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[实用新型]功率器件封装结构-CN202321360908.4有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供功率器件封装结构，包括：第一区域、第二区域、第三区域；所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域构成圆柱体，所述第一区域为所述圆柱体的底部，所述第二区域为所述圆柱体的侧边，所述第三区域为所述圆柱体的顶部；所述第一区域，设置有背电极引出端子；所述第三区域，设置有正面电极引出端子、栅电极引出端子、隔离区域。本实用新型是双面压接式封装装置，可用于封装圆形的大尺寸功率芯片，从而满足大功率的功率模块，无需多颗芯片并联封装，有效提高可靠性。
功率器件封装结构

[发明专利]一种压接式IGBT器件结构-CN202310819588.2有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式IGBT器件结构，包括：圆形IGBT区；环形FRD区，设置于所述圆形IGBT区外侧，与所述圆形IGBT区同心设置；环形电流传感器区，设置于所述环形FRD区外侧，与所述圆形IGBT区同心设置；第一隔离区，设置于所述圆形IGBT区和所述环形FRD区之间；第二隔离区，设置于所述环形FRD区和所述环形电流传感器区之间；正面金属区，覆盖设置于所述圆形IGBT区和所述环形FRD区的正面；背面金属区，设置于所述压接式IGBT器件结构的背面。本发明提供的压接式IGBT器件结构可以有效提高大电流IGBT器件的良品率和可靠性。
一种压接式 igbt 器件结构

[发明专利]IPM马达驱动应用中的自举电路-CN201710007148.1有效
发明人： 程炜涛;赵鹏;董志意;王海军;皮彬彬 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种IPM马达驱动应用中的自举电路，包括自举电容、自举电阻、自举二极管。可以让驱动系统占整体系统的结构占比更小，更轻，能量效率更高，驱动系统整体成本也更低，而且IPM具有模块化，抗干扰能力强，性能参数更优异的有点。同时运用本文介绍的算法控制方式，通过PWM占空比判断马达运状态，再根据判断结果给出相应占空比的脉冲串对自举驱动电路进行充电控制，可以避免较大启动电流对器件的冲击，也能保证自举浮动电源电压可以稳定在欠压设计值以上，可以让驱动电路更稳定工作，避免启动时和PWM正常时马达因自举回路供电不足导致欠压功能启动而导致的马达故障。
ipm 马达驱动应用中的电路

[发明专利]用于快速评估快恢复二极管性能的基座-CN201611240234.9有效
发明人： 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本发明所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
用于快速评估恢复二极管性能基座

[发明专利]一种纵向RC-IGBT结构及其制备方法-CN202310274196.2有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向RC‑IGBT结构及其制备方法，其纵向RC‑IGBT结构包括若干横向排列的RC‑IGBT子区域，每个所述RC‑IGBT子区域内均包括纵向排布的一个IGBT元胞区和一个FRD元胞区，所述FRD元胞区位于所述IGBT元胞区上方。本发明可以解决传统RC‑IGBT结构在开通时的snap‑back现象，提高芯片的电流密度。
一种纵向 rc igbt 结构及其制备方法

[发明专利]IGBT及FRD芯片动态测试夹具-CN201611255787.1有效
发明人： 程炜涛;董志意;赵鹏;张伟勋;王海军 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT及FRD芯片动态测试夹具，在壳体内固定有隔板，在隔板上开设有抽气口，在隔板上设有芯片吸腔，在芯片吸腔的上腔板上开设有负压吸口，隔板上方的壳体上安装有惰性气体输入接口、惰性气体输出接口与负母排端口，在芯片吸腔上方设有可插拔测试探针与栅极测试探针，在隔板下方的壳体上安装有抽气管、正母排端口与通讯控制保护接口，正母排端口的连接线接在芯片吸腔的上腔板上，抽气管通过抽气口与芯片吸腔相连，在隔板下方的壳体内设有驱动板，在隔板下方设有陪测功率器件，在陪测功率器件上安装有第一、二负载电感插孔。本发明可以在不同温度下，根据不同电压电流等级的IGBT芯片调整不同的测试探针来安全、可靠、测试芯片。
igbt frd 芯片动态测试夹具

[发明专利]栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路-CN201611240202.9有效
发明人： 程炜涛;董志意;赵鹏;张伟勋;王海军 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极。本发明能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。
栅极电阻电容连续可调 igbt 测试电路

[实用新型]IGBT器件封装结构-CN202223247035.4有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供IGBT器件封装结构，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。本实用新型提出了一种IGBT、FRD组合封装结构，可有效提高单个封装体可封装的IGBT、FRD组合数量，从而有效提高单个封装体的电流等级。
igbt 器件封装结构

