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[发明专利]基板处理装置和制造集成电路器件的装置-CN201810022556.9有效
发明人：金伶厚;朴相真;赵庸真;吉娟真;郑志薰;赵炳权;高镛璿;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。
处理装置制造集成电路器件

[发明专利]一种基于GNSS/SINS/DVL组合的洋流速度最优估计方法-CN202310058983.3在审
发明人：刘锡祥;江美娟;黄永江;赵炳权;陈瑾杰 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01S19/52 文献下载
摘要：一种基于GNSS/SINS/DVL组合的洋流速度最优估计方法，方法包括以下步骤：(1)构建包含洋流速度在内的GNSS/SINS/DVL组合导航运动模型；(2)设计洋流速度参数寻优目标函数；(3)设计基于GNSS/SINS/DVL组合的洋流速度最优化估计算法。本发明提供一种基于最优化理论依靠GNSS/SINS/DVL输出数据来估计水平洋流速度的方法，有效的克服了传统卡尔曼滤波算法依赖初始参数、要提前预知仪表先验信息的缺点，提高了估计的效率和准确度。
一种基于 gnss sins dvl 组合洋流速度最优估计方法

[发明专利]一种基于肌电信号多层特征提取的手部运动意图识别方法-CN202211671681.5在审
发明人：吴常铖;刘志浩;赵炳权;费飞;朱永凯 -专利权人：南京航空航天大学;江苏省疾病预防控制中心（江苏省公共卫生研究院）
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A61B5/397 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肌电信号多层特征提取的手部运动意图识别方法，获取手部动作时手臂上多路肌电信号和对应的手部动作A；对多路肌电信号分别进行多层特征提取，实时更新肌电信号的时域幅值范围并根据肌电信号的时域强度分层提取满足强度要求的信号过零点数，获得特征数据；将特征数据与对应的手部动进行训练，获取预测模型。本发明提取的多层特征提供了肌电信号在不同信号强度下频率信息，提高了手部运动意图识别的准确性。
一种基于电信号多层特征提取运动意图识别方法

[发明专利]一种基于优化对准的SINS/DVL安装误差角标校方法-CN202310033868.0在审
发明人：刘锡祥;虞贺斌;黄永江;陈瑾杰;赵炳权 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：一种基于优化对准的SINS/DVL安装误差角标校方法，方法包括以下步骤：(1)构建包含安装误差角在内的SINS/DVL组合导航运动模型；(2)设计安装误差角参数寻优目标函数；(3)设计SINS/DVL安装误差角最优化估计算法。本发明提供一种仅依靠SINS和DVL输出数据而进行的安装角度误差实时在线标定算法，在无GNSS信号的复杂水下环境中，有效地估计SINS/DVL之间的安装误差，提高SINS/DVL的组合导航的导航性能。
一种基于优化对准 sins dvl 安装误差校方

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201611100627.X有效
发明人：安商燻;白宗玟;宋明根;刘禹炅;赵炳权;金秉熙;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。
制造半导体器件方法

[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法-CN201980069671.4在审
发明人：金政勋;赵炳权 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。本公开的一个目的是提供一种用于减小在制造包括半导体发光器件的显示装置中的工艺误差的制造方法和结构。
使用半导体发光器件显示装置及其制造方法

[发明专利]基于光辐射的晶圆清洗设备和包括其的晶圆清洗系统-CN202010268743.2在审
发明人： 赵炳权;朴相真;高镛璿;S·田;郑志薰;洪晟植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。
基于光辐射清洗设备包括系统

[发明专利]光学构件、背光单元以及显示装置-CN201510050192.1有效
发明人：田成万;金相天;赵炳权;申铉拳 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供了光学构件、背光单元以及显示装置。光学构件包括：反射基板，该反射基板包括基底构件、被布置在基底构件上的反射层以及被布置在反射层上的多个折射层；光学转换层，该光学转换层被布置在反射基板上；以及屏障基板，该屏障基板被布置在光学转换层上。
光学构件背光单元以及显示装置

