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[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201680033209.5有效
发明人： M·波卡特;L·卡佩罗;I·伯特兰;N·克伦贝特 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件的制造方法，所述制造方法包括基板的快速热处理阶段，所述基板包括电荷俘获层，所述快速热处理阶段能够损坏基板的RF特性。根据本发明，快速热处理阶段之后是在700℃至1100℃之间的、达至少15秒的时间段的基板的恢复热处理。
半导体元件制造方法

[发明专利]高级固体电解质和制造方法-CN202110249969.2在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本发明提供了高级固体电解质和制造方法。本发明涉及一种制造包含固体电解质层的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含结晶固体电解质层的主体基板、将所述结晶固体电解质层从主体基板转移到受体基板。
高级固体电解质制造方法

[发明专利]用于制造CFET器件的方法-CN201980057027.5在审
发明人：沃尔特·施瓦岑贝格;卢多维克·埃卡尔诺;尼古拉斯·达瓦尔;比什-因·阮;G·贝纳德 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造CFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成双绝缘体上半导体基板，其从基部到其表面依次包括：载体基板(1)、第一电绝缘层(2a)、第一单晶半导体层(2b)、第二电绝缘层(3a)和第二单晶半导体层(3b)；从所述基板的表面到第一电绝缘层(2a)形成沟槽，以形成至少一个鳍(F)；在各个鳍(F)中，在第一半导体层(2b)中形成第一晶体管的沟道，并且在第二半导体层(3b)中形成与第一晶体管相反类型的第二晶体管的沟道，形成双绝缘体上半导体类型的基板的步骤包括：转移层的第一步骤和第二步骤以及在一温度下的热处理，所述温度足够高以使第一单晶半导体层平滑化至小于0.1nm RMS的粗糙度。
用于制造 cfet 器件方法

[发明专利]制造六方晶体结构的二维膜的方法-CN201880009436.3有效
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;J-M·贝斯奥谢 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有六方晶体结构的第IV族材料(特别是石墨烯)的二维膜的制造方法，所述方法包括：‑形成生长衬底(100)，包括将适合所述二维膜生长的单晶金属膜(1)转移到支持衬底(2)上，和‑在所述衬底(100)的金属膜上外延生长所述二维膜(3)。
制造晶体结构二维方法

[发明专利]前侧型图像传感器和制造这种传感器的方法-CN201980041160.1在审
发明人：沃尔特·施瓦岑贝格;M·塞列尔;卢多维克·埃卡尔诺 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种前侧型图像传感器，所述前侧型图像传感器依次包括：半导体支撑衬底(1)；第一电绝缘分隔层(2a)；以及被称为有源层的单晶半导体层(3a)，所述单晶半导体层(3a)包括光电二极管的矩阵阵列，所述传感器的特征在于，它在支撑衬底(1)与第一电绝缘层(2a)之间还包括：第二电绝缘分隔层(2b)和第二导电或半导体层(4)，所述第二导电或半导体层(4)被称为中间层，被布置在第二分隔层(2b)与第一分隔层(2a)之间，第二分隔层(2b)比第一分隔层(2a)厚。
前侧型图像传感器制造这种传感器方法

[发明专利]用于集成射频器件的衬底及其制造方法-CN201880094399.0在审
发明人：克里斯泰勒·维蒂佐;帕特里克·雷诺;O·科农丘克;佛雷德里克·阿利伯特 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底(1)，其包括：基础衬底(3)；位于所述基础衬底(3)上并与其直接接触的单一碳层(2)，所述碳层(2)具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层(2)上的绝缘体层(4)；位于所述绝缘体层(4)上的器件层(5)。本发明还涉及一种用于制造所述衬底的方法。
用于集成射频器件衬底及其制造方法

[发明专利]GaAs材料单晶层的制造方法和外延生长GaAs材料单晶层的衬底-CN201980021442.5在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产GaAs材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述GaAs材料的单晶层。
gaas 材料单晶层制造方法外延生长衬底

[发明专利]金刚石或铱材料单晶层的制造方法和外延生长金刚石或铱材料单晶层的衬底-CN201980021528.8在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产金刚石或铱材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述金刚石或铱材料的单晶层。
金刚石材料单晶层制造方法外延生长衬底

[发明专利]PZT材料结晶层的制造方法和外延生长PZT材料结晶层的衬底-CN201980021417.7在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产PZT材料的结晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述PZT材料的结晶层。
pzt 材料结晶制造方法外延生长衬底

[发明专利]层转移方法-CN201980021411.X在审
发明人： D·贝尔哈切米 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：层转移方法包括：提供初始基板的步骤，提供中间基板的步骤，将中间基板与初始基板连接的第一连接步骤，在初始基板连接至中间基板之后将初始基板减薄的步骤，提供最终基板的步骤，将经减薄的初始基板与最终基板连接的第二连接步骤，在第二连接步骤之后将中间基板脱离的步骤，其中，中间基板在打算连接至初始基板的表面上包括硅，初始基板在打算连接至中间基板的表面上基本不包括硅，通过在初始基板的基本不包括硅的表面上进行旋涂来沉积包括液态的甲基硅氧烷的第一即所谓的临时SOG型接合层，然后在第一连接步骤之前对该第一即所谓的临时接合层进行第一致密化热处理，第二连接步骤是经由第二SOG型接合层进行的，该第二SOG型接合层包括液态的硅酸盐或甲基倍半硅氧烷，并通过旋涂沉积，然后进行第二致密化热处理，并且其中，最终基板被设计成在应用超过300℃的热处理的情况下劣化。
转移方法

[发明专利]AlN材料单晶层的制造方法和外延生长AlN材料单晶膜的衬底-CN201980021416.2在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产AlN材料的单晶层的方法，其包括将SiC‑6H材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述AlN材料的单晶层。
aln 材料单晶层制造方法外延生长单晶膜衬底

[发明专利]LNO材料单晶层的制造方法和外延生长LNO材料单晶层的衬底-CN201980021529.2在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。
lno 材料单晶层制造方法外延生长衬底

[发明专利]用于射频应用的衬底及相关制造方法-CN201980019354.1在审
发明人：佛雷德里克·阿利伯特;克里斯泰勒·维蒂佐;D·拉迪森 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数，为±30％以内。
用于射频应用衬底相关制造方法

[发明专利]支撑基板及其用途-CN202010766588.7在审
发明人：阿诺德·卡斯泰;达尼埃尔·德尔普拉;伯纳德·阿斯帕;I·拉杜 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及支撑基板及其用途，尤其涉及一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，该异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，该覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到该支撑基板(210、410、510)，该支撑基板(210、410、510)具有与第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中在交界面处，覆盖层(220、420、520)包括从该交界面延伸到该覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。
支撑及其用途

[发明专利]用于表面声波器件的混合结构及相关的制造方法-CN201980018383.6在审
发明人：佛雷德里克·阿利伯特;克里斯泰勒·维蒂佐 -专利权人： 索泰克公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L41/43 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(10)，所述混合结构(10)包括：压电材料的有用层(1)，该有用层(1)被连结至具有比有用层(1)低的热膨胀系数的支撑基板(2)；以及中间层(3)，该中间层(3)被布置在有用层(1)与支撑基板(2)之间。中间层是由至少第一材料和第二材料的粉末形成的烧结复合层(3)，该第二材料与该第一材料不同。
用于表面声波器件混合结构相关制造方法