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[发明专利]一种HCL二次纯化柜增加支路管道的方法-CN202310384990.2在审
发明人：王超;杨振域;郑岳亮;吴志豪;王翰;杜金生;周迎朝;张沛;孙晨光;王彦君;郭红慧 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种HCL二次纯化柜增加支路管道的方法，其增加的方法包括以下步骤：S1、首先将相对应设置的氯化氢阀门分配箱和氯化氢出口通过相应的管道进行实时连接贯通，并且通过相对应的管道将高纯氮口、氮气口和泄压口进行连接贯通，同时需要沿着气体流动方向设置五路管路，且在五路沿着管路气体流动方向管体上依次设有手动隔膜阀、粒子过滤器、单向阀、压力计和真空发生器等设备。本发明在半导体外延工艺处理过程中，当产品工艺参数出现异常时，可以通过支路管道上的纯化器测试，判断是否由于纯化器失效造成工艺参数异常，大大减少由拆卸纯化器和安装支路管道所带来的时间成本，有效的减少了拆卸纯化器导致纯化器被污染的风险。
一种 hcl 二次纯化增加支路管道方法

[发明专利]一种改善超厚膜外延背面多晶粘连的工艺-CN202310326924.X在审
发明人：常雪岩;杜金生;张坤;叶建;杨阳;李强;杨振域;叶成玉;孙晨光;王彦君;郭红慧 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超厚膜外延背面多晶粘连的工艺，其改善的方法包括以下步骤：S1、首先需要进行实时准备好相应的晶圆和与晶圆相适配的基座，通过进行实时优化基座的设计，从而使晶圆在与基座接触时，改变晶圆与基座接触的角度，以及进行优化基座与晶圆的间距和高度差，从而达到减弱多晶产生的效应，并将晶圆实时放置到优化后的基座上相应位置处；S2、然后具体进行优化基座设计操作对基座的深度实现调节改变。本发明通过优化基座的设计，使晶圆在与基座接触时，改变接触的角度，以及优化基座的晶圆的间距和高度差，从而达到减弱多晶产生的效应，优化前晶圆边缘背面容易长多晶导致碎片，优化后实现无多晶效应，大大提升了晶圆的整体质量。
一种改善超厚膜外延背面多晶粘连工艺

[发明专利]一种通过称重确定线轴剩余线量的算法-CN202310072631.3在审
发明人：李晓宝;刘建伟;雍琪浩;葛涛;张宏杰;祝斌;刘园;郭红慧;王彦君;孙晨光 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过称重确定线轴剩余线量的算法，其称重算法包括以下步骤：S1、首先需要准备称重需要使用的材料，包括剩余钢线及线轴、空线轴和电子称进行实时备用，且进行称重钢线密度和钢线直径的单位确定，进行确定电子称线轴与钢线总质量的单位，进行确定电子称线轴的重量单位；S2、然后可通过电子称对线轴和刚性的钢线总质量进行实时称量，并且通过电子称对线轴的重量进行实时称量。本发明在实际的生产过程中辅以经验积累，引入钢线系数κ，将繁琐的计算过程进一步简化，在保证计算精确的基础上，一定程度上缓解了人员工作压力，大幅提升工作效率，通过称重确定线轴剩余线量的算法，对推动工业生产效率有着重要的积极作用。
一种通过称重确定线轴剩余算法

[发明专利]一种改变自掺杂的工艺-CN202310310592.6在审
发明人：叶建;徐婧;杜金生;周明;陈勇;吕亚辉;杨振域;武卫;郝小辉;郭红慧 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改变自掺杂的工艺，其工艺方法包括以下步骤：S1、首先需要进行实时检查硅片基座和灯泡以及相应设备的线路连接情况，保证设备之间能够进行有效的通电，并且需要实时进行调节加工时灯泡的电力的分配比，从而实现进行提高边缘温度，加快来自基座表层的杂质的溢出速度；S2、然后通过使更多的杂质在内腔加工时被带走，在后续的外层加工时，因为提高了边缘温度。本发明通过调节加工时电力的分配比，增加内腔加工时带出基座边缘的杂质，降低杂质对硅片工艺时硅片边缘的掺杂浓度的影响，有效的改善了边缘自掺杂现象，来改善边缘的自掺杂现象，不会增加额外的成本，也不会造成产能损失。
一种改变掺杂工艺