[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法-CN201880082422.4在审
发明人：金政勋;朴昶绪;沈奉柱;赵炳权;赵贤佑 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法，尤其，本发明的显示装置包括：半导体发光元件；以及基板，具有用于容纳所述半导体发光元件的容纳槽，所述半导体发光元件具备：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层，配置于所述第一导电型半导体层的上部；第一导电型电极，配置于所述第一导电型半导体层；以及第二导电型电极，配置于所述第二导电型半导体层，并且沿着水平方向与所述第一导电型电极隔开，若所述半导体发光元件组装到所述容纳槽，则所述第一导电型半导体层具有以至少一个方向为基准呈非对称的形状，使得所述第一导电型电极和所述第二导电型电极排列到预设位置。
使用半导体发光元件显示装置及其制造方法

[发明专利]背光单元以及包括该背光单元的显示装置-CN201580034574.3有效
发明人：吴珍穆;赵炳权;崔文九 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种能够通过减小光的光谱半宽度来实现显示装置的宽色域的背光单元。由本发明提供的所述背光单元包括：光源，该光源被形成以便提供一次光；量子点磷光体，该量子点磷光体由从所述光源提供的所述一次光激发并且发出具有与所述一次光的波长不同的波长的二次光，所述量子点磷光体被布置以便与所述光源间隔开；以及光切剂，该光切剂吸收来自所述一次光或所述第二光的特定波长的光。
背光单元以及包括显示装置

[发明专利]包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件-CN201410768392.6有效
发明人：朴相真;尹普彦;全夏英;赵炳权;韩政男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。
包括具有倾角沟槽半导体器件

[发明专利]背光单元以及具有该背光单元的显示装置-CN201580030081.2有效
发明人：吴珍穆;赵炳权;申铉拳;成镇宇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种背光单元包括被配置为发射主光的多个光源以及量子点复合材料。该量子点复合材料包括：量子点荧光体，其由从所述多个光源供应的主光激励以发射波长不同于主光的波长的辅助光；以及散射颗粒，其被配置为散射主光。散射颗粒包括第一散射颗粒和第二散射颗粒，所述第二散射颗粒在尺寸上不同于第一散射颗粒并且由直径各自在5nm至50nm的范围内的颗粒组成。
背光单元以及具有显示装置

[发明专利]超临界处理腔室和用于处理基板的设备-CN201811088273.0在审
发明人：朴相真;赵炳权;赵庸真;高镛璇;吉娟真;李光旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
主体框架缓冲腔室超临界处理第一表面突起凹室连接器处理基板内部容器腔室空间可拆卸腔室处理空间处理腔室封闭腔室竖直向上联接封闭

[发明专利]用于去除氮氧化物的负载催化剂、制备其的方法、以及使用其去除氮氧化物的方法-CN201310595273.0有效
发明人：郑镇宇;南寅植;金纹圭;金平淳;赵炳权 -专利权人：现代自动车株式会社;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B01J27/12 文献下载
摘要：公开了用于去除氮氧化物的负载催化剂、制备其的方法、以及使用其去除氮氧化物的方法。其中，用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂，包括载体和固定在载体中的银（Ag）基化合物和氟化铝。制备用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂的方法，包括：浸渍步骤，其中氟化铝、其水合物或盐，和银（Ag）基化合物或其水合物与载体反应，以及煅烧载体的步骤。在用于氮氧化物的还原反应的负载催化剂的存在下，通过与还原剂的反应去除尾气中的氮氧化物。其中，该负载催化剂在270℃至400℃的实际排气温度下具有优异的氮氧化物去除效率。
用于去除氧化物负载催化剂制备方法以及使用

[发明专利]光转化膜以及具有所述光转化膜的背光单元和显示装置-CN201510224799.7有效
发明人：成镇宇;吴珍穆;赵炳权;崔文九 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： F21V9/40 文献下载
摘要：本发明涉及光转化膜以及具有所述光转化膜的背光单元和显示装置。光转化膜包括第一阻挡膜、设置在该第一阻挡膜上的光转化层和设置在该光转化层上的第二阻挡膜，所述光转化层包括基质树脂和分散于该基质树脂内的红色量子点。所述光转化膜满足以下方程(1)：5≤(光转化层内的量子点的重量/光转化层的总重量)×100×t≤50，其中t为光转化层的厚度。
转化以及有所背光单元显示装置

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