒙斯 -专利权人：康宁公司;康宁精密材料有限责任公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C03B23/02 文献下载
摘要：一种用于冷成形玻璃片材的设备，其包括：被配置在可移动工作台内的多个真空卡盘；近位于所述工作台的第一自动拾取机构；近位于所述工作台的自动分配机构；和按压设备。所述第一拾取机构被配置为将玻璃片材在所述卡盘中的一者上成形。所述分配机构被配置为将可固化粘合剂分配至所述玻璃片材或框架上。所述第一拾取机构和所述分配机构中的一者被配置为将所述框架定位至所述玻璃片材上，使得所述粘合剂被设置在所述玻璃片材和所述框架之间。所述按压设备被配置为将所述框架和所述粘合剂按压到所述玻璃片材上以限定成品玻璃片材组件。本公开内容中还包括用于冷成形玻璃片材的方法。
用于成形玻璃片设备方法

[发明专利]用于将玻璃冷成型的方法和系统-CN202010762520.1在审
发明人：赵东荣;崔贤秀;金奇南;金申 -专利权人：康宁公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C03B23/02 文献下载
摘要：公开了一种形成弯曲玻璃制品的方法的实施方案。在所述方法中，提供具有弯曲表面的模具。将自粘合层设置在所述弯曲表面上。在小于玻璃板的玻璃化转变温度的温度下将所述玻璃板弯折成与所述弯曲表面一致。所述玻璃板包括第一主表面和第二主表面，其中所述第二主表面与所述第一主表面相对。所述第一主表面粘附到所述自粘合层。将框架粘结到所述玻璃板的所述第二主表面，并且将所述玻璃板从所述自粘合层移除。还公开了一种用于执行所述方法的系统和具有自粘合层的模具。
用于玻璃成型方法系统

[发明专利]半导体器件-CN202010091291.5在审
发明人：林汉镇;金奇南;丁炯硕;郑圭镐;黄棋铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和/或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。
半导体器件

[发明专利]包括触摸传感器的柔性显示装置-CN201410643846.7有效
发明人：高晙荣;金奇南;韩官荣;赵镛列 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开一种包括触摸传感器的柔性显示装置。在一个方面，显示装置包括柔性基板、形成在柔性基板上的光发射层、以及形成在光发射层上并包括多个封装薄膜和配置为检测触摸输入的触摸检测层的封装层。封装薄膜包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且触摸检测层介于彼此相邻的、至少一个无机膜中选择的一个与至少一个有机膜中选择的的一个之间。
包括触摸传感器柔性显示装置

[发明专利]石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法-CN201210425342.9有效
发明人：郑现钟;郑佑仁;金奇南 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。
石墨晶体管混合及其制造方法

[发明专利]加热块和衬底处理设备-CN201310176774.5有效
发明人：金昌敎;金圣澈;权昶珉;金奇南 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及加热块和衬底处理设备，且更明确地说，涉及对衬底执行热处理的加热块和具有所述加热块的衬底处理设备。根据本发明的实施例，提供一种用于衬底处理设备的加热块，所述加热块在其一侧上具有加热灯以将热传递到经受热处理的目标，所述加热灯在所述一侧上在多个区域中具有不同布置式样。
加热衬底处理设备

[发明专利]快速热处理设备的加热组件-CN201080040511.6有效
发明人：金昌教;奇泰钟;金哲洙;金奇南 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速热处理设备的加热组件，尤其涉及一种加热组件，其中以棋盘格形镶嵌排布的方式密集地排列加热灯管，该镶嵌式铺装具有的结构使得多个加热灯管彼此垂直地排列而形成锯齿形线，并重复这样构成的锯齿形线以使相邻的锯齿形线彼此密合。根据本发明，可避免加热灯管之间的空隙区造成的温度梯度，且相对于常规的加热组件，加热灯管的密集排列增加了热辐射区域的热密度，从而能改进热处理效率和减少能耗。此外，即便欲独立地控制的区域比常规加热组件中的更大，通过扇形分配的温度控制也能做到完全均匀的温度控制，从而简化了温度控制电路的构造。
快速热处理设备加热组件

[发明专利]光学器件及其制造方法-CN201010578730.1有效
发明人：池晧哲;金奇南;邢庸宇;罗敬远;河镜虎;朴允童;裵大录;卜镇权;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
光学器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器器件及其驱动方法-CN200810128797.8有效
发明人：朴起台;金奇南;李永宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：所提供的是一种非易失性存储器器件及其驱动方法。在驱动非易失性存储器器件的方法中，确定要被驱动的存储器单元的结构形状和位置，然后利用确定结果根据存储器单元的分配而利用优化了的操作条件来驱动所述存储器单元。
非易失性存储器器件及其驱动方法

[发明专利]具有三维排列的存储单元晶体管的与非型闪存器件-CN200710164878.9无效
发明人：郑载勋;金奇南;郑舜文;张在焄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND型闪存器件，其包括：堆叠的多个半导体层；设置在多个半导体层中的每一个的预定区中的器件隔离图案，该器件隔离图案定义有源区；该有源区中的源极和漏极杂质区；电连接所述源极杂质区的源极线插塞结构；及电连接所述漏极杂质区的位线插塞结构，其中所述源极杂质区电连接到所述半导体层。
具有三维排列存储单元晶体管闪存器件

[发明专利]闪存设备中恢复数据的方法和相关闪存设备存储系统-CN200710306135.0有效
发明人：朴起台;金奇南;李永宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。
闪存设备恢复数据方法相关存储系统

[发明专利]形成非易失性存储器件的方法-CN200710305754.8无效
发明人：沈载煌;任庸植;金奇南;朴载宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种形成非易失性存储器件的方法，包括形成第一掩模图形，该第一掩模图形在其间可以具有相对大的距离。形成保形地覆盖第一掩模图形的距离调整层。在第一掩模图形之间的距离调整层上的沟槽中形成第二掩模图形。
形成非易失性存储器方法

[发明专利]非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法-CN200710160149.6有效
发明人：朴起台;李永宅;金奇南;金杜坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
非易失性存储器编程方法

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