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[发明专利]一种环氧封装微型二极管及制作工艺-CN201911403212.3有效
发明人：刘德军;闫义奇;丁晓宏;张开云;迟鸿燕;杨春梅 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：本发明通过加工具有弹性的引线，将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配，加工完成后再将电极引线剪开，使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。
一种封装微型二极管制作工艺

[实用新型]一种玻璃钝化表贴二极管-CN202022216221.6有效
发明人：刘德军;石文坤;马建华;迟鸿燕;杨波;杨正义 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻璃钝化表贴二极管，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二极管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。
一种玻璃钝化二极管

[发明专利]一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法-CN202011060720.9在审
发明人：刘德军;石文坤;马建华;迟鸿燕;杨波;杨正义 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。
一种玻璃钝化二极管及其制造方法

[实用新型]一种台面型玻璃钝化实体封装二极管-CN201921484243.1有效
发明人：古进;党楠;迟鸿燕;吴王进;黄玉恒;蒋兴彪 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种台面型玻璃钝化实体封装二极管，属于二极管技术领域。该二极管包括电极A、管芯和电极B，所述电极B通过管芯与电极A连接；所述管芯为圆台状，所述电极A的直径与管芯小端的直径一致，所述电极B的直径与管芯大端的直径一致。本实用新型的管芯为圆台状，电极A的直径与管芯小端的直径一致，电极B的直径与管芯大端的直径一致，消除了现有技术中电极与管芯形成的三角形凹槽，有效保证了融凝玻璃对管芯，及管芯与电极连接处的钝化效果，使玻璃钝化层与管芯台面紧密结合，避免二极管反向工作时出现“打火”现象，提高了二极管的可靠性，具有较高的推广价值。
一种台面玻璃钝化实体封装二极管

[实用新型]一种双焊块同轴表贴器件的夹具-CN201920862094.1有效
发明人： 迟鸿燕;张薷倩 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双焊块同轴表贴器件的夹具，涉及表贴器件夹具技术领域，包括夹具帽(1)和夹具座(2)，夹具帽(1)和夹具座(2)的内部均为中空凹槽并相对应，夹具帽(1)与夹具座(2)为嵌入式安装，夹具帽(1)的槽底中部设有通孔，夹具座(2)的槽底中部设有与夹具帽(1)槽底中部通孔对应的通孔；被检测的双焊块同轴表贴器件(6)放入本申请夹具帽(1)和夹具座(2)内部凹槽中嵌入式安装夹紧，使双焊块同轴表贴器件(6)的双头引脚从夹具帽(1)和夹具座(2)中部的通孔中伸出，可实现在本申请的夹具安全防护下对双焊块同轴表贴器件(6)准确检测，同时避免了其出现机械损伤。
一种双焊块同轴器件夹具

[发明专利]一种芯片组件的封装方法-CN201910912298.6在审
发明人：古进;迟鸿燕;王智;丁小宏;吴王进;黄玉恒;杨春梅;蒋兴彪 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
整流二极管芯片组件环氧树脂封装塑化纯化处理高温环境抵抗串联清洗瞬态电压抑制二极管腐蚀玻璃封装层固化成型环境冲击烧结封装层并联放入涂粉加热模具冷却取出芯片

[发明专利]一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法-CN201610584260.7有效
发明人：古进;杨俊;肖汉斌;迟鸿燕;吴王进;蔡美晨 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
一种可靠辐照玻璃钝化恢复整流二极管制造方法

[发明专利]一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法-CN201610584257.5有效
发明人：古进;杨俊;迟鸿燕;杨彦闻;龚昌明;杨波 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
一种可靠辐照电压抑制二极管制造方法

[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法-CN201810909448.3在审
发明人：杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。
源扩散扩散二极管电压调整正向压降携带合金型涂源台面型半导体器件衬底材料硅片清洗扩散工艺欧姆接触制造芯片