[发明专利]大直径晶圆收纳盒-CN202310391856.5在审
发明人：李晓宝;刘建伟;雍琪浩;葛涛;祝斌;叶成玉;王彦君;孙晨光;张沛;郭红慧 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本发明公开了大直径晶圆收纳盒，包括盒体，所述盒体的顶部活动卡合设置有盒盖，所述盒体和盒盖的内侧皆设置有放置腔，所述盒体内侧的放置腔内壁环绕活动设置有载片圈，所述载片圈的顶部活动放置有晶圆，所述盒体和盒盖的内侧靠近四个边角处皆设置有锁紧座，所述盒体内侧的锁紧座顶部表面皆设置有锁紧块，且盒盖内侧的锁紧座表面皆设置有锁紧孔。该大直径晶圆收纳盒，在进行晶圆收纳放置使用过程中，通过将载片圈放入收纳盒内腔，能够保证晶圆无挤压等现象，并且盒体内部收纳结构为非连续，可有效保证收纳晶圆的同时具有一定的张力缓解作用，避免转运过程出现应力集中，进一步保证收纳的晶圆不受磕碰导致损坏，大大提升了晶圆储存的安全性。
直径收纳

[发明专利]外接式精抛液交叉回收装置-CN202310053865.3在审
发明人：张睿;夏威;张宏杰;叶成玉;孙晨光;郝小辉;叶星;杨晶莹;王彦君;郭红慧 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明公开了外接式精抛液交叉回收装置，包括底板，所述底板的顶部横向等距排布设置有框架，所述框架的内侧设置有抛光液桶，所述底板顶部一侧的抛光液桶内部设置有冷却管路，所述抛光液桶的顶部设置有输送壳，所述输送壳的内侧设置有输液泵，所述输液泵的一端通过管道与抛光液桶连接，所述输液泵一侧的管道上设置有液位传感器，所述框架的顶部设置有pvc盒，所述pvc盒的内部设置有过滤器，且过滤器的一侧表面设置有透明门。该外接式精抛液交叉回收装置，通过安装一套精抛液回收装置，在保证回收液水液配比不受影响的同时，确保产品不出现划伤，颗粒增多等异常，有效的降低了回收液中的杂质对产品造成的异常影响，提高了硅片生产加工的质量。
外接式精抛液交叉回收装置

[发明专利]一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺-CN202211316613.7在审
发明人：张强;杜金生;常雪岩;张坤;宋泰甫;刘校均;张浩;杨振域;郭红慧;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题，工艺腔的接取片的进行实时降低，降低了温度的突变，可以改善弯曲度、翘曲度，S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量。本发明通过优化设备的接取片温度及recipe的升温速率和外延时功率配比可以达到改善硅外延对wafer弯曲度、翘曲度的目的，从而提升了外延工序对衬底弯曲度及翘曲度的接受窗口，方法简单有效。
一种改善 logic 产品衬底外延弯曲曲度工艺

[发明专利]一种用于硅片倒角机自动收料装置及实现方法-CN201710340045.7有效
发明人：雷海云;郭红慧;刘建伟;王帅;杨金坡;刘振福;谭永磷;吕莹 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B65G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅片倒角机自动收料装置及实现方法，包括收料机固定架、片篮、片篮升降架、伺服升降机构、硅片自动翻版机构及传送带，收料机固定架、伺服升降机构、片篮升降架连接为可使片篮升降架上下运动，片篮置于片篮升降架上，使片篮、硅片自动翻版机构及传送带置于一条中心线上，硅片自动翻版机构取放硅片于传送带上和沥水，传送带带动硅片运动至片篮内，技术效果是，实现了国产倒角设备自动收料插篮功能，可实现片篮传递，避免后续清洗工序重复插篮。
一种用于硅片倒角自动装置实现方法

