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[发明专利]自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局-CN202210207577.4在审
发明人： 曾俊砚;郭有策;王淑如;王荏滺;黄莉萍;吴奕廷;吴家荣;黄俊宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局，其中该自旋轨道力矩磁性存储器电路包含一读取晶体管对，具有两个并联的读取晶体管、一写入晶体管对，具有两个并联的写入晶体管、一自旋轨道力矩磁性存储器单元，具有一磁隧穿结以及一自旋轨道力矩层，其中该磁隧穿结的一端连接到该读取晶体管对的源极而另一端连接到该自旋轨道力矩层，该自旋轨道力矩层的一端连接到一来源线而另一端连接到该写入晶体管对的源极、一读取位线，连接到该读取晶体管对的漏极、以及一写入位线，连接到该写入晶体管对的漏极。
自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN202111588319.7在审
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如;陈建宏;黄莉萍;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一PU1(第一上拉晶体管)、一PU2(第二上拉晶体管)、一PD1A(第一下拉晶体管)、一PD1B(第二下拉晶体管)、一PD2A(第三下拉晶体管)、一PD2B(第四下拉晶体管)、一PG1A(第一存取晶体管)、一PG1B(第二存取晶体管)、一PG2A(第三存取晶体管)、一PG2B(第四存取晶体管)位于该基底上，其中该PD1A与该PD1B相互并联，该PD2A与该PD2B相互并联，其中该多个栅极结构中包含有一第一J状栅极结构，且该第一J状栅极结构为一体成形的结构。
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]半导体存储装置的布局-CN202111571043.1在审
发明人： 曾俊砚;郭有策;王淑如;黄俊宪;余欣炽;庄孟屏;黄莉萍;陈玉芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储装置的布局，包括基底以及三元内容可寻址存储器。三元内容可寻址存储器设置在基底上并包括多个三元内容可寻址存储器位单元，且其中至少两个沿着一对称轴呈镜像对称，其中各三元内容可寻址存储器位单元包括分别电连接至两条字线的两个存储单元，以及电连接至该些存储单元的逻辑电路。逻辑电路包括两个第一读取晶体管，以及两个第二读取晶体管，各第二读取晶体管包括栅极以及两个源极/漏极区，第二读取晶体管的源极/漏极区分别电连接至两条匹配线以及第一读取晶体管，其中，字线平行地设置于匹配线之间。
半导体存储装置布局

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN202111411027.6在审
发明人：王淑如;郭有策;陈建宏;黄俊宪;黄莉萍;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含基底、PL1(第一上拉晶体管)、PD1(第一下拉晶体管)、PL2(第二上拉晶体管)及PD2(第二下拉晶体管)位于基底上，另包含PG1A(第一存取晶体管)、PB1B(第二存取晶体管)、PG2A(第三存取晶体管)及PG2B(第四存取晶体管)，PG1A与PG1B包含相同的第一鳍状结构，PG2A与PG2B包含相同的第二鳍状结构，第一局部互连层位于PG1A与PG1B之间，且位于PL1与PD1所包含的鳍状结构上，及第二局部互连层位于PG2A与PG2B之间，且位于PL2与PD2所包含的鳍状结构上。
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]半导体布局图案及其形成方法-CN202110696593.X在审
发明人： 曾俊砚;郭有策;王淑如;黄俊宪;余欣炽;庄孟屏;黄莉萍 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体布局图案及其形成方法，其中该半导体布局图案包含一基底，基底上有多个三元内容可定址存储器(Ternary contentaddressable memory,TCAM)，其中至少两个TCAM的布局沿着一对称轴相互镜射对称，且该两个TCAM共同连接到同一搜寻线(SL)。
半导体布局图案及其形成方法

[发明专利]双端口三态内容可寻址存储器及其布局图案及存储器装置-CN201910408706.4有效
发明人：黄俊宪;龙镜丞;郭有策;王淑如;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种双端口三态内容可寻址存储器及其布局图案及存储器装置。该双端口三态内容可寻址存储器可包含一第一存储单元、一第二存储单元、一组第一搜寻端子、一组第二搜寻端子、一第一比较电路、一第二比较电路、一第一匹配端子以及一第二匹配端子，其中该第一比较电路分别耦接至该第一存储单元、该第二存储单元、该组第一搜寻端子以及该第一匹配端子，而该第二比较电路分别耦接至该第一存储单元、该第二存储单元、该组第二搜寻端子以及该第二匹配端子。另外，第一搜寻数据以及第二搜寻数据可同时被输入至该双端口三态内容可寻址存储器以供判断该第一搜寻数据以及该第二搜寻数据是否与该双端口三态内容可寻址存储器中的内容数据匹配。
端口三态内容寻址存储器及其布局图案装置

[发明专利]三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器-CN202110095452.2在审
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如;曾俊砚;张竣杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C11/411 文献下载
摘要：本发明公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器，其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区，第二栅极线横跨第四主动区，第三栅极线横跨第一主动区，且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元，其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。
三态内容定址存储器以及端口静态随机存取存储器

[发明专利]半导体元件与半导体装置-CN201810005924.9有效
发明人：黄俊宪;龙镜丞;郭有策;陈昌宏;王淑如;李伟齐;曾俊砚 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件与半导体装置。该半导体元件包括第一电路结构与第二电路结构。第一电路结构具有第一线端。第二电路结构具有第二线端。所述第一线端与所述第二线端是形成在第一电路层，但是以一个间距分离。导电结构形成在位于所述第一电路层的上方或是下方的第二电路层中，电连接所述第一线端与所述第二线端。
半导体元件装置

