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[发明专利]一种汽车连接器安装用压合装置-CN202110025606.0有效
发明人： 肖承全 -专利权人：威海然一电子有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01R43/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种压合装置，尤其涉及一种汽车连接器安装用压合装置。本发明要解决的技术问题为：提供一种安全性高、可快速压合汽车连接器的汽车连接器安装用压合装置。一种汽车连接器安装用压合装置，包括有：底座；安装架，安装在底座上；支撑架，安装在底座上；驱动组件，安装在支撑架与安装架之间；压合组件，安装在安装架上。本发明带有挡块和圆环，可以进行安装压合不同厚度的汽车连接器，使得装置可适应多种型号的汽车连接器，有利于企业生产的多样化；本发明带有夹紧组件，可控制连接板将汽车连接器自动推至压合筒下，能够有效防止手动将连接器放置在压合筒下时，被装置弄伤。
一种汽车连接器安装用压合装置

[发明专利]一种发动机缸套快速套进设备-CN202110087482.9有效
发明人： 肖承全 -专利权人：山东正宏汽车部件有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B23P19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车发动机维护设备，尤其涉及一种发动机缸套快速套进设备。提供一种能够自动将发动机缸套嵌入在发动机缸体内、嵌入过程省力进行、能够平直的将发动机缸套进行嵌入的发动机缸套快速套进设备。一种发动机缸套快速套进设备，包括有支撑架，支撑架一侧设有至少四组车轮，支撑架另一侧设有支撑板，支撑架近支撑板一侧位置处的两侧均设有固定架。本发明通过采用将发动机缸套套装于弹性件上，并且通过第一电动滑轨对其进行下压的方式，能够使发动机缸套不需要人工压入发动机缸体内，且能够保持发动机缸套嵌入的平直性。
一种发动机快速设备

[发明专利]一种便于浇筑和取件的生铁精加工铸造用的夹具-CN202110100868.9在审
发明人： 肖承全 -专利权人： 肖承全
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B22D33/06 文献下载
摘要：本发明涉及融铁处理技术领域，且公开了一种便于浇筑和取件的生铁精加工铸造用的夹具，包括主杆，所述主杆的下端固定连接有夹盖，所述夹盖的表面开设有滑槽，所述滑槽的槽内活动卡接有活动板，所述活动板的表面开设有浇注口，所述活动板的顶端固定连接有限位块，所述滑槽的侧端开设有限位槽，所述夹盖的上表面开设有通孔，所述夹盖的上表面旋转连接有螺钉，所述螺钉的底端互动连接有夹座，所述夹座的上表面放置有模具。该便于浇筑和取件的生铁精加工铸造用的夹具，通过夹座、排孔、六边槽、传动圈和挡板的配合使用，从而达到了铸件易于取出的效果，针对精度要求较高或易于损坏的铸件，平衡模具上下气压，减小取件时可能对铸件造成的损伤。
一种便于浇筑生铁精加工铸造夹具

[发明专利]一种粉末冶金用防尘环保及辅助定量填料装置-CN202110005844.5在审
发明人： 肖承全 -专利权人： 肖承全
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B22F3/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属非切削加工技术领域，且公开了一种粉末冶金用防尘环保及辅助定量填料装置，包括底座，所述底座的内部设置有风机，所述底座的内部设置有球阀，所述底座的内部滑动连接有压块，所述底座的顶部滑动连接有上料块，所述上料块的内部滑动连接有推板，所述推板的外部固定连接有推杆，所述上料块的底部设置有顶杆，所述顶杆的外部活动连接有连接杆，通过上料块、推板、推杆、顶杆、连接杆、触块、凸轮机构、上料道、密封块和限位杆发热配合使用，从而达到自动上料的效果，减少上料的麻烦，有效提高上料的工作效率，且推板有效保证上料块内部物料全部进入模腔内，有效保证上料的准确性，从而保证粉末冶金产品的质量。
一种粉末冶金防尘环保辅助定量填料装置

