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[发明专利]一种横向高压功率半导体器件-CN201210516539.3有效
发明人：乔明;章文通;李燕妃;许琬;蔡林希;吴文杰;陈涛;胡利志;黄健文;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。
一种横向高压功率半导体器件

[发明专利]一种横向超结高压功率半导体器件-CN201210516380.5无效
发明人：乔明;李燕妃;章文通;吴文杰;许琬;蔡林希;陈涛;胡利志;黄健文;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；最后，本发明漏电极表面引出的具有低比导通电阻的超结横向高压器件可集成在各种衬底材料上，且集成度高。
一种横向高压功率半导体器件

[发明专利]一种用于SOI高压集成电路的半导体器件-CN201110318010.6有效
发明人：乔明;周锌;温恒娟;何逸涛;章文通;向凡;叶俊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米；高压器件底部、介质埋层表面上方的顶层硅中具有多个不连续的高浓度N+区(掺杂浓度不低于1e16cm-3)；高压器件之间采用介质隔离区隔离。器件还可集成低压MOS器件，高、低压器件之间采用介质隔离区隔离，不同的低压器件之间采用场氧化层隔离。本发明由于多个不连续高浓度N+区的引入，削弱了顶层硅电场同时增强了介质埋层电场，器件击穿电压大幅提高，可用在汽车电子、消费电子、绿色照明、工业控制、电源管理、显示驱动等众多领域的高压集成电路中。
一种用于 soi 高压集成电路半导体器件

[发明专利]一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法-CN201110105986.5无效
发明人：乔明;银杉;赵远远;章文通;温恒娟;向凡;周锌 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制作于P型衬底表面的P型外延层表面的N型外延层中，并通过P+对通隔离区实现结隔离；在高压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层，在低压器件下方的P型外延层和N型外延层之间可有(或没有)N型埋层。本发明通过引入N型埋层实现相同击穿电压下可以使用更低电阻率的硅片作为衬底，避免了采用区熔FZ法制造的单晶硅片带来的芯片制造成本的增加，从而降低了芯片的制造成本。
一种基于外延 bcd 集成器件及其制造方法