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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810769160.0有效
发明人：王文洁;刘权升;陈柏成 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、感光元件与导光结构。感光元件设置在基底中。导光结构位于感光元件上方。导光结构具有彼此相对的顶面与底面，且底面较顶面更接近基底。导光结构的最小宽度的位置位于顶面与底面之间。上述半导体结构及其制造方法可缩短制作工艺时间且可有效地降低散射光的信号干扰。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置-CN202310869408.1在审
发明人：杨柏宇 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有一半导体基板、一纳米线，位于该半导体基板上、一栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位，以及一源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧。该源、漏极区域内至少具有一插排面。
栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310618619.8在审
发明人：张竞予;傅思逸;洪裕祥;许智凯;程伟麒;郑志祥 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中半导体元件包含：一基底，一栅极结构设于基底上，以及一间隙壁设于栅极结构旁，其中间隙壁延伸至栅极结构上表面，间隙壁上表面包含一平坦表面，间隙壁包围住一气孔且间隙壁由单一材料所构成。栅极结构较佳包含一高介电常数介电层、一功函数金属层以及一低阻抗金属层，其中高介电常数介电层为U型。此外半导体元件另包含一层间介电层环绕栅极结构以及一硬掩模设于间隙壁上，其中硬掩模上表面切齐层间介电层上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置-CN201510769624.4有效
发明人：杨柏宇 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有一半导体基板、一纳米线，位于该半导体基板上、一栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位，以及一源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧。该源、漏极区域内至少具有一插排面。
栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202211569054.0在审
发明人：林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：主要先形成第一主动区以及第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上，然后形成第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于第一主动区以及第二主动区之间，之后再形成第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区以及第二主动区，其中第一单扩散隔离结构设于第一主动区以及第二主动区之间的第一栅极线正下方。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法-CN202310114217.4在审
发明人：林猷颖;古冠轩;胡益诚;刘厥扬;吕水烟;林钰书;杨钧耀;王俞仁;杨能辉 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。
外延结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310114108.2在审
发明人：林猷颖;叶怡良;蔡松蒝;游峻伟;王俞仁;吴振;林泰言 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]鳍状结构及其制造方法-CN202010493391.0有效
发明人：沈文骏;傅思逸;吴彦良;刘家荣;洪裕祥;张仲甫;吕曼绫;陈意维 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包含有一基底，具有一第一鳍状结构位于一第一区，以及一第二鳍状结构位于一第二区，其中第二鳍状结构包含一阶梯状的剖面结构部分。本发明也提供二种形成此鳍状结构的方法。例如，提供一基底，具有一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构。接着，进行一处理制作工艺，将第二鳍状结构的顶部的一外表面改质，而形成一改质部。其后，进行一移除制作工艺，经由对于第一鳍状结构以及第二鳍状结构与对于改质部的高移除选择比，而移除改质部，因而形成具有一阶梯状的剖面结构部分的第二鳍状结构。
结构及其制造方法

[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法-CN201610598784.1有效
发明人：林猷颖;古冠轩;胡益诚;刘厥扬;吕水烟;林钰书;杨钧耀;王俞仁;杨能辉 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。
外延结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810048244.5有效
发明人：林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：主要先形成第一主动区以及第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上，然后形成第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于第一主动区以及第二主动区之间，之后再形成第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区以及第二主动区，其中第一单扩散隔离结构设于第一主动区以及第二主动区之间的第一栅极线正下方。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210948852.8在审
发明人：林俊豪;陈信宇;谢守伟 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一浅沟隔离于鳍状结构周围，形成一栅极层于鳍状结构及浅沟隔离上，去除部分栅极层、部分鳍状结构以及部分浅沟隔离以形成一开口，之后再形成一介电层于开口内以形成一单扩散隔离结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]集成电路以及其制作方法-CN202210676308.2在审
发明人：邱久容;林宏展;陈禹钧 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路以及其制作方法。该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器，且底板与上板电连接。
集成电路及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201710516576.7有效
发明人：林俊豪;陈信宇;谢守伟 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一浅沟隔离于鳍状结构周围，形成一栅极层于鳍状结构及浅沟隔离上，去除部分栅极层、部分鳍状结构以及部分浅沟隔离以形成一开口，之后再形成一介电层于开口内以形成一单扩散隔离结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202210409087.2在审
发明人：游焜煌;萧世楹 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/11539 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件及其制造方法。存储器元件，包括第一栅极、第二栅极以及栅间介电层。第一栅极埋入衬底中。第二栅极配置于衬底上，且第二栅极的材料包括金属。栅间介电层配置于第一栅极与第二栅极之间。另提供一种存储器元件的制造方法。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件与半导体装置-CN201810005924.9有效
发明人：黄俊宪;龙镜丞;郭有策;陈昌宏;王淑如;李伟齐;曾俊砚 -专利权人： 蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件与半导体装置。该半导体元件包括第一电路结构与第二电路结构。第一电路结构具有第一线端。第二电路结构具有第二线端。所述第一线端与所述第二线端是形成在第一电路层，但是以一个间距分离。导电结构形成在位于所述第一电路层的上方或是下方的第二电路层中，电连接所述第一线端与所述第二线端。
半导体元件装置

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