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[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202310304631.1在审
发明人：李奉镕;金兑泳;朴玄睦;赵始衍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：提供了半导体装置和电子系统。半导体装置可以包括：第一衬底结构和在第一衬底结构上的第二衬底结构，第一衬底结构包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的第一接合层。第二衬底结构可以包括板层、在板层下方并且包括氮化硅的中间绝缘层、在中间绝缘层下方并且被堆叠为在竖直方向上彼此间隔开的栅电极、在穿过中间绝缘层和栅电极的沟道孔中并且包括半导体层的沟道结构、以及连接到第一接合层的第二接合层。沟道孔可在穿过栅电极的第一部分中具有第一宽度，并且在穿过中间绝缘层的第二部分中具有比第一宽度宽的第二宽度。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统-CN201810521429.3有效
发明人： 金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。
晶片结合装置包括系统

[发明专利]磁存储器件和操作其的方法-CN202310133622.0在审
发明人：赵始衍;金兑泳;朴玄睦;李奉镕;早川幸夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：提供了一种磁存储器件和操作其的方法。该磁存储器件包括：环路型磁道，具有在逆时针方向上排列的第一部分和第二部分；在第一部分的顶表面上的第一导电线；以及在第二部分的底表面上的第二导电线。磁道包括依次堆叠的下磁性层、间隔物层和上磁性层。第一导电线和第二导电线中的每条包括重金属。第一导电线和第二导电线中的每条配置为产生由在其中流动的电流引起的自旋轨道转矩。自旋轨道转矩使磁道中的磁畴在顺时针方向上或在逆时针方向上移动。
磁存储器操作方法

[发明专利]具有堆叠结构双工器的电子装置-CN202180063752.0在审
发明人：朴锺贤;金兑泳;梁东一;罗孝锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：根据各种实施例的电子装置可以包括：天线；无线通信电路；以及连接到天线和无线通信电路的双工器。双工器可以包括：连接到天线的第一端口；连接到所述无线通信电路的第二端口；连接到无线通信电路的第三端口；低通滤波器(LPF)，被配置为从第一端口和第二端口中的一个接收的信号中滤波低频带的RF信号，并将其输出到第一端口和第二端口中的另一个；以及高通滤波器(HPF)，其被配置为从第一端口和第三端口中的一个接收的信号中滤波高频带的RF信号，并将其输出到第一端口和第三端口中的另一个。LPF可以包括布置在印刷电路板(PCB)的表面上的电容器和以图案形成在PCB上的电感器。HPF可以包括布置在PCB表面上的电感器和以图案形成在PCB上的电容器，其它各种实施例也是可能的。
具有堆叠结构双工器电子装置

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310181732.4在审
发明人：李奉镕;早川幸夫;金兑泳;朴玄睦;赵始衍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置，包括：源极结构；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上彼此间隔开并且堆叠；以及沟道结构，在第一方向上延伸穿过栅电极，并且包括介电层、电荷存储层、隧穿层、沟道层和掩埋半导体层。介电层在栅电极和电荷存储层之间。隧穿层在电荷存储层和沟道层之间。沟道层在隧穿层和掩埋半导体层之间。沟道层的下部的外表面与源极结构接触，并且介电层包括铁电材料，沟道层包括氧化物半导体材料，并且掩埋半导体层包括硅(Si)。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]晶片到晶片接合结构-CN201710431549.X有效
发明人： 金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
晶片接合结构

[发明专利]基底键合设备-CN202010488372.9在审
发明人： 金兑泳;韩一宁;金会哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了一种基底键合设备。所述基底键合设备用于将第一基底键合到第二基底。所述基底键合设备包括：第一键合吸盘，被构造为将第一基底保持在第一键合吸盘的第一表面上；第二键合吸盘，被构造为将第二基底保持在第二键合吸盘的第二表面上，第二表面面对第一键合吸盘的第一表面；密封件，布置在第一键合吸盘与第二键合吸盘之间且与第一基底的至少一个边缘和第二基底的至少一个边缘相邻；以及处理气体供应装置，被构造为向被密封件围绕的键合空间供应处理气体。
基底设备