[发明专利]一种用于工业铁冶炼的铁表面除杂装置-CN202011439871.5在审
发明人： 肖承全 -专利权人： 肖承全
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁冶炼技术领域，且公开了一种用于工业铁冶炼的铁表面除杂装置，包括机壳，所述机壳表面滑动连接有第一滑块，所述第一滑块内部滑动连接有第一长杆，所述第一长杆上部固定连接有绳子，所述绳子远离第一长杆的一端固定连接有转轮，所述转轮表面固定连接有第一挡块。该用于工业铁冶炼的铁表面除杂装置，通过第一推杆带动第三长杆向右移动，使第一推杆带动固定触点与活动触点相接触开启阀门，第三长杆表面设置有第二滑块，而第二挡块会阻挡第二滑块向右滑动，当突破临界点时，第三长杆将会迅速带动活塞推动水通过活动杆喷向铁块表面，使铁块杂质凝聚成块并且由清洁装置的刀头对其刮落，从而达到了除杂的效果。
一种用于工业冶炼表面装置

[发明专利]基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法-CN201810326712.0有效
发明人：杨英坤;张龙;李俊焘;代刚;肖承全;古云飞;银杉;张林;徐星亮;向安;周阳;李志强;崔潆心 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板以及垫高层，增加两芯片的距离，避免芯片间的边缘击穿效应；该互连结构的连接可实现多个芯片的纵向互连，且所选材料包含陶瓷基板和纳米银焊膏，纳米银焊膏烧结后主要成分为银，其导电性能与耐温性能与纯银相近，均为耐高温材料，可用于大功率芯片的互连；与其他封装形式相比，结构简单，可操作性强，且具有较普遍的适用性，是实现高温高压堆叠封装的简单有效方法。
基于纳米银焊膏 sic 器件三维堆叠互连结构制备方法

[发明专利]基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法-CN201710480698.5有效
发明人：杨英坤;李俊焘;代刚;张龙;肖承全;张林;徐星亮;向安;周阳;古云飞;崔潆心;银杉;李志强 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三层DBC基板的碳化硅功率器件封装结构及制造方法，该封装结构包含三层图形化的DBC基板形成上中下结构，两层纳米银焊膏，纵向碳化硅功率芯片及耐高温填料；通过DBC基板的图形化及纳米银焊膏的连接实现芯片电极无引线引出，增加了互连面积，缩短了连接距离，减小了附加电阻及电感，且引出电极在不同平面，DBC图形设计使得中间层的厚度不影响绝缘性能；同时，本封装结构的中间层作为散热通道，可将上层DBC的热量传导到下层DBC，增加了散热渠道，不增加散热板的情况下，芯片产生的热量也可通过上下两面散失；与其他封装形式相比，本发明结构简单，原材料充足，可操作性强，且具有较普遍的适用性。
基于三层 dbc 碳化硅器件封装结构制造方法

[发明专利]一种碳化硅斜角台面刻蚀方法-CN201510789441.9有效
发明人：李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅斜角台面刻蚀方法，该方法包括下述步骤：在碳化硅样品上沉积第一层刻蚀掩膜层，然后在第一层刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；去除光刻胶后在表面沉积第二层刻蚀掩膜层，再通过刻蚀工艺进行无掩膜的整体刻蚀去除表面大部分的第二层刻蚀掩膜层，并在侧壁形成倾斜的侧墙结构；使用刻蚀后第二层刻蚀掩膜层作为干法刻蚀掩膜层，对碳化硅样品进行干法刻蚀；干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层完成刻蚀；本发明解决现有技术中对SiC材料进行干法刻蚀所存在的缺点，使碳化硅材料形成不同侧壁形貌。
刻蚀掩膜层干法刻蚀碳化硅刻蚀去除台面刻蚀第一层光刻胶斜角碳化硅材料表面沉积侧壁形貌侧墙结构光刻工艺刻蚀工艺图形转移掩膜层侧壁涂覆掩膜沉积

[发明专利]双向耐压碳化硅固态开关-CN201510596863.4有效
发明人：代刚;张健;李俊焘;徐星亮;张林;肖承全;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向耐压碳化硅固态开关，包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层，碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片，转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，定位板包括上定位板和下定位板，键合层包括上键合层和下键合层；碳化硅上芯片、上定位板通过上键合层与转接板上表面连接，碳化硅下芯片、下定位板通过下键合层与转接板下表面连接；转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，通过互联金属柱实现电学互联；本发明可以在可靠、有效且工艺简单的前提下同时实现开关的有效关断与双向耐压，其体积与通常的碳化硅芯片相当，并采用常用的碳化硅器件与封装工艺，加工不存在挑战性的难题。
双向耐压碳化硅固态开关

