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[发明专利]用于平滑结构体表面的方法-CN201710023799.X有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;C·大卫 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及包括在热处理期间使绝缘体上硅结构体的表面暴露于惰性或还原性气体流和高温的使所述绝缘体上硅结构体平滑的方法，所述方法包括：在第一温度和由第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤；值得注意的是，所述方法包括：在低于第一温度的第二温度和由低于第一流速的第二流速限定的第二气体流下的第二热处理步骤。
用于平滑结构体表方法

[发明专利]制备薄铁电材料层的方法-CN202080017749.0在审
发明人：亚历克西斯·德劳因;I·于耶;莫尔加纳·洛吉奥 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及制备单畴铁电材料薄层的方法。所述方法包括：在铁电供体基板的第一面中注入轻物质，以便形成脆弱平面并限定位于该脆弱平面与基板的第一面之间的第一层；借助于介电组装层将供体基板的第一面与支承基板组装在一起；以及在脆弱平面处使供体基板断裂。介电组装层(7b)包括氧化物，该氧化物的氢浓度低于第一层(3)的氢浓度或防止氢扩散到第一层，或者介电组装层(7b)包括阻挡件，该阻挡件防止氢扩散到第一层。所述制备方法还包括：对第一层的自由面进行热处理，以便使第一层中包含的氢扩散，并引起该第一层的表面部分的多畴转变，然后对第一层进行减薄，以便至少去除该表面部分。
制备薄铁电材料方法

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016748.4在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并且使埋置弱化面达到限定的弱化程度，所述退火达到最高保持温度；e)通过对接合结构施加应力来在埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿埋置弱化面传播以造成有用层转移到载体衬底。步骤e)中的引发发生在接合结构正经历限定所述接合结构的热区域和冷区域的热梯度、应力局部施加在冷区域中时，并且热区域经历的温度低于最高保持温度。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016818.6在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并使埋置弱化面达到限定的弱化程度；e)通过向接合结构施加应力来在所述埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿着埋置弱化面传播，以造成有用层被转移到载体衬底。转移方法特征在于当接合结构经受150℃至250℃之间的温度时，引发分裂波。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]包含基于InGaN的P型注入层的光电半导体结构-CN201980090762.6在审
发明人： M·罗扎夫斯卡亚 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(5)与p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(6)，所述p型注入层(6)包括第一InGaN层(7a)以及设置在所述第一层(7a)上的第二层(7b)，所述第二层(7b)由多个AlGaInN元素层组成，每个元素层的厚度小于其临界弛豫厚度，两个连续元素层具有不同的铝和/或铟和/或镓成分。
包含基于 ingan 注入光电半导体结构

[发明专利]包括基于InGaN的P型注入层的光电半导体结构-CN202080008522.X在审
发明人： D·索塔;M·罗扎夫斯卡亚;B·达米拉诺 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(6)和p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度为50nm至350nm的第一InGaN层(7a)和设置在第一层(7a)上的具有GaN表面部分的第二层(7b)。
包括基于 ingan 注入光电半导体结构

[发明专利]将表面层转移到腔的方法-CN201980084414.8在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及一种将表面层(10)转移到包含腔(23)的载体基底(20)的方法，所述方法包括：‑提供供体基底，‑提供具有第一面并且包括腔(23)的载体基底(20)，每个腔在所述第一面处开口并且具有底部和周壁，‑在所述腔(23)的至少一者中创建至少一个临时柱状物(30)，所述柱状物(30)具有与载体a基底(20)的第一面共面的上表面，‑在所述载体基底的所述第一面处接合所述供体基底和所述载体基底(20)，‑减薄所述供体基底，以形成所述表面层(10)，‑移除所述至少一个临时柱状物(30)。
表面转移方法