[实用新型]一种自带通风兼排烟管道的一体化电缆隧道-CN201921512610.4有效
发明人：程丽;程其先;葛连锋;张细刚;曹振;郭红慧 -专利权人：中国电建集团河南省电力勘测设计院有限公司;中国电建集团华中电力设计研究院有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H02G9/08 文献下载
摘要：一种自带通风兼排烟管道的一体化电缆隧道，包括多个第一管节、一个或多个第二管节；第一管节内有预制风道Ⅰ，所述预制风道Ⅰ包括镀锌钢板，所述第二管节内有预制风道Ⅱ，所述预制风道Ⅱ包括镀锌钢板，所述预制风道Ⅱ的镀锌钢板上方设置有矩形开口，所述矩形开口处安装有全自动防烟防火阀，所述全自动防烟防火阀下方固定百叶风口；第一管节相互之间以及第一管节与第二管节之间通过镀锌钢板端部的法兰连接。相对于现有技术而言，本实用新型提供了一种提前安装在隧道预制管节中的预制风道，适用于盾构/顶管法敷设的长距离地下电缆隧道，保证了整个电缆隧道系统通风和排烟效果，并简化隧道通风排烟系统设计施工的复杂性，减少检修维护人员工作量。
一种通风烟管一体化电缆隧道

[实用新型]一种旋流形屋顶通风器故障监测及报警装置-CN201822196581.7有效
发明人：程丽;顾昭阳;杨陆林;郭红慧;曹振;张杰;徐倩 -专利权人：中国电建集团河南省电力勘测设计院有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： F24F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋流形屋顶通风器故障监测及报警装置，其特征在于：旋流形通风器设置在建筑或房间屋面上，旋流形通风器喉口处设置有风速传感器Ⅰ，屋顶上旋流形通风器周围设置有风速传感器Ⅱ和室外温度传感器Ⅱ，建筑或房间内设置有温度传感器Ⅰ和控制器，风速传感器Ⅰ、风速传感器Ⅱ、温度传感器Ⅰ和温度传感器Ⅱ均与控制器连接，控制器与控制中心连接。本实用新型首次创新性的实现了对旋流形屋顶通风器故障监测及故障报警，防止由于通风器故障造成的室内自然通风效果恶劣，室内污染物积聚造成室内环境恶化的现象，为营造健康安全的建筑室内环境提供了更为可靠的保障。
风速传感器通风器旋流温度传感器屋顶通风器故障监测本实用新型报警装置室内环境控制器流形室外温度传感器控制器连接室内污染物故障报警健康安全控制中心室内自然通风效果创新性喉口处对旋上旋积聚屋顶恶化

[实用新型]一种充分利用电厂热能的冷库制冷系统-CN201721758137.9有效
发明人：严迪春;杨陆林;曹振;张杰;郭红慧;顾邵阳 -专利权人：中国电建集团河南省电力勘测设计院有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： F25B15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种充分利用电厂热能的冷库制冷系统，包括溴化锂冷水机组，冷却水系统通过冷却水系统回水管和冷却水系统供水管连接溴化锂冷水机组，承压蓄水池通过一级制冷系统冷冻水回水管和一级制冷系统冷冻水供水管连接溴化锂冷水机组，二级制冷机组通过二级制冷系统冷冻水回水管和二级制冷系统冷冻水供水管连接承压蓄水池，冷库通过二级制冷系统冷媒回水管和冷媒供水管连接二级制冷机组。本实用新型采用一级吸收式溴冷机+二级制冷系统形式组成低温制冷系统，相比常规冷库采用单一电制冷系统耗电大幅降低，同时又能合理利用电厂内过剩产能或废热，实现能源合理利用及转化，对电厂现有富余资源进行整合，实现能源高效、合理、综合利用。
二级制冷系统溴化锂冷水机组冷却水系统电厂冷冻水供水管冷冻水回水管一级制冷系统本实用新型二级制冷机冷库制冷供水管回水管承压冷媒蓄水池冷库低温制冷系统电制冷系统一级吸收溴冷机耗电产能废热整合能源转化

