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[发明专利]琴弦表面沉积改性石墨烯保护膜的制备及分析评估方法-CN202210876027.1在审
发明人： 罗庇荣;韩晴;王容南;武晶;闫红 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种琴弦表面沉积改性石墨烯保护膜的制备及分析评估方法，属于材料科学技术领域，具体步骤如下：将处理后的琴弦置于石英管中，并放置在加热炉的中心，Cu(OAc)2放置在距离加热中心20cm处，三甲基硼氨烷放置在距离加热中心40cm处。将管式炉温度在20分钟内升高到800‑1050℃，通入氩气、氢气和甲烷，并保持20分钟以生长BCN膜。用拉曼光谱和X射线光电子能谱分析表征BCN膜的结构特性，并对样品进行环境暴露腐蚀实验，探究硼、氮共掺杂改性石墨烯对琴弦的长期防护能力。本发明通过固态硼氮掺杂源以及固、气双碳源制备硼、氮改性石墨烯，并直接化学气相沉积于金属琴弦，延长其使用寿命，且一个原子厚度的改性石墨烯涂层不会改变金属琴弦的本征音色和音质。
琴弦表面沉积改性石墨保护膜制备分析评估方法

[发明专利]一种可控制备石墨烯的方法-CN201410455622.3有效
发明人：于贵;罗庇荣;耿德超;徐洁;王华平 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可控制备石墨烯的方法。该方法包括：将金属催化剂置于反应器中，在还原性气氛中于常压下加热使所述金属催化剂升温至1000～1050℃，并保温10-40分钟；维持所述金属催化剂的温度不变，将所述反应器密封并抽成真空状态，接着关闭真空泵，维持反应器中的真空状态；向所述反应器中通入碳源气体和还原性气体进行变压化学气相沉积；当所述反应器内的压强增加到常压时，关闭碳源气体，同时将密封的反应器与外界连通，维持所述还原性气体的流速并通入惰性气体进行冷却，在所述金属催化剂上得到所述石墨烯。本发明通过改变碳源气体/还原性气体流量比，进而改变压强变化的速率达到控制石墨烯形貌和层数演变的效果。
一种可控制备石墨方法

[发明专利]一种制备石墨烯的方法-CN201310064051.6有效
发明人：于贵;罗庇荣;徐洁;刘洪涛;耿德超;武斌;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，利用催化剂活化二氧化碳的性质，然后再通过加氢反应在铜基底上生长石墨烯。通过控制二氧化碳的流量来改变碳源浓度从而达到形貌演变的效果。本发明公开的方法，与传统的方法相比，大大增加了制备石墨烯过程中其形貌的可控程度，可控地制备了由六角形转变到圆形的石墨烯。
一种制备石墨方法

[发明专利]一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法-CN201210581219.6有效
发明人：刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。
一种绝缘材料制备晶石方法