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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810731334.4有效
发明人： 萧孟轩;陈维宁;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构，其包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域。所述第一晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处的第一沟道。所述第二晶体管包括所述半导体衬底的所述顶面处的掺杂有第二导电性掺杂剂的第二抗穿通区域。所述第二晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第二距离处的第二沟道，所述第二距离大于所述第一距离。本发明实施例还涉及一种用于制造本文中所描述的半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201910917170.9有效
发明人：李东颖;张开泰;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本揭露描述的实施方式描述由个别形成的纳米线半导体带的堆叠形成栅极全环(“GAA”)元件的技术，即集成电路及其制造方法。个别形成的纳米线半导体带未各别栅极全环元件量身订做。形成沟渠于磊晶层的第一堆叠中，以定义出形成磊晶层的第二堆叠的空间。将沟渠底部修改成在形状或结晶晶面取向上具有确定或已知参数。利用沟渠底部的已知参数选择适合制程来以相对平坦基底面的方式填充沟渠底部。
集成电路及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201910563723.5有效
发明人：叶凌彦;萧孟轩;孙元成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本揭示是关于一种集成电路。所揭示的技术在沟槽内局部地形成磊晶层，此沟槽具有在沟槽的侧壁中堆叠的角形凹陷。控制凹陷大小以控制在沟槽内形成的磊晶层的厚度。凹陷由覆盖层覆盖并且从最底部凹陷开始相继地逐个暴露出。磊晶层在沟槽内逐个形成，磊晶层的晶面边缘部分对准到相应凹陷中，此凹陷是为了磊晶层而相继地暴露的凹陷。
集成电路及其制造方法

[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件-CN202111074018.2在审
发明人：李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及包括FinFET的半导体器件，包括：第一FinFET，包括沿第一方向延伸的第一鳍结构和第一源/漏外延结构；第二FinFET，包括沿第一方向延伸的第二鳍结构和第二源/漏外延结构；第一介电层，分隔第一和第二源/漏外延结构；以及第一源/漏接触件，接触第一源/漏外延结构，其中：第一FinFET仅包括一个鳍结构，第一源/漏外延结构在沿着与第一方向垂直的第二方向的截面中相对于第一鳍结构是不对称的，第一源/漏接触件接触第一源/漏外延结构的顶面和一个侧面并且接触隔离绝缘层，以及第二介电层与第一源/漏外延结构的另一侧面接触。
包括场效应晶体管半导体器件

[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件及其形成方法-CN201710403081.3有效
发明人：李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成牺牲层。在牺牲层上方形成掩模图案。通过使用掩模图案作为蚀刻掩模图案化牺牲层和源极/漏极结构，从而形成邻近于图案化的牺牲层和图案化的源极/漏极结构的开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的牺牲层以在图案化的源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明的实施例还涉及包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件。
包括场效应晶体管半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110053759.6在审
发明人： 萧孟轩;李东颖;云惟胜;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成在第一方向上交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构。所形成的第一半导体层的厚度在第一方向上进一步远离衬底间隔开的每个第一半导体层中增大。将堆叠结构图案化为沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的鳍结构。去除相邻的第二半导体层之间的第一半导体层的部分，并且栅极结构形成为在第三方向上在第一半导体层的第一部分上方延伸，使得栅极结构包裹第一半导体层。第三方向基本垂直于第一方向和第二方向。在第一半导体层的第一部分处的第一半导体层中的每个具有基本相同的厚度。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201711268389.8有效
发明人：奥野泰利;彭成毅;方子韦;张毅敏;峰地辉;林佑明;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括场效晶体管(FET)。场效晶体管包括通道区域及相邻通道区域的源极/漏极区域。场效晶体管亦包括设置在通道区域上方的栅极电极。场效晶体管为n型场效晶体管且通道区域是由Si制成。源极/漏极区域包括含有Si1‑x‑yM1xM2y的磊晶层，其中M1为Ge及Sn中的一者或多者，M2为P及As中的一者或多者，并且0.01≤x≤0.1。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710906480.1有效
发明人： 萧孟轩;杨育佳;李东颖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成第一牺牲层。图案化第一牺牲层，从而形成开口。在开口的底部中的隔离绝缘层上和图案化的第一牺牲层的至少侧面上形成第一衬垫层。在形成第一衬垫层之后，在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的第一牺牲层，从而在源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201710906158.9有效
发明人：李东颖;方子韦;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在形成FinFET的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成第一牺牲层。使第一牺牲层凹进，使得在隔离绝缘层上形成第一牺牲层的剩余层并且暴露源极/漏极结构的上部。在剩余层和暴露的源极/漏极结构上形成第二牺牲层。图案化第二牺牲层和剩余层，从而形成开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的第一牺牲层和图案化的第二牺牲层以在源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]全包覆式栅极结构及其制造方法-CN201910146340.8在审
发明人： 萧孟轩;云惟胜;陈维宁;李东颖;叶凌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明实施例涉及全包覆式栅极结构及其制造方法。本揭露提供全包覆式栅极结构，其包含：半导体鳍片，其具有顶表面；第一纳米线，其在所述顶表面上方；第一空间，其在所述顶表面与所述第一纳米线之间；第N纳米线及第N+1纳米线，其在所述第一纳米线上方；及第二空间，其在所述第N纳米线与所述第N+1纳米线之间。所述第一空间大于所述第二空间。本揭露还提供一种用于制造本文中所描述的所述全包覆式栅极结构的方法。
纳米线全包覆式栅极结构顶表面第二空间第一空间半导体鳍片制造

[发明专利]集成半导体装置-CN201811295405.7在审
发明人：彭成毅;吕俊颉;萧孟轩;叶凌彦;卡罗司·迪亚兹;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成半导体装置包含第一半导体装置、层间介电层以及第二半导体装置。第一半导体装置具有第一晶体管结构。层间介电层是在第一半导体装置上。层间介电层的厚度实质为10nm至100nm。第二半导体装置是在层间介电层上且具有作为第二晶体管结构的通道层的二维材料层。
半导体装置层间介电层集成半导体装置晶体管结构二维材料厚度实质通道层

[发明专利]长效型持续释放药物的注射式凝胶组合物及其制备方法-CN201410680286.2在审
发明人：刘典谟;周昊勳;萧孟轩;陈怡潔 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： A61K9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种凝胶组合物及其制备方法。凝胶组合物，包含多个几丁聚醣球、碱性几丁聚醣结构安定剂、几丁聚醣分解酶以及药物。几丁聚醣球是由几丁聚醣自我组装形成。碱性几丁聚醣结构安定剂使几丁聚醣球彼此连接以形成凝胶体。几丁聚醣分解酶散布于凝胶体中，并于20～40℃的温度下分解凝胶组合物。药物散布于凝胶体中。本发明于凝胶组合物内添加几丁聚醣分解酶，不仅可藉由调整添加酶的浓度来控制凝胶组合物的分解速度，亦可控制药物释放速度与释放量，以达到治疗所需求的剂量，使凝胶组合物可持续、稳定且长时间地释放药物。
长效持续释放药物注射凝胶组合及其制备方法

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