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案-CN202010770916.0在审
发明人： 曾俊砚;王淑如;郭有策;陈昌宏;吴奕廷;叶书玮;邱雅兰;黄俊宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。
磁阻随机存取存储器布局图案

[发明专利]用于三态内容寻址存储器的控制电路-CN202111189961.8在审
发明人： 曾俊砚;龙镜丞;郭有策;黄俊宪;余欣炽;王淑如 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于三态内容寻址存储器的控制电路。该三态内容寻址存储器的控制电路包括第一逻辑单元及第二逻辑单元。第一逻辑单元耦接于第一存储单元、第二存储单元、第一查找线、第二查找线，参考电压端及匹配线。第二逻辑单元耦接于所述第一存储单元、所述第二存储单元、所述第一查找线、所述第二查找线、第一供电线及第二供电线。当所述第一查找线及所述第二查找线的电压匹配于所述第一存储单元及所述第二存储单元的电压时，所述第二逻辑单元提供路径使所述第一供电线电性连接于所述第二供电线。
用于三态内容寻址存储器控制电路

[发明专利]用于三态内容寻址存储器的控制电路-CN201810777449.7有效
发明人： 曾俊砚;龙镜丞;郭有策;黄俊宪;余欣炽;王淑如 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于三态内容寻址存储器的控制电路。该三态内容寻址存储器的控制电路包括第一逻辑单元及第二逻辑单元。第一逻辑单元耦接于第一存储单元、第二存储单元、第一查找线、第二查找线，参考电压端及匹配线。第二逻辑单元耦接于所述第一存储单元、所述第二存储单元、所述第一查找线、所述第二查找线、第一供电线及第二供电线。当所述第一查找线及所述第二查找线的电压匹配于所述第一存储单元及所述第二存储单元的电压时，所述第二逻辑单元提供路径使所述第一供电线电性连接于所述第二供电线。
用于三态内容寻址存储器控制电路

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN201710864959.3有效
发明人：王淑如;龙镜丞;郭有策;陈建宏;黄俊宪;黄莉萍;曾俊砚;庄孟屏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含一基底，一第一上拉晶体管(PL1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PL2)以及一第二下拉晶体管(PD2)位于该基底上，另包含一第一存取晶体管(PG1A)，一第二存取晶体管(PG1B)，第三存取晶体管(PG2A)以及一第四存取晶体管(PG2B)，其中该PG1A与该PG1B包含有一相同的第一鳍状结构，该PG2A与该PG2B包含有一相同的第二鳍状结构，一第一区域连接层，位于该PG1A与该PG1B之间，且位于该PL1与该PD1所包含的该鳍状结构上，以及一第二区域连接层，位于该PG2A与该PG2B之间，且位于PL2与该PD2所包含的该鳍状结构上。
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]存储器-CN202010082652.X在审
发明人： 曾俊砚;郭有策;陈昌宏;王淑如;邱雅兰;黄俊宪;蔡志维;余欣炽;吴奕廷;黄正同;王荏滺;吴祯祥;杨伯钧;谢咏净;陈健中;李柏昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器，包含(n‑1)个非挥发性单元，(n‑1)条位线及电流驱动电路。该(n‑1)个非挥发性单元的每个非挥发性单元包含第一端及第二端。该(n‑1)条位线的第i位线耦接于该(n‑1)个非挥发性单元的第i非挥发性单元的第一端。该电流驱动电路包含n个晶体管，耦接于该(n‑1)个非挥发性单元。
存储器

[发明专利]静态随机存取存储器结构-CN201810523016.9有效
发明人： 曾俊砚;龙镜丞;郭有策;黄俊宪;余欣炽;王淑如 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器结构，其主要包含一第一反相器包含一第一下拉晶体管以及一第一上拉晶体管、一第二反相器包含一第二下拉晶体管以及一第二上拉晶体管、一第一传导晶体管耦接于该第一反相器以及一第二传导晶体管耦接于该第二反相器。其中第一反相器耦接于一第一穿隧磁阻(tunnel magnetoresistance，TMR)结构而第二反相器耦接于一第二穿隧磁阻结构。
静态随机存取存储器结构

[发明专利]存储器元件以及其操作方法-CN201810149189.9有效
发明人： 曾俊砚;张庭豪;龙镜丞;郭有策;梁世豪;黄俊宪;王淑如;余欣炽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件以及其操作方法，该存储器元件包含第一区域，其中有多个氧化半导体静态随机存取存储器(OSSRAM)沿着第一方向排列，且各该OSSRAM包含有静态随机存取存储器(SRAM)以及至少一氧化半导体动态随机存取存储器(DOSRAM)，该DOSRAM与该SRAM相连，其中各该DOSRAM都包含有氧化半导体栅极(OSG)，各氧化半导体栅极沿着第二方向延伸，该第二方向与该第一方向互相垂直，以及氧化半导体通道区沿着该第一方向延伸，氧化半导体栅极连接线沿着该第一方向延伸，连接各该氧化半导体栅极，以及字符线、Vcc连接线以及Vss连接线，都沿着该第一方向延伸，并且与各OSSRAM中的各SRAM相连。
存储器元件及其操作方法

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