“石震武”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种有序半导体量子点制备方法及装置-CN202210277178.5有效
发明人： 石震武;庄思怡;彭长四;杨新宁;缪力力;耿彪;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
一种有序半导体量子制备方法装置

[发明专利]一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物-CN202210439135.2有效
发明人： 石震武;耿彪;彭长四;祁秋月;张高俊;朱泽群;韩照祥 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。
一种双模尺寸 inas gaas 量子生长方法组合

[发明专利]基于分子束外延原位激光干涉光刻方法-CN202210177492.6有效
发明人： 石震武;杨新宁;彭长四;缪力力;庄思怡;耿彪;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
基于分子外延原位激光干涉光刻方法

[发明专利]光刻装置及光刻方法-CN202011568963.3在审
发明人：彭长四;刘晟;高雅琨;石震武 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻装置及光刻方法，能够按照掩膜版的掩膜图形进行光投影方式的无损光刻；该光刻装置包括真空生长室、掩膜板、光路系统、光源；光源、掩膜板、光路系统均位于真空生长室的外部；光源发出的光线经掩膜板和光路系统后，在真空生长室内形成光投影图案，以通过光投影图案对形成在衬底表面的材料进行光刻；光投影图案的形状与掩膜板的掩膜图案的形状一致。
光刻装置方法

[发明专利]一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法-CN202110818091.X在审
发明人：彭长四;石震武;耿彪;杨新宁;缪力力;庄思怡;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。
一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法

[发明专利]原位无损剥离量子点的方法-CN201810556681.8有效
发明人： 石震武;缪力力;杨琳韵;杨新宁;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
原位无损剥离量子方法

[发明专利]超疏水超亲油过滤膜及其制备方法和使用-CN201710082404.3有效
发明人： 石震武;张锋;吴竹慧;徐成云;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超疏水超亲油过滤膜，包括多孔网状基底，多孔网状基底的表面沉积有无定形碳薄膜，无定形碳薄膜的外侧修饰有二氧化硅，二氧化硅的表面修饰有疏水层。本发明还公开了其制备方法：烘烤多孔网状基底的表面，使其表面沉积无定形碳薄膜；采用气相沉积法使前驱体在催化剂的作用下发生水解反应，得到二氧化硅并使二氧化硅沉积到多孔网状基底的表面上；使用疏水处理剂处理多孔网状基底的表面。本发明还要求保护一种超疏水超亲油过滤膜的过滤方法：提供一流体输送管，流体输送管的侧壁采用超疏水超亲油过滤膜；将待分离的油水混合物从流体输送管的入口端通入并沿所述流体输送管流动；分别从流体输送管的下方和出口端收集分离后的油和水。
疏水超亲油滤膜及其制备方法使用

[发明专利]一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法-CN201810523864.X在审
发明人： 石震武;杨新宁;杨琳韵;缪力力;陈晨;霍大云;邓长威;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
分子束外延系统致密基底脉冲激光原位低温沉积制备脉冲激光辐照基底表面基底材料刻蚀作用外延设备融合高真空引入照射团聚膨胀申请

[发明专利]PDMS/C超疏水复合薄膜及其制备方法-CN201810607024.1在审
发明人： 石震武;徐成云;张锋;吴竹慧;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种PDMS/C超疏水复合薄膜，包括聚二甲基硅氧烷以及均匀分布于聚二甲基硅氧烷中的炭黑，超疏水复合薄膜的水接触角为155°‑160°。本发明还提供了其制备方法，包括以下步骤：在两相对的基底之间形成聚二甲基硅氧烷与炭黑的混合物，向基底的表面施加朝向混合物的力，然后在150℃‑160℃下固化，以在基底之间形成超疏水复合薄膜。本发明只采用物理加压方式将炭黑材料嵌入PDMS中，简单快速，经济环保，所制备的复合薄膜不仅具备优异的超疏水性，而且同时还具备耐磨损以及避光防护的特性。
复合薄膜超疏水聚二甲基硅氧烷基底制备混合物炭黑表面施加超疏水性加压方式水接触角炭黑材料耐磨损避光固化嵌入防护环保

[发明专利]构建高黏附性超疏水表面的方法-CN201610551383.0有效
发明人： 石震武;吴竹慧;张锋;徐成云;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种构建高黏附性超疏水表面的方法，包括以下步骤：向有机溶剂中加入抑制剂，搅拌均匀后加入前驱物，搅拌后得到无机纳米粒子溶胶‑凝胶；将基材清洗干净后修饰无定形碳，得到修饰后的基材，然后将修饰后的基材于上述无机纳米粒子溶胶‑凝胶中浸涂，然后加热，得到修饰复合膜的基材；将修饰复合膜的基材高温退火，以除去无定形碳，然后用低表面能物质修饰，得到高黏附性超疏水表面。该制备方法操作简单，成本低廉，环境友好，安全环保，构建的高黏附性的超疏水表面具有很明显的花瓣效应。
构建黏附疏水表面方法

[发明专利]图形化生长量子点的方法-CN201710560071.0在审
发明人： 石震武;杨琳韵;霍大云;邓长威;陈晨;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化生长量子点的方法，包括以下步骤a.应变基底的生长；b.原位引入激励源，利用激励源产生周期性的温度场去诱导应变基底的应力进行图形化调制释放，从而原位实现具有纳米周期性分布的应力场的应力结构；c.基于纳米周期性分布的应力场的耦合诱导，在应力结构上生长相应的周期性量子点。
图形化生量子方法

[发明专利]一种减少CP‑PLL频率切换时间的无源环路滤波器-CN201610809229.9在审
发明人： 石震武;赵雯 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H03L7/093 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少CP‑PLL频率切换时间的无源环路滤波器，连接在CP‑PLL的电荷泵与VCO输入端之间，包括相串联的电阻R1和电容C1、以及与电阻R1和电容C1并联的电容C2，电容C1串联有小电容Cp，小电容CP并联有两反向并联的开关二极管，小电容CP与两开关二极管的公共端接地，电容C2的一端接地。本发明从根本上解决了锁相环频率合成器中频率切换时间与相位噪声和杂散指标的矛盾需求，利用RDP开关二极管的单向导通特性，在频率切换时减小滤波器的总电容从而加快CP‑PLL的非线性响应速度，减少频率切换时间，而在频率稳定后恢复原环路滤波器的总电容值，使无源环路滤波器的加入并不影响到系统稳定状态时的相位噪声和杂散。
一种减少 cp pll 频率切换时间无源环路滤波器

[发明专利]一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法-CN201410069486.4有效
发明人：何苗;陈虞龙;王禄;石震武;孙庆灵;高优 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种II型GaSb/In_0.53Ga_0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5MLGaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5MLGaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S-K模式生长获得GaSb/In_0.53Ga_0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As-Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。
一种 inp 衬底外延生长 ii gasb ingaas 量子方法

1
共 13 条