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- [发明专利]用于调节外延工艺的温度条件的设置方法-CN202280014595.9在审
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金永弼
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索泰克公司
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2022-01-28
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2023-10-27
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C30B23/02
- 本发明涉及一种用于形成硅层的外延工艺的设置方法，其包括：a)在硅基晶片中选择一种类型的测试衬底，所述测试衬底：具有比对于给定衬底直径的通常厚度小20％至40％的厚度，和/或间隙氧浓度小于10ppma ASTM'79，和/或包含SOI堆叠体，所述SOI堆叠体包括介电层和厚度小于或等于300nm的单晶硅薄膜；b)固定初始温度条件，所述条件限定将要施加到至少两个区域的温度；c)通过采用初始温度条件应用外延工艺，在所选择的类型的测试衬底上形成所述层；然后，测量滑移线缺陷；d)通过改变施加到所述衬底的所述至少两个区域的温度来固定新的温度条件；f)比较在上述测试结构体上测量的滑移线缺陷的量，并选择产生最少滑移线缺陷的温度条件。
- 用于调节外延工艺温度条件设置方法
- [发明专利]制造应变绝缘体上半导体衬底的方法-CN201780029897.2有效
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沃尔特·施瓦岑贝格;G·夏巴纳;尼古拉斯·达瓦尔
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索泰克公司
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2017-05-17
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(13)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与所述接收衬底(2)接合，介电层(11,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(13)从所述供体衬底(1)转移至所述接收衬底(2)；(e)从由所转移的单晶半导体层(13)、所述介电层(11,22)和所述应变半导体材料层(20)形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层。步骤(b)另外包括在所述接收衬底(2)的应变半导体材料层(20)上形成介电接合层(22)或由与所述供体衬底(1)的单晶半导体层(13)相同的弛豫或至少部分弛豫的单晶材料组成的接合层(23)，并且在步骤(c)中，所述接合层(22,23)位于所述供体衬底和所述接收衬底之间的接合界面处。
- 制造应变绝缘体上半导体衬底方法
- [发明专利]通过使用可分离结构来转移层的方法-CN201880084209.7有效
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M·布鲁尔
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索泰克公司
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2018-11-21
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2023-09-29
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H01L21/304
- 本发明涉及一种用于从可分离结构(100)转移表层的方法，该方法包括以下步骤：a)供应可分离结构(100)，该可分离结构(100)包括：·支撑基底(10)；·可分离层(20)，该可分离层(20)沿着主平面(x，y)布置在支撑基底(10)上并且包括彼此分开的多个壁(21)，各个壁(21)具有垂直于主平面(x，y)的至少一个侧面；·表层(30)，该表层(30)沿着主平面(x，y)布置在可分离层(20)上；b)施加机械力，该机械力被配置成致使所述壁(21)沿着所述侧面的割线方向弯曲，直到致使壁(21)机械断裂为止，以便使表层(30)从支撑基底(10)分离。
- 通过使用可分离结构转移方法
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