“章文通”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果109个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高压集成功率半导体器件及其制造方法-CN202210447055.1有效
发明人： 章文通;唐宁;张科;刘雨婷;乔明;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。
一种高压集成功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高压集成功率器件的终端耐压结构-CN202310944398.3在审
发明人： 章文通;赵泉钰;吴奇益;刘腾;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成功率器件的终端耐压结构，包括元胞区、漏中心终端结构和源中心终端结构。其中终端区结构包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区，源极N+接触区、场氧化层、多晶硅电极和槽介质组成的纵向场板阵列。本发明针对漂移区中周期排列的纵向场板MIS结构的高浓度器件，我们提出了一种新型的终端耐压结构，通过在终端去掉一部分高浓度的漂移区，通过改变衬底长度保证耐压距离，依靠衬底和单边突变结承担耐压，使得终端区耐压相对独立于漂移区浓度，在保证终端足够耐压的情况下，也增大了终端的曲率结半径，避免器件的提前击穿。
一种高压集成功率器件终端耐压结构

[发明专利]一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法-CN202210447123.4有效
发明人： 章文通;张科;唐宁;田丰润;乔明;何乃龙;张森;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。
一种隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法-CN202311006372.0在审
发明人：张娅林;章文通 -专利权人：无锡用芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及种一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法，器件结构包括漏电极、栅电极、源电极，第一导电类型重掺杂区、第二导电类型重掺杂区，第二导电类型柱区、第一导电类型柱区，第一导电类型阱区，第一介质栅氧化层、第二介质氧化层，第三介质氧化层。在N柱与器件表面结构形成后，用介质层作为硬掩膜版挖槽，在槽中用第一导电类型重离子进行侧壁注入形成亚微米级条宽的P柱，之后用多晶硅或介质进行填孔。由于重离子的扩散系数小，能够提高界面处的掺杂浓度，降低比导通电阻。且介质或多晶硅在孔中的加入能优化超结的体内电场，该制造方法能够在保持耐压优化的条件下提高掺杂浓度，降低比导通电阻。
一种基于离子掺杂微米制造方法

[发明专利]一种横向高压功率器件的槽型终端结构-CN202310760768.8在审
发明人： 章文通;赵泉钰;刘雨婷;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来引入P型槽底杂质注入，由于电荷平衡，原来由N型漂移区内指向pwell区的电场线，终结到槽底部的P型槽底注入区，从来增大了终端结构指头区域的曲率结，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，而且介质槽使得该连接处不再有电荷的运动，也能够避免电场线的集中造成的器件提前击穿，并且该结构可以将指头的面积变小，有利于减小芯片面积。
一种横向高压功率器件终端结构

[发明专利]基于深槽分区氧化的高压BCD半导体器件及制造方法-CN202310623109.X在审
发明人：王新中;章文通;吴凌颖;刘雨婷;梁军;岳德武;王卓;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于深槽分区氧化的高压BCD半导体器件及制造方法，能够在一块芯片上同时集成高压LDMOS、低压CMOS、低压NPN等半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CMOS器件等各类器件集成到一起，节约成本的同时极大提高芯片集成度。不同于传统BCD集成技术，该发明使用一种深槽分区氧化的高压BCD工艺，在器件中引入纵向浮空场板阵列，通过在器件关态引入全域MIS耗尽机制，提高高压LDMOS的器件耐压。在器件开态时，浮空场板表面能够形成积累层，降低比导通电阻，提高饱和电流，并实现高压LDMOS、低压CMOS、低压NPN等半导体器件结构之间的隔离。
基于分区氧化高压 bcd 半导体器件制造方法

[外观设计]细胞复苏仪-CN202330152693.6有效
发明人：章保平;汪立力;章文通;彭光宇;蔡小翔 -专利权人：上海萌薇生物医疗科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：细胞复苏仪。2.本外观设计产品的用途：用于冻存管内细胞进行复苏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
细胞复苏

[发明专利]一种细胞复苏系统及其控制方法-CN202310073893.1在审
发明人：汪立力;章保平;章文通;彭光宇;蔡小翔 -专利权人：上海萌薇生物医疗科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：一种细胞复苏系统，包括载物台、驱动机构、加热装置、摄像头模块以及控制模块，控制模块包括主控板和触摸显示屏，驱动机构驱动载物台上下移动和水平转动，加热装置对搁置于载物台的冻存管进行均匀加热，且通过摄像头模块对复苏过程中冻存管的复苏画面进行图像采集，实时拍摄冻存管内的细胞冰晶大小，并基于拍摄到的画面，用内置的主控板进行AI智能学习算法，智能化控制细胞复苏的整个过程，并利用算法控制加热装置的功率，实时调节加热舱内的空气温度，最终控制冻存管的终点温度，从而控制复苏完成后的冰晶大小，确定好最佳的加热温度和加热时间，以达到最佳的细胞复苏效果。本发明还涉及该细胞复苏系统的控制方法。
一种细胞复苏系统及其控制方法

