专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于多粒度查找表结构的可编程逻辑块-CN202111264797.2有效
  • 王彦林;高丽江;刘学刚;秋小强;贾一平;杨海钢 - 山东芯慧微电子科技有限公司
  • 2021-10-28 - 2022-08-09 - G06F15/78
  • 本发明公开了一种基于多粒度查找表结构的可编程逻辑块,可编程逻辑块的每个基本逻辑单元包含两个完全相同相互独立的PLML(Programmable Logic Module‑Logic);每个PLML包括LUT模块、逻辑运算模块、触发器模块和多路选择器模块;每个PLML包含三种粒度的双输出LUT共4个(4‑LUT 2个、5‑LUT 1个、6‑LUT 1个),4个加法器和4个触发器以及若干个多路选择器等资源;每个PLML通过内部同种或不同种资源组合,可以实现功能更强的LUT、加法器和MUX功能,且均能实现寄存输出。本发明所提出的结构与传统CLB结构相比,具有多种输入的查找表结构,可以根据功能需求映射到对应的LUT上,避免资源浪费。与自适应查找表相比,可以实现更多独立的功能函数,同时配置起来也比较简单,没有共享端口配置时的诸多限制条件。
  • 一种基于粒度查找结构可编程逻辑
  • [发明专利]一种可调刷新速率的双端口存储器-CN202110956913.0有效
  • 秋小强 - 北京中科胜芯科技有限公司
  • 2021-08-19 - 2022-04-22 - G11C8/18
  • 本发明涉及一种可调刷新速率的双端口存储器,包括:双端口存储器、与所述双端口存储器A端口连接的地址仲裁模块、与所述双端口存储器B端口连接的地址刷新模块、与所述地址刷新模块连接的分频电路;所述地址刷新模块还连接所述地址仲裁模块;所述分频电路由外部输入时钟信号并输出给所述地址刷新模块;所述地址刷新模块按照所述分频电路提供的时钟信号生成地址;并发送至所述双端口存储器与所述地址仲裁模块。本发明提供的可调刷新速率的双端口存储器,采用可配置的分频电路对工作时钟进行分频,针对不同的空间应用环境,采用不同的刷新频率,既能有效的提供抗单粒子反转能力,又能有效的降低存储器的功耗。
  • 一种可调刷新速率端口存储器
  • [发明专利]一种基于改进型查找表结构的可编程逻辑块-CN202111265159.2在审
  • 王彦林;高丽江;刘学刚;秋小强;贾一平;杨海钢 - 山东芯慧微电子科技有限公司
  • 2021-10-28 - 2022-01-25 - G06F15/78
  • 本发明公开了一种基于改进型查找表结构的可编程逻辑块,可编程逻辑块的每个基本逻辑单元包含两个完全相同相互独立的PLML(Programmable Logic Module‑Logic),拥有独立的输入输出以及进位链结构和移位寄存链结构;每个PLML包括改进型LUT模块、逻辑运算模块、触发器模块、多路选择器模块和移位寄存模块;每个PLML包含三种粒度的改进型双输出LUT共4个,4个加法器和4个触发器以及若干个多路选择器等资源;每个PLML通过内部同种或不同种资源组合,可以实现功能更强的LUT功能,时序逻辑功能、逻辑运算功能、多路选择器功能和移位寄存功能,且均能实现寄存输出。本发明具有多种输入的查找表结构,可以根据功能需求映射到对应的LUT上,避免资源浪费,可以实现更多独立的功能函数同时配置简单。
  • 一种基于改进型查找结构可编程逻辑
  • [发明专利]针对同一端口的读写控制模块及方法、双端口存储器-CN201910298680.2有效
  • 秋小强 - 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
  • 2019-04-15 - 2021-01-29 - G11C7/10
  • 一种针对同一端口的读写控制模块及方法、双端口存储器,针对同一端口的读写控制模块可通过配置时钟延时产生模块的各级延时,来调控读时序和写时序,从而使得读写脉冲产生模块产生时序错开的读脉冲信号和写脉冲信号,读写控制信号产生模块产生的端口读写控制信号分别对读脉冲信号和写脉冲信号进行读或写控制,从而在字线控制信号产生模块生成字线控制信号。读脉冲信号和写脉冲信号分别包含多个在时间上周期分布的读脉冲和写脉冲,根据实际读写需要对一个周期内的读脉冲和写脉冲的个数可以进行灵活设置,从而产生不同模式下的字线控制信号,可以实现一个时钟周期内数据的先读后写,结构简单,调控方便且高效,数据具有较高的实时性。
  • 针对同一端口读写控制模块方法存储器
  • [发明专利]一种双端口存储器字线控制电路-CN201510446473.9有效
  • 秋小强;李天文;蔡刚;杨海钢 - 中国科学院电子学研究所
  • 2015-07-27 - 2019-04-02 - G06F11/10
  • 本发明提供了一种双端口存储器字线控制电路。该双端口存储器字线控制电路包括:控制模块,用于根据存储器端口的读写使能信号、EDAC开启使能信号和双端口地址比较信号产生两路的控制信号;时钟延时模块,用于由时钟信号以及两延时控制信号产生四路的延时信号;以及字线控制信号产生模块,与所述控制模块和时钟延时模块电性连通,用于依据两路的控制信号和四路的延时信号,产生一字线控制信号。本发明可以产生带纠错功能字线控制信号,可以实现一个时钟周期内完成数据读出和回写,因此纠错数据无需冗余的存储单元,减少了芯片面积;同时没有EDAC功能的双端口存储器字线控制电路实现兼容。
  • 一种端口存储器控制电路
  • [发明专利]一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器-CN201310188754.X有效
  • 杨海钢;李天文;蔡刚;秋小强 - 中国科学院电子学研究所
  • 2013-05-21 - 2017-03-29 - H03K19/094
  • 本发明公开了一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器,该锁存器包括第一延时单元、第二延时单元、第一锁存单元、第二锁存单元和第三锁存单元。本发明通过调节延时单元偏置电压可分别改变第一延时单元与第二延时单元的延时,从而改变锁存器数据信号的建立时间,有效降低、甚至避免因发生在输入数据信号通路中的单粒子瞬态效应而引起的错误数据锁存;本发明通过引入冗余存储节点,在一个节点翻转时可以通过反馈从另外两个锁存单元恢复该节点电压。综上,本发明可在普通商用工艺条件下实现抗单粒子翻转,并通过可调延时单元改变锁存器建立时间,使数据路径上的瞬态效应得到有效抑制。
  • 一种粒子翻转瞬态效应延时可调锁存器
  • [发明专利]输入位宽可伸缩的编码/编解码存储系统-CN201410119120.3有效
  • 杨海钢;支天;蔡刚;秋小强 - 中国科学院电子学研究所
  • 2014-03-27 - 2017-01-25 - G11C29/42
  • 本发明提供了一种输入位宽可伸缩的编码/编解码存储系统。该编码存储系统包括读写控制电路、存储器、编码电路、数据缓存器、级联的一级地址缓存器和二级地址缓存器、级联的一级写使能缓存器和二级写使能缓存器和控制电路。该编码存储系统使用缓存编解码机制,实现了存储阵列和缓存器之间的交互存储,在外部提供的需写入数据的位宽不足存储器要求的位宽,即编码数据一部分来自外部输入一部分来自存储阵列时,可以实现正确的编解码,且纠错能力在不同的位宽条件下相互一致,进行正常写入读出存储阵列的操作。
  • 输入位宽可伸缩编码解码存储系统

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