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[发明专利]一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件-CN202211548111.7在审
发明人：韩娜;薛运周;黎德龙;陈昊;龚佑宁 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件，其中，二维层状FeS2晶体的制备方法包括步骤：提供衬底、硫源、铁源；采用化学气相沉积法，将所述硫源和铁源沉积到所述衬底上进行反应，得到所述二维层状FeS2晶体。本发明采用化学气相沉积法，成功制备得到二维层状FeS2晶体，所述二维层状FeS2晶体具有规则的几何形貌、具有金属特性。本发明提供的制备方法工艺简单，与现有半导体工艺兼容，突破了现有FeS2的非层状晶体结构的限制，弥补了现有技术无法制备层状结构FeS2晶体的空白。
一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法霍尔器件

[发明专利]一种二维钙钛矿薄膜的制备方法-CN201510627135.5有效
发明人：鲍桥梁;薛运周;李绍娟;袁建 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核‑长大‑成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
一种二维钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法-CN201310518367.8有效
发明人：鲍桥梁;李绍娟;薛运周 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，包括以下步骤，在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；在栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；在绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；在石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。本发明基于柔性衬底的光电晶体管的构建方法，可以采用印刷的方法构建，制作方法简单、成本低。同时具有柔性、轻便、体积小、集成度高的特点。
柔性衬底制备石墨光电晶体管方法

[发明专利]一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法-CN201210581219.6有效
发明人：刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。
一种绝缘材料制备晶石方法

[发明专利]制备石墨烯的方法-CN201110405494.8无效
发明人：刘云圻;耿德超;武斌;陈建毅;黄丽平;薛运周;郭云龙;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：在流动的无氧无水的气氛中，将载有铜金属层的衬底加热至铜的体相熔点及以上后，向体系中通入含碳化合物进行化学气相沉积，沉积完毕后在所述铜金属层的表面得到所述石墨烯。本发明通过化学气相沉积法在液态铜催化剂下通入惰性气体制备得到了具有各种形貌的石墨烯。该方法操作简便，简易可行，产物质量较高，可用于大规模生产。通过调节惰性气体与含碳物质和氢气的浓度比例可以调控石墨烯的形貌。
制备石墨方法

[发明专利]一种单层、有序排布的等角六边形石墨烯的制备方法-CN201110137488.9有效
发明人：武斌;耿德超;陈建毅;黄丽平;薛运周;郭云龙;于贵;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备单层、有序排布的等角六边形石墨烯的方法。该方法采用化学气相沉积法进行制备，包括下述步骤：将沉积有铜的衬底或表面放置有铜的衬底放入无水无氧的反应器中，加热使所述衬底的温度不低于1080℃，维持30-60min进行退火，然后向所述反应器中通入碳源进行反应或待所述衬底降温至不低于1000℃(优选不低于1045℃)再向所述反应器中通入碳源进行反应，得到规则有序的等角六边形石墨烯。该方法操作简便，简易可行，产物质量较高，可用于大规模生产。
一种单层有序排布等角六边形石墨制备方法

[发明专利]一种制备石墨烯的方法-CN201110026532.9有效
发明人：刘云圻;陈建毅;黄丽平;武斌;薛运周;耿德超;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。
一种制备石墨方法

[发明专利]一种在铁基衬底上制备大面积高质量石墨烯的方法-CN201010576439.0无效
发明人：刘云圻;薛运周;武斌;黄丽平;郭云龙;陈建毅;刘洪涛;耿德超;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法是采用化学气相沉积法进行制备的，根据制备过程中所采用的碳源不同，分为下述两种情况：1)将铁催化剂放入无氧的反应器中，使催化剂的温度达到750～1000℃，然后向所述反应器中通入气体碳源进行反应，得到石墨烯；2)将固体碳源涂覆于铁催化剂表面或置于铁催化剂上，然后放入无氧的反应器中，在750～1000℃条件下进行反应，得到石墨烯；其中，所述铁催化剂可为单质铁、铁合金或含铁化合物。本发明利用化学气相沉积法在铁上制备大面积高质量石墨烯的方法操作方便，简单易行，可用于大规模生产，而且与石墨氧化法制备的石墨烯相比具有较少的缺陷。
一种衬底制备大面积质量石墨方法

[发明专利]石墨烯泡沫及其制备方法-CN201010183833.8无效
发明人：刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;武斌;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯泡沫及其制备方法。本发明所提供的石墨烯泡沫是按照包括下述步骤的方法制备得到的：1)将金属泡沫材料放进真空管式炉内，并在非氧化性气氛下进行煅烧；2)采用化学气相沉积法，在煅烧后的金属泡沫材料上沉积石墨烯；3)将得到的石墨烯修饰的金属泡沫材料中的泡沫金属除去；然后将得到的泡沫材料依次用去离子水、乙醇、乙醚清洗，取出烘干，得到所述石墨烯泡沫。该石墨烯泡沫材料为三维空心多孔网状结构，网壁为石墨烯，这种结构特点有效的阻止了石墨烯的团聚；集合了泡沫材料，导电材料的特点；具有超低密度、超高表面积、高导热、耐高温、耐腐蚀等优点。
石墨泡沫及其制备方法

[发明专利]制备聚天冬酰胺与壳聚糖共聚仿生膜材料的方法-CN200610015364.2无效
发明人：孙波;安钢;薛运周;吴新世;米镇涛 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C08G81/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备聚天冬酰胺与壳聚糖共聚仿生膜材料的方法。该方法首先合成具有不同侧链的聚天冬氨酸或其衍生物，然后将带有不同侧链的聚天冬氨酸或其衍生物与壳聚糖在酸性介质中进行交联共聚反应，所得产物——聚天冬酰胺与壳聚糖共聚仿生膜材料具有类细胞壁膜的性质，是一种环境友好型仿生膜材料。可用于膜分离，用作环境敏感型膜材料等，而广泛应用于医药工业，食品工程，印染工业，污水处理等领域。
制备天冬聚糖共聚仿生材料方法

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