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[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件-CN202210428611.0在审
发明人：姜镐在;张正训 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层，第一反射层包括第一导电掺杂剂；第二反射层，第二反射层包括第二导电掺杂剂；以及有源区，有源区被布置在第一反射层和第二反射层之间，有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体，第一腔体与第一反射层相邻，第一腔体包括基于AlxGaAs的层，0X1，第一腔体中的Al浓度被控制以在有源层的方向上降低。
表面发射激光器器件包括发光

[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件-CN202210428621.4在审
发明人：姜镐在;张正训 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层、第二反射层和有源区，第一反射层包括：具有第一铝浓度的第一‑第一层；具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在第一‑第一层上的第一‑第二层；以及第一‑第三层，第一‑第三层被布置在第一‑第一层和第一‑第二层之间并且具有在第一‑第三层内从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度，第一‑第一层比第一‑第二层更靠近有源区，第一‑第一层、第一‑第二层和第一‑第三层掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一‑第三层的第一导电掺杂浓度低于第一‑第一层的第一导电掺杂浓度和/或第一‑第二层的第一导电掺杂浓度。
表面发射激光器器件包括发光

[发明专利]半导体器件-CN202210586457.X在审
发明人：朴修益 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN202210482686.7在审
发明人：吴炫智;崔洛俊;金炳祚 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，半导体器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；其中，有源层包括多个阻挡层和阱层，阻挡层、阱层、第一导电型半导体层及第二导电型半导体层包括铝，第二导电型半导体层包括铝组成随远离有源层而以一斜率渐小的半导体层。
半导体器件包括封装

[发明专利]发光器件-CN201780019975.0有效
发明人：金基显 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：在一实施例中公开的发光器件包括：主体，包括具有开口上部的凹部；多个电极，设置在所述凹部的底部；以及发光二极管，设置在所述多个电极中的至少一个电极上，其中所述凹部的侧表面相对于所述发光二极管的光轴成第一角度，以及所述发光二极管与所述凹部的侧表面之间的最小距离和所述第一角度的正切值的乘积在0.21至0.42的范围内。
发光器件

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202210379216.8在审
发明人：成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：在一个实施例中公开了一种半导体器件及半导体器件封装。一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202210379245.4在审
发明人：成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：在一个实施例中公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装。一种半导体器件，其包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层；第二电极，电耦接到第二导电半导体层；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括设置在反射层上的第一层，并且第一层包括Ti；覆盖层还包括中间层，设置在第一层上并包括多个层，中间层包括第一中间层，直接设置在第一层上并包括Ni，并且第一层与第一中间层的厚度比在1：1至3：1的范围内。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装-CN201780039190.X有效
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体元件-CN201780041851.2有效
发明人：洪恩珠 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：实施例提供一种半导体元件，该半导体元件包括：衬底；以及半导体结构，该半导体结构被布置在衬底上，其中半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的光吸收层，并且光吸收层具有1.2至1.5的值作为其上表面的最大外周长度相对于其上表面的最大面积的比率。
半导体元件

[发明专利]半导体器件-CN201780044849.0有效
发明人：朴修益 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。
半导体器件

[发明专利]照明模块-CN201880045965.9有效
发明人：延济东 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：实施方式中公开的照明模块包括：具有多个第一凹部的电路板；设置在电路板上并包括多个突起部的光学透镜；设置在光学透镜与电路板之间的发光装置；以及设置在电路板上的吸收层。光学透镜包括：底表面；具有在底表面的中心区域处凹入的入射表面的第二凹部；具有凸形弯曲表面的第一出射表面。突起部从底表面朝向电路板突起。第二凹部被设置在发光装置上，并且突起部被设置在第一凹部中。吸收层围绕电路板上的多个突起部中的至少一个。围绕突起部的吸收层被设置在距突起部的中心为突起部的半径的2.5倍或更小的区域中，并且突起部的中心被设置在距第二凹部的底部中心为底表面的半径的0.3倍至0.95倍的范围内。
照明模块

[发明专利]半导体元件-CN202210201766.0在审
发明人：洪恩珠 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体元件，其包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，其被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，其布置在至少一个接触孔中，该至少一个接触孔通过穿过第二导电半导体层和光吸收层来暴露第一导电半导体层，并且第一电极连接到第一导电半导体层；以及第二电极，其被连接到第二导电半导体层。光吸收层可以具有围绕至少一个接触孔的平面形状。
半导体元件

[发明专利]半导体器件封装件-CN201811034004.6有效
发明人：李高恩;姜熙成;金佳衍;李莹俊;陈敏智;尹载畯 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：一种半导体器件封装件，包括：树脂单元，具有第一通孔和第二通孔；导电体，设置在树脂单元上，并具有从导电体的顶表面向其底表面沿第一方向凹入的腔体；以及发光器件，设置在腔体内，其中导电体包括第一突起和第二突起，所述第一突起和第二突起从导电体的底表面沿第一方向突出，第一突起设置在第一通孔内，第二突起设置在所述第二通孔内，以及树脂单元的顶表面与导电体的底表面接触。本发明的半导体器件封装件具有优良散热特性，能够提高光提取效率，能够在封装件切割工艺期间抑制毛刺的发生。
半导体器件封装

[发明专利]发光器件和具有发光器件的光源模块-CN201910342888.X有效
发明人：金载晋;金渡桓 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件和具有发光器件的光源模块。根据实施例的发光器件包括：主体，该主体具有凹槽；发光芯片，该发光芯片被布置在凹槽中；以及第一防潮层，该第一防潮层密封发光芯片并且从发光芯片的表面延伸到凹槽的底部，其中发光芯片具有100nm至280nm的波长范围，并且第一防潮层包括氟树脂基材料。
发光器件具有光源模块

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN201710780660.X有效
发明人：吴炫智;崔洛俊;金炳祚 -专利权人： 苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。
半导体器件包括封装

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