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[实用新型]生产车间吊挂设备-CN202222394870.4有效
发明人： 邓仁亮 -专利权人：斯沃德教育科技股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B65D6/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及吊挂设备技术领域，尤其涉及出生产车间吊挂设备，包括吊杆、设置在吊杆底部的支撑柱以及设置在支撑柱一侧的承载座，所述承载座底部设置吊盘，所述吊盘底部呈环形等距设置多组吊钩，所述吊盘通过旋转定位结构与承载座连接，所述旋转定位结构包括转轴，所述转轴设置在吊盘上侧面上，所述转轴一端与承载座转动转动连接，所述转轴外表面上设置棘轮，所述承载座内壁上设置套筒，所述套筒内设置复位弹簧，所述复位弹簧一端与调节杆连接，所述调节杆一端与棘爪连接，所述棘爪与棘轮的棘齿卡接，本实用新型能够对悬挂角度进行调节，能够多组五金零部件进行悬挂放置，使用灵活度高，操作便捷。
生产车间吊挂设备

[发明专利]硅基光通信C波段高线性面发射激光光源及其制作方法-CN202110560796.6有效
发明人：薛正群;邓仁亮;施文贞;方瑞禹;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-05-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基光通信C波段高线性面发射激光光源，包括左激光芯片、右激光芯片和二阶光栅波导；所述二阶光栅波导两侧设置有喇叭口波导；所述左激光芯片、右激光芯片分别与二阶光栅波导两侧设置的喇叭口波导相连。本发明采用P面朝下生长的方法解决了常规激光器通过表面发热困难的问题，激光器量子阱发热直接通过衬底进行导热，有效改善激光器的高温线性度和特征温度；采用绝缘的掺Fe InP实现脊条型的电注入区域，并实现相邻激光芯片的电隔离，但光学上又相互耦合形成相干光，左右激光芯片实现激光器有效增益体积的增大，有效提高输出光功率。
光通信波段线性发射激光光源及其制作方法

[实用新型]一种服装厂用于设备地脚的定位装置-CN202120139171.8有效
发明人： 邓仁亮 -专利权人：斯沃德教育科技股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F16M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种服装厂用于设备地脚的定位装置，包括底板，所述底板上左侧设置有第一固定板且第一固定板上固定连接有第一定位块，所述第一定位块上斜对角上均设置有第一定位孔且第一定位块的中间设置有第一固定圆孔，所述第一固定板右侧设置有滑槽板且滑槽板与第一固定板两端设置有第一螺栓，所述第一螺栓滑动连接在滑槽板上且第一螺栓的另一端设置有第一螺母，所述滑槽板的另一侧通过第二螺栓与第二固定板相连。本实用新型中，通过滑槽板实现了轻松控制两个固定板间距的问题，其次通过第一固定圆孔和第二固定圆孔实现将机器车轮卡住，使得即使震动后机器依旧整齐排放的功能，值得大力推广。
一种服装厂用于设备地脚定位装置

[实用新型]硅基光通信C波段高线性面发射激光光源-CN202121104545.9有效
发明人：薛正群;邓仁亮;施文贞;方瑞禹;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-05-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基光通信C波段高线性面发射激光光源，包括左激光芯片、右激光芯片和二阶光栅波导；所述二阶光栅波导两侧设置有喇叭口波导；所述左激光芯片、右激光芯片分别与二阶光栅波导两侧设置的喇叭口波导相连。本实用新型采用绝缘的掺Fe InP实现脊条型的电注入区域，并实现相邻激光芯片的电隔离，但光学上又相互耦合形成相干光，并且有效改善激光器的增益体积，大幅提高激光器输出功率和线性度。
光通信波段线性发射激光光源

[发明专利]一种双沟结构的脊上开孔方法-CN201910769949.0有效
发明人： 邓仁亮;欧祥勇;薛正群;李敬波;杨重英;吴林福生;高家敏;郭智勇;苏辉 -专利权人：福州中科光芯科技有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种双沟结构的脊上开孔方法，包括如下步骤：在具有双沟的晶元上生长二氧化硅钝化层；匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；准备好所需光刻版，将晶元对位曝光；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；准备好所需光刻版，且晶元对位曝光预设时间；将曝光后的晶元进行曝光后烘；将晶元泛曝光，进行显影；在显微镜下检验合格后，后烘；将后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。本发明采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀结合，减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层，使得台面开孔区域形貌优良，便于电流注入。
一种结构脊上开孔方法

