专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]具有凹陷阻挡结构的影像传感器-CN202320960358.3有效
  • 郭俊聪;卢玠甫 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-10-03 - H01L27/146
  • 本公开的各种实施例提供一种具有凹陷阻挡结构的影像传感器,影像传感器包括配置在衬底内的多个光电探测器,且多个光电探测器包括第一有源光电探测器与黑阶校正(BLC)光电探测器。金属网格结构在衬底的第一侧上,沿着第一有源光电探测器的周边,环绕第一有源光电探测器。凹陷阻挡结构覆盖衬底的第一侧上的BLC光电探测器。凹陷阻挡结构包括嵌入衬底的第一侧中的第一阻挡层以及位于第一阻挡层正上方的第二阻挡层。较厚的凹陷阻挡结构可有效阻挡入射辐射,而较薄的金属网格结构则有助于在较低的像素尺寸下进行缩放。在此实施例中,凹陷阻挡结构和金属网格结构可有效提升厚度均匀性,进而增加影像传感器的性能。
  • 具有凹陷阻挡结构影像传感器
  • [发明专利]一种红火蚁监测预警诱杀装置-CN202310806337.0在审
  • 关晟哲;郭俊聪 - 关晟哲
  • 2023-07-04 - 2023-09-26 - A01M1/02
  • 本发明涉及一种诱杀装置,尤其涉及一种红火蚁监测预警诱杀装置。本发明提供一种能够对放置框内的诱饵进行更换的红火蚁监测预警诱杀装置,包括有安装底座、顶盖、第一水桶、第一水泵、出水管、喷头和升降机构,安装底座上部固连有顶盖,顶盖右后侧设有第一水桶,顶盖右侧安装有第一水泵,第一水泵自带的水管与第一水桶连接,第一水泵前侧连接有出水管,出水管贯穿顶盖,出水管上连接有喷头,顶盖内部设有升降机构。通过放置框,使得监测人员将诱饵放至放置框内,便于对红火蚁进行诱杀,能够方便监测人员对放置框内部的诱饵进行更换。
  • 一种红火监测预警诱杀装置
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210244533.9在审
  • 刘铭棋;郭俊聪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-14 - 2023-01-03 - H01L27/08
  • 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例,一种半导体结构包含衬底、至少一个电介质层及电容器结构。所述至少一个电介质层经放置于所述衬底上方,且所述至少一个电介质层包含步阶边缘轮廓。所述电容器结构经放置于所述衬底上方。所述电容器结构包含底部电极、电容器电介质层及顶部电极。所述底部电极覆盖所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓且具有基本上保形于所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓的第一步阶轮廓。所述电容器电介质层覆盖所述底部电极且具有基本上保形于所述第一步阶轮廓的第二步阶轮廓。所述顶部电极覆盖所述电容器电介质层。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202011514528.2在审
  • 郑有宏;郭俊聪;卢玠甫;蔡敏瑛;许乔竣;李静宜 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-12-21 - 2021-07-13 - H01L27/146
  • 本公开涉及一种具有被背面深沟槽隔离(BDTI)结构包围的光电二极管的图像传感器以及一种相关联的形成方法。在一些实施例中,多个像素区域被放置在图像感测管芯内,并且分别包括光电二极管,该光电二极管被配置为将辐射转换成电信号。光电二极管包括被光电二极管掺杂层包围的第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱,该光电二极管掺杂层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。BDTI结构被放置在相邻像素区域之间并且从图像感测管芯的背面延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫给介电填充层的侧壁表面加衬。
  • 图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法-CN202011067688.7在审
  • 郭俊聪;卢玠甫 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-05-04 - H01L29/737
  • 本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方,并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方,并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻,以将开口延伸至中间介电层。此外,第一蚀刻停止在中间介电层上,并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口,并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
  • 双极结型晶体管bjt及其形成方法
  • [发明专利]集成磁芯感应器及其制造方法-CN201510769800.4有效
  • 郭俊聪;卢玠甫;苏彦硕 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2015-11-12 - 2018-11-06 - H01L23/64
  • 本发明提供了一种形成半导体器件的方法,方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段,在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层,各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口,在开口中沉积磁性材料以形成磁芯,在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层,形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔,以及在形成通孔之后,在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段,其中,通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。
  • 集成感应器及其制造方法
  • [发明专利]双极性晶体管-CN201310286503.5在审
  • 郭俊聪;刘世昌;蔡嘉雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-07-15 - 2014-01-29 - H01L29/73
  • 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor,BJT)。在一实施例中,双极性晶体管装置包括:具有集电极区(collector region)的半导体基板,及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽,而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有顶宽(top width)及底宽(bottom width),上宽大体上与底宽相等。本发明提供装置性能的提升。
  • 极性晶体管
  • [实用新型]具有新型导电结构的电阻缝焊机头-CN201120507132.5有效
  • 傅雄飞;傅原;杨振崟;郭俊聪;张雨婷;帅子沛 - 成都焊研科技有限责任公司
  • 2011-12-08 - 2012-09-05 - B23K11/06
  • 本实用新型公开了具有新型导电结构的电阻缝焊机头,它包括支撑座(1)和安装在支撑座(1)上的焊轮(2),支撑座(1)上安装有导电板(3),且导电板(3)与支撑座(1)之间设有绝缘件(4),支撑座(1)上还设有导电块(5),导电块(5)通过软编织导线(6)与导电板(3)连接,导电块(5)的前端部与焊轮(2)紧密接触。本实用新型的有益效果是:采用新型导电结构,焊接电流经外接电缆传至导电板,再经软编织导线传至导电块,进而传至焊轮上,减少了过渡导电环节,进而减少了轮焊机机头的铜材使用量,降低了成本;导电块采用铜基石墨,既是滑动导电的过渡块,又是具有自润滑作用的易损件,方便更换。
  • 具有新型导电结构电阻机头

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