“詹柔莹”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202310348271.5在审
发明人： 詹柔莹;陈宇鹏 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在示例中，一种半导体器件包括半导体材料区域，具有第一导电类型的隐埋掺杂区域。第一导电类型的第一阱区在半导体材料区域中并且电耦接到隐埋掺杂区域。第二导电类型的第二阱区在半导体材料区域中并且具有第一峰值掺杂剂浓度。第二导电类型的第三阱区邻接第二阱区的边缘。第三阱区插置于第一阱区与第二阱区之间并且具有第二峰值掺杂剂浓度。第二导电类型的掺杂阳极区域在第一阱区中，第一导电类型的掺杂阴极区域在第二阱区中，并且第二导电类型的掺杂接触区域在第二阱区中。半导体器件被配置为半导体控制的整流器(SCR)ESD器件，用于DC击穿电压和保持电压的控制机制得到解耦。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有双向硅控整流器（SCR）的静电放电保护电路-CN201811013410.4有效
发明人： 詹柔莹;P·贝斯;A·萨勒斯 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有双向硅控整流器(SCR)的静电放电保护电路。静电放电(ESD)保护装置包括具有属于第一导电类型的掺杂阱的第一双向硅控整流器、具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的内埋式掺杂层、在所述掺杂阱中的属于所述第二导电类型的第一和第二高度掺杂区，以及在所述掺杂阱中的属于所述第一导电类型的第三高度掺杂区。所述第一、第二和第三高度掺杂区被连接到第一节点。所述掺杂阱中的第一晶体管包括耦合到所述第一高度掺杂区的发射极、耦合到所述内埋式掺杂层中的导电线的集电极，和耦合到所述第三高度掺杂区的基极。所述掺杂阱中的第二晶体管包括耦合到所述第二高度掺杂区的发射极、耦合到所述内埋式掺杂层中的所述导电线的集电极，和耦合到所述第三高度掺杂区的基极。
具有双向整流器 scr 静电放电保护电路

[发明专利]ESD保护装置、包括ESD保护装置的半导体装置和其制造方法-CN201910274173.5在审
发明人： 詹柔莹;简-菲利普·莱恩;叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫;阿兰·塞勒;帕特里斯·贝塞 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种用于保护集成电路(IC)免于ESD事件的影响的ESD保护装置包括：第一端，其耦合到所述IC的输入/输出焊盘；第二端，其耦合到参考电压或接地电压；可控硅整流器(SCR)装置，其具有连接到所述第一端的阳极和连接到所述参考电压或所述接地电压的阴极；以及pnp晶体管，其与所述SCR装置并联耦合。所述pnp晶体管具有耦合到所述第一端的发射极、耦合到所述第二端的集电极和耦合到所述SCR的栅极的基极。所述pnp晶体管包括形成于衬底的第一侧处的接触区域，所述第一接触区域被形成于所述衬底的所述第一侧处的STI层包围。在所述第一接触区域和所述STI层的相交点处形成有绝缘结构。
耦合到接触区域参考电压接地电压衬底输入/输出焊盘可控硅整流器阴极半导体装置阳极并联耦合绝缘结构第一端发射极集电极相交点集成电路包围制造

[发明专利]单堆叠双极型ESD保护装置-CN201811153334.7在审
发明人： 詹柔莹;帕特里斯·贝塞 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了ESD保护装置结构和相关制造方法。示例性半导体保护装置包括：具有第一导电类型且由第一和第二区构成的基极阱区，所述第一基极阱区具有更高掺杂浓度，且所述第二基极阱区定位于所述第一基极阱区与具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型的集电极区之间；所述第一基极阱区内的具有所述第二导电类型的发射极区；所述第一基极阱区内的第一和第二浮置区，所述第一浮置区在所述发射极区与所述第二浮置区之间，具有所述第二导电类型，所述第二浮置区在所述第一浮置区与所述第二基极阱区之间，具有所述第一导电类型。所述第一基极阱区内的所述浮置区邻接并电连接。
浮置区阱区第一导电类型导电类型发射极区半导体保护集电极区电连接高掺杂双极型邻接堆叠制造