[发明专利]一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法-CN201810709449.3有效
发明人：薛正群;苏辉;黄章挺;邓仁亮;李敬波 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上外延生长增益区；表面沉积SiO2介质层，光刻形成光场扩展结构选择生长区域，湿法腐蚀选择生长区域至衬底层；在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；上沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导；采用MOCVD完成外延生长，并进行后续激光器制备工艺：阻挡层再生长、最后生长；双沟槽制作，脊型开孔，蒸镀P面金属、减薄、蒸镀N面金属，氮气氛围中合金，解离，蒸镀端面光学膜，完成激光器芯片的制备。本发明降低激光器芯片发散角，提高器件至单模光纤的耦合效率。
一种光通信波段发散 dfb 半导体激光器制备方法

[实用新型]光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片-CN202020294935.6有效
发明人：薛正群;邓仁亮;李敬波;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本实用新型光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片，包括半绝缘InP衬底层、P‑InP、N‑InP、P‑InP电流阻挡结构层和N‑InP缓冲层，在N‑InP缓冲层上方从下到上依次为：N‑InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs应变多量子阱和垒结构层、AlGaInAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP间隔层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP层、P‑InGaAs层和P‑InP层；P‑InP层上设有SiN介质层，N‑InP缓冲层上部至P‑InP层形成脊型波导结构；所述SiN介质层在脊型波导上形成悬臂结构。本实用新型有效改善含Al掩埋结构激光器的可靠性、发热特性和高温性能。
光通信掩埋结构线性 dfb 激光器芯片

[发明专利]光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法-CN202010167005.9在审
发明人：薛正群;邓仁亮;李敬波;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片及其制备方法，步骤如下：（1）在半绝缘衬底上生长所述激光器一次外延结构，采用全息方法制备均匀光栅，并进行光栅的再生长；（2）采用单层SiN做掩膜，形成脊型结构，并采用化学腐蚀方法形成脊波导，接着对脊波导的表面进行处理，在外延设备中依次完成电流阻挡层和最后生长；（3）在样品表面制备P型和N型电极，形成共面电极结构，接着对激光器进行后续工艺制备完成芯片制备工艺。本发明通过对外延结构、材料生长的表面处理、芯片结构等方面进行优化调整，来实现含Al材料掩埋结构激光器的制备，并有效改善激光器可靠性优化、优化载流子注入过程、改善发热和高温性能。
光通信掩埋结构线性 dfb 激光器芯片及其制备方法

[实用新型]一种芯片镀膜装置-CN201921395840.7有效
发明人：李敬波;薛正群;施文贞;邓仁亮 -专利权人：福州中科光芯科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片镀膜装置，包括环形夹具，在环形夹具内周设置有用以支撑芯片的阶梯部，在环形夹具外周设置有凹槽，还包括用以夹取环形夹具的夹子。本实用新型结构简单，操作简便，在芯片镀膜时，便于取放。
一种芯片镀膜装置

[实用新型]一种Bar条芯片冲洗花篮装置-CN201920677776.5有效
发明人： 邓仁亮;陆绿;刘逸欣;薛正群;李敬波;吴林福生;杨重英;高家敏 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Bar条芯片冲洗花篮装置，包括提手及固定于提手下部的筒状吊篮，所述筒状吊篮的底部封闭用于承载Bar条芯片，所述筒状吊篮的周侧具有镂空以使染料进入的通孔。本实用新型结构简单，利用冲洗花篮装置能够方便对存放于窄口瓶内的清洗液进行清洗能够方便地应用于需要使用小口径棕色瓶保存的溶液，保护样品Bar条，不会造成样品损坏。
一种 bar 芯片冲洗花篮装置