[发明专利]一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法-CN201611089713.5在审
发明人：徐星亮;李俊焘;代刚;向安;肖承全;张林;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；把GaAs衬底放入分子束外延（MBE）系统中，打开As4源，形成GaAs量子点；本发明利用FIB诱导形成的有序Ga液滴作为加工GaAs量子点的模板，实现有序GaAs量子点的生长。
一种基于聚焦离子束诱导有序砷化镓量子制备方法

[发明专利]一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法-CN201611011362.6在审
发明人：向安;李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳;杨英坤;张龙 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法，即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂，对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火，热分解后形成均匀碳膜；高温退火激活过程中，碳膜抑制碳化硅器件表层的碳化硅材料分解；退火激活后，通过热氧化彻底去除碳膜。本发明可以有效地保护碳化硅器件表面，降低高温退火引起碳化硅器件表面粗糙度，显著增加碳化硅离子注入激活工艺的效率。
一种用于碳化硅高温退火表面保护快速制备方法

[发明专利]一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法-CN201610440556.1在审
发明人： 肖承全;李俊焘;代刚;向安;张林;徐星亮;周阳;杨英坤;张龙;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤先通过化学清洗、刻蚀及离子注入等工艺在碳化硅外延层上制备正面的台阶及结终端结构；将上述碳化硅晶片在湿氧气氛中进行热氧氧化形成牺牲氧化层，再在稀氢氟酸中进行浸泡去除牺牲氧化层；在台阶及结终端结构上利用原子层沉积法（ALD）生长Al2O3薄膜，再通过等离子体增强化学沉积法（PECVD）生长Si3N4薄膜；刻蚀碳化硅晶片背面的Al2O3层和Si3N4层，沉积金属制备背面欧姆接触；正面光刻开窗，沉积金属制备正面欧姆接触。本发明工艺简单、成本低廉，相比常规制备工艺，获得的碳化硅功率器件的阻断电压具有显著的提升。
一种制备阻断电压碳化硅功率器件方法

[发明专利]一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法-CN201610440480.2在审
发明人： 肖承全;李俊焘;代刚;徐星亮;向安;周阳;张林;杨英坤;张龙;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法，主要是将碳化硅功率器件放置在紫外光源下，在室温下经一定时间的紫外光照射，从而有效提升SiC功率器件的反向阻断电压的效果；本发明操作简单、成本低廉。
一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压方法

[实用新型]双向耐压碳化硅固态开关-CN201520725338.3有效
发明人：代刚;张健;李俊焘;徐星亮;张林;肖承全;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向耐压碳化硅固态开关，包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层，碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片，转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，定位板包括上定位板和下定位板，键合层包括上键合层和下键合层；碳化硅上芯片、上定位板通过上键合层与转接板上表面连接，碳化硅下芯片、下定位板通过下键合层与转接板下表面连接；转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，通过互联金属柱实现电学互联；本实用新型可以在可靠、有效且工艺简单的前提下同时实现开关的有效关断与双向耐压。
双向耐压碳化硅固态开关

[发明专利]N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及腐蚀液-CN201210073816.8无效
发明人：余学功;肖承全;杨德仁;王栋;王蓉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及该方法中所用到的腐蚀液，其中方法包括如下步骤：先对N型晶体硅片采用腐蚀液进行化学减薄，厚度减薄到50～150μm，然后利用标准工艺制备太阳能电池。本发明还公开了所述的N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法中所用的腐蚀液，腐蚀液由硝酸，氢氟酸，水和/或醋酸组成。本发明方法制备的N型晶体硅背发射结太阳能电池的电池效率高，当衬底材料为多晶硅片或低质量的单晶硅片，电池效率显著提升，并且涉及到的工艺设备都是P型太阳能电池生产线上的已有设备，无需额外投入较大成本，操作简单，利于在光伏产业实现大规模应用。
晶体发射太阳能电池制备方法腐蚀

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