[发明专利]一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用-CN201711406703.4在审
发明人：古进;迟鸿燕;张丽;杨春梅;龚昌明;蔡美晨 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用，属于二极管制造技术领域；其包括管体、引线和保护层；其中所述的管体由两根电极和芯片A、芯片B组成，管体外围由保护层包裹保护；所述的电极和引线高温烧结后，焊成一个整体的电极引线，电极引线和管体高温下熔焊键和，即得。本发明二极管尺寸极小，管体直径小于Φ1.5mm，管体长度小于1.8mm，器件同时具备了瞬态电压抑制功能和高压保护功能，可以提升线圈反向电动势的吸收速率，大大简化了在线圈保护电路中的安装方式，该复合二极管能应用于超小型继电器的续流电路中，具有较好的市场推广价值。
管体复合二极管超小型制备方法和应用玻璃钝化电极引线保护层高可靠电极继电器芯片高压保护功能瞬态电压抑制线圈保护电路二极管制造反向电动势二极管安装方式高温烧结市场推广续流电路熔焊外围吸收应用

[发明专利]一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法-CN201711474352.0在审
发明人：古进;迟鸿燕;张丽;杨春梅;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法，涉及二极管制造技术领域；包括管芯的制备、电极焊接、处理封装；本发明二极管采用U型玻璃钝化表贴封装结构，结合了玻璃钝化产品可靠性高、抗机械、温度冲击能力强特点，以及表贴封装器件尺寸小、易安装的特点，器件具有圆形引出端和方形引出端两种结构，满足用户对高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管的使用要求。
表贴二极管玻璃钝化封装电压调整高可靠制备引出端产品可靠性二极管制造电极焊接封装结构封装器件温度冲击能力强易安装钝化管芯

[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法-CN201711450070.7在审
发明人：古进;迟鸿燕;张丽;寿强亮;吴王进;黄玉恒 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法；包括以下步骤：将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具有较宽的工作温度，能在极限温度下稳定工作，相同外形尺寸下可提升80％左右的瞬态功率，使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率，具有较高的市场推广价值。 1
封装玻璃钝化表贴瞬态电压抑制二极管瞬态功率钝化芯片焊料二极管技术产品表面电极引线电极组件封装玻璃封装成型焊料熔焊市场推广蒸发金属电极片硅片粉浆化层键合链式裂片涂覆轴向焊接成型切除制造清洗腐蚀扩散

[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法-CN201711447637.5在审
发明人：古进;迟鸿燕;张丽;杨春梅;龚昌明;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法；包括以下步骤：先通过参杂扩散的方式制造击穿电压为900V～1100V的芯片；通过电子束蒸发的方式对实现硅片的表面金属化；将硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与多颗串联叠加的芯片通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具备了玻璃钝化快恢复整流硅堆反向恢复时间快、反向工作电压高、抗温度和机械冲击能力强的特点，具有极高的推广价值。
玻璃钝化快恢复整流硅堆表贴封装芯片硅片钝化制造焊料反向工作电压机械冲击能力表面金属化电子束蒸发产品表面串联叠加电极引线电极组件反向恢复封装玻璃封装成型焊料熔焊击穿电压电极片粉浆键合链式裂片涂覆轴向焊接成型切除清洗腐蚀扩散

[发明专利]一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法-CN201510193603.2有效
发明人：古进;杨艳;杨辉;迟鸿燕;杨彦闻 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。
一种可靠玻璃钝化高压制造方法

[实用新型]一种高可靠玻璃钝化高压硅堆-CN201520247306.7有效
发明人：古进;杨艳;杨辉;迟鸿燕;杨彦闻 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆，包括芯片和两个电极引线，两个所述电极引线对称的固定在所述芯片的两端，其中，所述芯片由多个管芯叠片烧结而成，所述电极引线包括引线和钨电极，所述引线和钨电极通过银铜焊片相互焊接连接，以及所述芯片的外表面还设有一玻璃层，所述玻璃层采用钝化玻璃粉制作而成。本实用新型带有钨电极的电极引线由于其化学性能稳定，在芯片台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应，使芯片腐蚀过程可控，减少金属杂质离子的对台面的沾污，大大降低了产品的常温、高温反向漏电流，同时采用与钨电极匹配的钝化玻璃粉涂粉成玻璃层，提高了产品的抗温度循环能力。
一种可靠玻璃钝化高压

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