[实用新型]一种多线切割机二次切割硅片用工装-CN201720533586.7有效
发明人：陈桐;郭红慧;赵勇;王帅;韩木迪;刘建伟;孙晨光;徐荣清 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多线切割机二次切割硅片用工装，包括水平测量模具、粘接工装，粘接工装的直角台为内表面是90º直角的L型角台，重力压力块为一块与直角台内表面相配合的重力块；水平测量模具有上下端面平行度小于0.5 um的测量平台，两个千分尺分别固定于测量平台的上端面，固定柱一端固定于测量平台上，另一端固定于多线切割机上，对已粘接在一起的硅片进行水平测量，技术效果是，改变了多线切割机只能切割单晶硅棒而不能切割硅片的状况，能够将厚度小于1‑2mm的硅片进行二次切割，切割后硅片TTV及厚度散差与一次切割硅片相差无几，在很大程度上提高了原材料的利用率，大大降低了器件生产成本，降低了电耗为每片电耗可降低50%。
一种切割机二次切割硅片用工

[实用新型]一种用于硅片倒角机自动收料装置-CN201720532331.9有效
发明人：雷海云;郭红慧;刘建伟;王帅;杨金坡;刘振福;谭永磷;吕莹 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： B65G15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于硅片倒角机自动收料装置，包括收料机固定架、片篮、片篮升降架、伺服升降机构、硅片自动翻版机构及传送带，收料机固定架、伺服升降机构、片篮升降架连接为可使片篮升降架上下运动，片篮置于片篮升降架上，使片篮、硅片自动翻版机构及传送带置于一条中心线上，硅片自动翻版机构取放硅片于传送带上和沥水，传送带带动硅片运动至片篮内，技术效果是，实现了国产倒角设备自动收料插篮功能，可实现片篮传递，避免后续清洗工序重复插篮。
一种用于硅片倒角自动装置

[发明专利]一种延长粗抛光液使用寿命的硅片抛光方法-CN201710527808.9在审
发明人：王广勇;刘园;石明;王刚;郭红慧;杨金波;谭永麟;孙晨光 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明创造提供了一种延长粗抛光液使用寿命的硅片抛光方法，采用单面有蜡抛光工艺对硅片进行抛光，在粗抛光过程中，控制粗抛光液流量在9～11L/min，大盘转速在22～28r/min，中心导轮转速在52～58r/min，抛光头压力在150～250kPa。本发明创造通过改善粗抛光工艺参数，可以增大粗抛光去除速率，将降低单位时间内粗抛光液内有效成分的消耗，进而延长粗抛光液的使用寿命，降低生产成本。
一种延长抛光使用寿命硅片方法

[发明专利]一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺-CN201710339464.9在审
发明人：陈桐;郭红慧;赵勇;王帅;韩木迪;刘建伟;王彦君;李立伟 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺，包括①多线切割机采用0.12mm钢线、2500#绿碳化硅进行多线切割；②进刀位置为0‑100时，进刀速度0.45mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数0；③进刀位置为100‑200时，进刀速度0.375 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6；④进刀位置为200时，进刀速度0.41 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6。技术效果是满足加工生产要求，出片率提升2pcs/kg，设备月产能提升10%，表面粗糙度提升30%，切片成本同比降低12%。
一种英寸半导体硅片细线细砂切割工艺

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