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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置-CN202310869408.1在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有一半导体基板、一纳米线，位于该半导体基板上、一栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位，以及一源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧。该源、漏极区域内至少具有一插排面。
栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置

[发明专利]半导体元件-CN202210149392.2在审
发明人： 杨柏宇;刘芳云;乐建东;叶国梁;蔡木凯;赖进鸿;陈正雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，包含：基底；第一晶体管，设置于所述基底上；第二晶体管，设置在邻近所述第一晶体管的所述基底上；至少一层间介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管；第一应力诱发虚设金属图案，设置在所述至少一层间介电层上并位于所述第一晶体管正上方；以及第二应力诱发虚设金属图案，设置在所述至少一层间介电层上并位于所述第二晶体管正上方。
半导体元件

[发明专利]栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置-CN201510769624.4有效
发明人： 杨柏宇 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有一半导体基板、一纳米线，位于该半导体基板上、一栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位，以及一源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧。该源、漏极区域内至少具有一插排面。
栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置

[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法-CN202210092678.1在审
发明人： 杨柏宇;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，其中该半导体存储器元件，包含基底；晶体管，设置在基底上，包含设置在基底中的源极掺杂区、漏极掺杂区、在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区，以及在沟道区上的栅极；数据存储区，邻近晶体管且凹陷于基底中，其中，数据存储区包含凸脊和V形凹槽；底部电极层，顺形地覆盖数据存储区域内的凸脊和V形凹槽；电阻切换层，顺形地覆盖底部电极层；以及顶部电极层，覆盖电阻切换层。
半导体存储器元件及其制作方法

[发明专利]多位可变电阻式存储器单元及其形成方法-CN201910953647.9有效
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种多位可变电阻式存储器单元及其形成方法，其中该多位可变电阻式存储器单元包含多个底电极、多个介电层、一顶电极以及一可变电阻层。底电极以及介电层构成交错堆叠的材料层，各底电极夹置于介电层之间，以及一通孔穿过交错堆叠的材料层。顶电极设置于通孔中。可变电阻层设置于通孔的一侧壁上以及位于顶电极以及交错堆叠的材料层之间，因而顶电极、可变电阻层以及底电极构成一多位可变电阻式存储器单元。
可变电阻存储器单元及其形成方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210041542.8在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210558817.5在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210041535.8在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法主要包括：先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一压缩应力层于该P型半导体层一侧，再形成一拉伸应力层于该P型半导体层另一侧。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]具有非对称应变源极/漏极结构的半导体元件其制作方法-CN201910030933.8有效
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有非对称应变源极/漏极结构的半导体元件其制作方法，其中该半导体元件包含：一基底，具有一上表面；一第一区域，位于该基底中；一第二区域，位于该基底中，并与该第一区域间隔开；一通道区域，介于该第一区域与该第二区域之间；一栅极结构，位于该通道区域上；m个差排，位于该第一区域内，其中m为大于或等于1的整数；以及n个差排，位于该第二区域内，其中n为大于或等于0的整数，又其中m大于n。
具有对称应变结构半导体元件制作方法

[发明专利]具有应变通道的晶体管及其制作方法-CN201910030931.9有效
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有应变通道的晶体管及其制作方法，该半导体元件包含：一基底，具有一上表面；一源极区域，设于该基底中；一漏极区域，设于该基底中；一凹槽，介于该源极区域与该漏极区域之间，从该基底的该上表面延伸进入该基底中，其中该凹槽具有一六角形剖面轮廓；一应力诱发材料层，设于该凹槽内；一通道层，设于该应力诱发材料层上；以及一栅极结构，设于该通道层上。
具有应变通道晶体管及其制作方法

[发明专利]纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构-CN201810605874.8有效
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构，该纳米管晶体管结构，包含一基底，一第一纳米管悬挂于基底上，一第一栅极线横跨并环绕第一纳米管，第一栅极线具有一第一末端和一第二末端，一第二栅极线横跨并环绕第一纳米管，第二栅极线具有一第三末端和第四末端以及一层间介电层包覆第一末端、第二末端、第三末端和第四末端，其中第一末端和第一纳米管之间的一第一距离小于第三末端和第一纳米管之间的一第三距离。
纳米晶体管结构管反相器

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110563682.7在审
发明人： 杨柏宇;王珣彣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包括一外延叠层位于一基底上，一栅极结构位于该外延叠层上，一钝化层位于该外延叠层并覆盖该栅极结构，以及一气隙位于该钝化层及该栅极结构之间。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110344718.2在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管的制作方法，步骤包括提供一基底，形成一缓冲层于该基底上、一通道层于该缓冲层上、一势垒层于该通道层上，以及一半导体栅极层于该势垒层上。在该半导体栅极层上形成一金属栅极层，并形成一间隙壁于该金属栅极层的侧壁上。以该金属栅极层及该间隙壁为掩模来蚀刻半导体栅极层，然后形成一钝化层覆盖该势垒层、该半导体栅极层以及该金属栅极层。在该钝化层中形成一开口以暴露出该金属栅极层，接着形成一栅极电极于该钝化层上并直接接触该金属栅极层。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110198026.1在审
发明人： 杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一第一基板，包含一第一接触结构位于一第一接垫上，其中所述第一接触结构包含被一第一纳米双晶金属涂层覆盖的一第一金属基层；以及一第二基板，包含一第二接触结构位于一第二接垫上，其中，所述第二接触结构包含在所述第二接垫上的一第二纳米双晶金属涂层，其中，所述第一接触结构与所述第二接触结构连接，从而在所述第一纳米双晶金属涂层和所述第二纳米双晶金属涂层之间构成一键合界面。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202110156459.0在审
发明人： 杨柏宇;王珣彣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、通道层、栅极电极、第一电极、第二电极以及金属板。通道层设置在基底上，栅极电极则设置于通道层上。第一电极以及第二电极设置于通道层上并分别位于栅极电极的两相对侧。金属板设置于通道层上，并且介于第一电极与栅极电极之间。其中，金属板包括第一延伸部以及第二延伸部，第二延伸部朝向基底延伸且不接触通道层，而第一延伸部朝向第一电极或第二电极延伸并直接接触第一电极或第二电极。
半导体装置及其制作方法

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