[实用新型]一种自动调焦装置-CN202222534501.0有效
发明人：汪立力;章保平;章文通 -专利权人：上海萌薇生物医疗科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B7/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种自动调焦装置，包括支撑架、固定镜筒、移动镜筒、驱动模块、高倍镜头和相机；所述支撑架的顶端设置有连接组件，所述固定镜筒固定安装在所述连接组件上，所述相机固定安装在所述固定镜筒的顶端，所述移动镜筒螺纹连接在所述固定镜筒的底端，所述移动镜筒上固定套设有从动齿轮，所述高倍镜头设置在所述移动镜筒的底端，所述驱动模块包括步进电机和主动齿轮，所述主动齿轮和从动齿轮啮合，所述步进电机能驱动主动齿轮转动从而带动从动齿轮和移动镜筒转动，移动镜筒的转动转化成移动镜筒在竖直方向上的移动，进而调节移动镜筒和所述高倍镜头的高度。本实用新型只需设置两个齿轮，结构简单，加工方便。
一种自动调焦装置

[发明专利]SOI横向匀场高压功率半导体器件及制造方法和应用-CN202110952823.4有效
发明人： 章文通;吴旸;张科;何乃龙;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI横向匀场高压功率半导体器件及其制造方法和应用，包括第一导电类型衬底，第二导电类型漂移区，第一导电类型电场钳位层，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层形成场氧化层，第二介质氧化层形成栅氧化层，第二导电类型埋层，第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。同时电极深入介质层，电极自适应在氧化层内部产生电荷，增加介质电场，实现ENDIF效果，提高器件的击穿电压。
soi 横向高压功率半导体器件制造方法应用

[发明专利]体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法-CN202110955840.3有效
发明人： 章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法，包括第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列，槽壁周围附有第一导电类型杂质；由于硅的介电系数是二氧化硅的三倍，在相同漂移区长度下，介质层能够取得更大的电场，提高击穿电压。槽壁用第一导电类型杂质包围住，由于MIS结构带来的辅助耗尽作用，大大提高了第二导电类型漂移区的浓度，降低比导通电阻。
体内异性掺杂功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种重离子注入型集成超结器件及制造方法-CN202211736214.6在审
发明人： 章文通;刘雨婷;吴凌颖;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种重离子注入型集成超结器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层和第二导电类型埋层，位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层，亚微米超结位于第一导电类型埋层和第二导电类型埋层之间，在埋层注入后采用重离子注入并透过场氧化层形成；本发明基于重离子与轻离子的扩散系数不同，通过在漂移区内引入重离子注入的亚微米超结，能够在器件内部提供低阻通路，降低开态时的比导通电阻，且不受高温推结工艺的影响；此外通过优化热预算，能够形成扩散保护环，降低器件表面电场。
一种离子注入集成器件制造方法

[发明专利]基于分区外延的高压BCD集成器件及制备方法-CN202211685656.2在审
发明人：王新中;章文通;何佳敏;梁军;岳德武;王卓;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明提供一种基于分区外延的高压BCD集成器件及其制备方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型重掺杂区，第二导电类型外延层、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型重掺杂区，DMOS栅氧和场氧化层，第三、四、五、六介质氧化层，PMOS栅氧化层、NMOS栅氧化层，DMOS栅电极、漏和源电极，PMOS栅电极、漏和源电极，NMOS栅电极、漏和源电极，BJT发射极、基极和集电极电极，埋层。本发明将低压控制器件与高压DMOS器件集成在不同的平面，且低压器件间由介质层和埋层隔离；减小器件间的串扰、寄生效应和闩锁效应的发生且提高了电路速度。
基于分区外延高压 bcd 集成器件制备方法

[发明专利]具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用-CN202110964582.5有效
发明人： 章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。在终端则把第二导电类型漂移区的边界移动到漏端，利用漏端的浮空等势场板的作用把漂移区两端的电位钳位，没有产生电位差，从而避免了Psub和漂移区结的击穿。纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，并且把第二导电类型漏端重掺杂区的边界移动到和第二导电类型漂移区的边界一致，避免其产生N+N结，导致其提前击穿。
有无终端技术功率半导体器件制造方法应用

[发明专利]具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法-CN202010888687.2有效
发明人：王卓;祖健;朱旭晗;章文通;方冬;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。
具有可靠性分离 vdmos 器件及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 109 条