[发明专利]改善型磁隔离IGBT驱动电路-CN201611254701.3有效
发明人： 程炜涛;高荣;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1、原边阻尼电阻R1、多绕组驱动变压器、副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3、推挽电路Q1，Q2、副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2，C3，C4，C5、以及浮地驱动IGBT。所述电路主要元器件按照图1所示的电器连接方式连接，其驱动发生模块与驱动放大模块为该技术领域中的公知技术。本发明能够在不提供二次侧电源的基础上，改善了传统磁隔离驱动电路不能提供负压关断、抗干扰性较弱的技术缺陷。本发明能适应不同的IGBT，提供可靠、低成本的磁隔离驱动方案。
改善隔离 igbt 驱动电路

[实用新型]内置过流检测功能的IGBT版图结构-CN202220552025.2有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了内置过流检测功能的IGBT版图结构，包括主芯片区，所述主芯片区内设置发射极金属和相互平行的若干第一沟槽；过流检测区，所述过流检测区内设置第一金属和相互平行的若干第二沟槽，相邻所述第二沟槽的间距小于相邻所述第一沟槽的间距；栅极区，所述栅极区内设置栅极金属；所述栅极金属、所述发射极金属和所述第一金属之间均相互绝缘。本实用新型可以避免传统方案中检测到过流时，不能及时关断IGBT导致IGBT损坏的技术问题，提高对在过流检测过程中对IGBT的保护效果。
内置检测功能 igbt 版图结构

[实用新型]FRD器件结构-CN202221116106.4有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供了FRD器件结构，包括：N+区域；N‑区域，位于所述N+区域上；正面阳极金属区域，位于所述N‑区域上；背面阴极金属区域，位于所述N+区域下方；P+区域，位于所述N‑区域内；绝缘隔离区域，位于所述N‑区域内；所述P+区域与所述正面阳极金属区域形成第一欧姆接触区域，所述N‑区域与所述正面阳极金属区域形成肖特基接触区域；所述绝缘隔离区域，用于隔离所述第一欧姆接触区域和所述肖特基接触区域。通过引入肖特基接触以及绝缘沟槽，可以起到减少P+区域与阳极金属的接触面积，从而降低空穴注入效率，降低FRD动态损耗。
frd 器件结构

[实用新型]RC-IGBT器件结构-CN202220547668.8有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种RC‑IGBT器件结构，包括N‑基区和背面金属区，还包括：阴极N+区，设置于背面金属区上，与N‑基区和背面金属区接触；集电极P+区，与阴极N+区横向并列设置于背面金属区上，与背面金属区和阴极N+区接触；FS缓冲区，设置于集电极P+区上，与集电极P+区和N‑基区接触；第一绝缘隔离区和第二绝缘隔离区，均与FS缓冲区横向并列设置于集电极P+区上，并与集电极P+区和N‑基区接触，第一绝缘隔离区和第二绝缘隔离区分别设置于FS缓冲区两侧。本实用新型可以隔离RC‑IGBT器件中IGBT和FRD区域的相互影响，改善器件正向导通时的snapback现象。
rc igbt 器件结构

[发明专利]沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法-CN202210277956.0在审
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开的沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法中，其制备方法包括步骤：在所述N‑基区内挖设若干深槽；在所述深槽内填充P型硅后，回刻P型硅形成第一深槽区，使所述第一深槽区与相邻的所述N‑基区形成横向PN结；在所述第一深槽区内P型硅上淀积绝缘材料形成栅极绝缘区；通过热氧化方式在所述栅极绝缘区上方的所述深槽侧壁形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层内部填充多晶硅材料，刻蚀形成多晶硅栅区，将所述多晶硅栅区作为第二深槽区。本发明可以减少IGBT器件制备过程中多道挖沟槽工艺造成的器件损伤，提高IGBT器件的良品率。
沟槽栅型超结 igbt 器件结构制作方法

[发明专利]FRD器件结构制作方法-CN202210467211.0在审
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供了一种FRD器件结构，包括：第一N区域、P+区域、N+复合区域、正面阳极金属区域、背面阴极金属区域；所述第一N区域包括第一N+区域和第一N‑区域；所述第一N‑区域，位于所述第一N+区域上方；所述P+区域，位于所述第一N‑区域上；所述N+复合区域，位于所述第一N‑区域内；所述正面阳极金属区域，位于所述P+区域上；所述背面阴极金属区域，位于所述第一N+区域下。在不降低正面P型区域浓度的前提下，通过引入N+复合区域来降低正面空穴注入效率，从而降低器件动态损耗。
frd 器件结构制作方法

[实用新型]IGBT版图结构-CN202220215233.3有效
发明人： 程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述栅极跑道；所述第二沟槽内设置第二连接孔，所述第二连接孔用于连接所述第二沟槽与所述发射极金属。本实用新型通过在IGBT版图上设计不同连接方式的沟槽结构，实现IGBT的部分沟槽连接发射极金属形成dummy沟槽，从而实现在不增大沟槽间距的情况下降低IGBT短路电流、提高短路耐量时间的技术效果。
igbt 版图结构

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