[发明专利]基板接合装置和使用其制造半导体器件的方法-CN202010805107.9在审
发明人：金会哲;金兑泳;李学骏;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供了基板接合装置和通过使用该基板接合装置制造半导体器件的方法。该基板接合装置包括配置为支撑第一基板的第一接合卡盘、以及配置为支撑第二基板使得第二基板面对第一基板的第二接合卡盘。第一接合卡盘包括：第一基座；第一可变形板，在第一基座上，配置为支撑第一基板，并且配置为变形使得第一基座与第一可变形板之间的距离变化；以及第一压电片，在第一可变形板上，并且配置为响应于施加到其的电力而变形以使第一可变形板变形。
接合装置使用制造半导体器件方法

[发明专利]具有高电压晶体管的半导体器件-CN202010679062.5在审
发明人：白圣权;金兑泳;金鹤善;尹康五;田昌勋;林濬熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在衬底上的栅极结构。栅极结构具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁。第一杂质区域设置在衬底的上部部分内。第一杂质区域与第一侧壁间隔开。第三杂质区域在衬底的上部部分内。第三杂质区域与第二侧壁间隔开。第一沟槽设置在衬底内在第一侧壁和第一杂质区域之间。第一沟槽与第一侧壁间隔开。第一阻挡绝缘图案设置在第一沟槽内。
具有电压晶体管半导体器件

[发明专利]晶片键合装置-CN202010440382.5在审
发明人：金会哲;金石镐;金兑泳;罗勋奏;全炯俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种晶片键合装置，该晶片键合装置包括：下支撑板，配置为在下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；下结构，与下支撑板相邻并在垂直于下支撑板的上表面的垂直方向上可移动；上支撑板，配置为在上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；以及上结构，与上支撑板相邻并在垂直方向上可移动。
晶片装置

[发明专利]结合基底的设备和结合基底的方法-CN201910479796.6在审
发明人：金会哲;金东亿;金兑泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了结合基底的设备和结合基底的方法。基底结合设备包括下吸盘、上吸盘、位于上吸盘的中心部分上的电致动器、压力传感器以及控制器。下吸盘可以支撑下基底，上吸盘可以面对下吸盘，使得上吸盘的下表面面对下吸盘的上表面，并且上吸盘可以支撑上基底。电致动器可以使结合销穿过上吸盘下降以将压力施加到支撑在上吸盘上的上基底。压力传感器可以位于支撑在下吸盘上的下基底下方。压力传感器可以实时地感测由结合销施加到压力传感器的下降压力。控制器可以控制由结合销施加的下降压力。
结合基底设备方法

[发明专利]半导体激光器件-CN201910961926.X在审
发明人：姜泌圭;金石镐;金兑泳;金会哲;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：半导体激光器件可以包括：第一包层，在衬底上；光波导，在所述第一包层上；激光光源芯片，在所述光波导上以产生激光束；第一粘合层，在所述光波导和所述激光光源芯片之间；以及第二粘合层，覆盖所述激光光源芯片的侧壁。
半导体激光器

[发明专利]衬底接合设备和使用该衬底接合设备的衬底接合方法-CN201910891345.3在审
发明人： 金兑泳;韩珉洙;金俊亨;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种衬底接合设备和一种衬底接合方法。所述衬底接合设备包括：下卡盘，其承接下衬底；以及上卡盘，其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底与下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面。上凸表面包括沿方位角方向交替布置的多个第一脊和多个第一谷。
衬底接合设备使用方法

[发明专利]衬底接合设备和衬底接合方法-CN201910807004.3在审
发明人：金俊亨;金圣协;金兑泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了衬底接合设备和衬底接合方法。衬底接合设备包括：衬底基座，支撑第一衬底；位于衬底基座上方的衬底保持器，保持第二衬底；衬底保持器包括多个可独立移动的保持指状物；以及腔室壳体，容纳衬底基座和衬底保持器。
衬底接合设备方法

[发明专利]用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统-CN201910549829.X在审
发明人： 金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放。
用于直接晶片设备系统

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