[发明专利]制造包括悬在腔之上的膜的器件的方法-CN201980084624.7在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明关注一种制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用结构，所述通用结构包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面层，所述支持基底包括在表面层下方开口的基本腔以及界定各个基本腔的隔离体，所述隔离体具有形成所述支持基底的第一面的全部或部分的上表面；·限定一组相邻的基本腔，使得所述一组基本腔的轮廓在所述主平面中对应于所述有用腔的轮廓；·移除位于所述一组基本腔的轮廓内的所述隔离体，以便形成所述有用腔，并且释放被布置在所述有用腔上方并形成所述膜的所述表面层。
制造包括之上器件方法

[发明专利]用于射频应用的绝缘体上半导体衬底-CN201980082744.3在审
发明人： K·扬·皮尔;克里斯泰勒·维蒂佐 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。
用于射频应用绝缘体上半导体衬底

[发明专利]用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底-CN201680079260.X有效
发明人： M·波卡特;T·巴尔格;帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;E·德斯邦内特斯;奥列格·科农丘克 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
用于温度补偿表面声波器件或体衬底

[发明专利]用于制造混合结构的方法-CN201680067866.1有效
发明人：迪迪埃·朗德吕 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L41/313 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造混合结构(60)的方法，该混合结构包括具有有效厚度并且设置在支承基板(1)上的压电材料的有效层(20)，该支承基板具有基板厚度和低于该有效层(20)的热膨胀系数的热膨胀系数，该方法包括以下步骤：a)设置粘合结构的步骤，该粘合结构包括压电材料供体基板和支承基板(1)，粘合结构具有处于这两个基板之间的粘合界面(5)；b)薄化供体基板的第一步骤，以形成具有中间厚度并且设置在支承基板(1)上的薄层，这种组装形成薄化结构；c)在退火温度热下处理薄化结构的步骤；d)在步骤c)之后薄化薄化层以形成有效层(20)的第二步骤。
用于制造混合结构方法

[发明专利]制造用于混合集成的先进衬底的方法-CN201980059819.6在审
发明人：沃尔特·施瓦岑贝格 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：‑提供受体衬底(20)和供体衬底(10)，该供体衬底(10)依次包括：承载衬底(11)、能够相对于有源层(13)选择性地蚀刻的牺牲层(12)和被置于有源层(13)上的硅氧化物层(14)；‑在氧化物层(14)中形成空腔，以便形成具有第一厚度的第一部分(14a)和具有大于该第一厚度的第二厚度的第二部分(14b)；‑用多晶硅(40)填充该空腔，以便形成连续且基本平坦的表面(41)；‑在表面(41)上组装受体衬底(20)和供体衬底(10)；‑移除承载衬底(11)同时保留有源层(13)和牺牲层(12)。
制造用于混合集成先进衬底方法

[发明专利]制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底的方法和制造这种结构的方法-CN202080006094.7在审
发明人： M·波卡特;D·帕里西 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，‑对所述电荷俘获层(2)进行氧化以形成设置在所述电荷俘获层上的氧化物层(3)，该方法主要特征在于所述电荷俘获层(2)的所述氧化至少部分地在低于或等于875℃的温度通过以下方式进行：‑在750℃至1000℃之间的第一温度(T1)开始所述氧化，‑将温度降低至低于所述第一温度(T1)并且在750℃至875℃之间的第二温度(T2)，‑在所述第二温度(T2)继续氧化。
制造用于射频应用绝缘体上半导体结构接收衬底方法这种

[发明专利]高级固体电解质和制造方法-CN201610202494.0有效
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本发明提供了高级固体电解质和制造方法。本发明涉及一种制造包含固体电解质层的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含结晶固体电解质层的主体基板、将所述结晶固体电解质层从主体基板转移到受体基板。
高级固体电解质制造方法

[发明专利]衬底和用于制造衬底的方法-CN201680041816.6有效
发明人：帕斯卡·昆纳德;M·波卡特;T·巴尔格 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底和用于制造衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。
衬底用于制造方法