[发明专利]一种用于提升激光器芯片可靠性及耦合效率的倒装封装-CN201810227198.5有效
发明人：吴林福生;黄章挺;杨重英;邓仁亮;李敬波;高家敏;薛正群;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提升激光器芯片可靠性及耦合效率的倒装封装。所述倒装封装包括倒装热沉、与倒装热沉共晶融合的芯片，所述芯片正面向下，以朝向所述倒装热沉。本发明提供的倒装封装，在封装过程中将芯片正面朝下共晶封装，使芯片的有源层与热沉距离更近，从而提升芯片的散热能力及对芯片的出光起到一个反射聚光作用，以减小芯片的远场角，提升耦合效率。
倒装封装热沉芯片耦合效率倒装激光器芯片芯片正面共晶反射聚光封装过程散热能力减小源层远场封装融合

[实用新型]一种芯片双层冲水篮-CN201820355193.6有效
发明人： 邓仁亮;薛正群;苏辉;吴林福生;杨重英;黄章挺;李敬波;高家敏 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片双层冲水篮，包括上层板与下层板，所述上层板与下层板之间经若干根立柱连接为一体，所述上层板与下层板上均开设有若干个过水孔，所述上层板的周部设有围栏，所述围栏上设有排水槽，所述上层板上设有提拉杆。该芯片双层冲水篮的结构简单。
上层板下层板冲水芯片围栏本实用新型连接为一体过水孔排水槽提拉杆周部

[实用新型]一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置-CN201820389316.8有效
发明人：黄章挺;杨重英;邓仁亮;李敬波;高家敏;吴林福生;薛正群;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提出一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置，所述测试装置包括机架、TO夹具、光纤适配器、第二移位台和第一移位台；所述第二移位台和第一移位台可移动地安装于机架处；所述TO夹具固定于第二移位台处；所述光纤适配器固定于第一移位台处；当进行高温状态出光功率测试时，第一移位台使光纤适配器置于TO夹具夹持的TO封装半导体芯片的出光端焦距点处，所述第二移位台对TO夹具夹持的TO封装半导体芯片充分加热直至预设温度，然后第二移位台微调TO封装半导体芯片的位置，使光纤适配器光输入端处的输入光强达到最大；本实用新型能便捷地测量TO封装半导体芯片在高温状态下的出光功率。
移位台半导体芯片光纤适配器出光功率测试装置夹具本实用新型高温状态夹具夹可移动地安装光输入端输入光强焦距出光端预设加热微调测量测试

[发明专利]一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法-CN201810202995.8在审
发明人：薛正群;吴林福生;黄章挺;杨重英;邓仁亮;李敬波;高家敏;苏辉 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，采用的外延片为光通信波段InP基半导体激光器外延片，其外延片结构为InP衬底、InP缓冲层、禁带宽度和折射率渐变的InGaAsP下波导层、InGaAsP多量子阱有源区、InGaAsP上波导层、P‑InP和P‑InGaAsP过渡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层。对一次外延片进行全息光栅制备，以及再生长，并进行激光器脊型制备，采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法制备倾斜的出光端面。本发明采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法来形成激光器的出光端面；由于倾斜的出光端面使得FP在腔面反馈的增益减小，从而降低了对镀膜条件的要求，提高了单模出光的成品率。
制备激光器出光端面刻蚀半导体干法刻蚀结合湿法半导体激光器外延片多量子阱有源区腐蚀光通信波段外延片结构折射率渐变镀膜条件全息光栅上波导层下波导层一次外延增益减小保护层成品率光栅层过渡层空间层外延片再生长衬底单模脊型禁带腔面反馈

[发明专利]一种半导体激光器芯片金属的剥离方法-CN201810232159.4在审
发明人：欧祥勇;薛正群;张鹏;苏辉;邓仁亮 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器芯片的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在曝光以后、利用反转烘烤、泛曝光、显影和坚膜，使光刻胶图形呈屋檐状倒台；在此基础上淀积金属膜，用剥离液去除光刻胶和多余的金属，完成金属剥离；本发明工艺步骤简单，成品率高，成本低，沉淀的金属形成的屋檐状光刻胶在掩膜区域断开，方便剥离液的渗入，有利于剥离。
光刻胶半导体激光器芯片金属剥离剥离液屋檐状剥离金属光刻胶图形曝光工艺步骤金属形成掩膜区域沉淀的成品率金属膜烘烤淀积反转坚膜显影掩膜断开去除渗入

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