“王苛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果29个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种阻流异质结可编程存储器件-CN202311008148.5在审
发明人：王苛;彭泽忠 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明公开一种阻流异质结可编程存储器件，涉及存储器件领域；存储器件包括：依次连接的第一电极、阻流异质结绝缘介质层和第二电极；阻流异质结绝缘介质层包括：阻流层和可编程介质层；阻流层和可编程介质层采用的绝缘介质不同；第一电极和第二电极采用设定配套材料构成；阻流层的禁带宽度小于可编程介质层的禁带宽度；本发明能够实现低成本高密度存储。
一种阻流异质结可编程存储器件

[发明专利]一种银行产品的分类方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310854863.4在审
发明人：王苛 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F18/243 文献下载
摘要：本申请公开了一种银行产品的分类方法、装置、设备及可读存储介质，可应用于人工智能领域及金融领域，该方法包括：获取待分类产品的产品信息；将所述产品信息输入利用银行产品的类别影响因素训练好的随机森林分类模型，得到所述随机森林分类模型输出的分类结果；将所述分类结果进行输出。由此，利用通过银行产品的类别影响因素训练好的随机森林分类模型对银行产品进行分类，解决了现有方案依靠相关工作人员的经验进行分类，导致后续研发资源配置不合理的问题，既提高了银行产品分类的效率，又提高了银行产品分类的准确性。
一种银行产品分类方法装置设备可读存储介质

[发明专利]一种信用卡套现识别方法及相关设备-CN202310616595.2在审
发明人：王苛 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06Q20/40 文献下载
摘要：本公开提供的一种信用卡套现识别方法及相关设备，应用于人工智能领域或金融领域。本公开可以分别获得预先训练好的多个信用卡套现识别模型的模型权重，其中，模型权重与信用卡套现识别模型的分类准确率有关；获得用户的信用卡特征数据；将信用卡特征数据分别输入至各信用卡套现识别模型中，获得各信用卡套现识别模型输出的信用卡套现预测概率；利用各信用卡套现识别模型输出的信用卡套现预测概率及其模型权重进行加权求和，获得用户的信用卡套现识别结果。本公开通过多个信用卡套现识别模型及其模型权重，将多个信用卡套现识别模型输出的信用卡套现预测概率进行融合，能够提高信用卡套现识别结果的准确率，从而提升信用卡套现行为的识别效率。
一种信用卡识别方法相关设备

[实用新型]用于加工排气歧管断裂槽的夹具及排气歧管加工装置-CN202223049752.6有效
发明人：王苛;梁显鹏;赵志;马文彬;李晓鹏;朱博 -专利权人：南阳飞龙汽车零部件有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车排气歧管加工技术领域，尤其是涉及一种用于加工排气歧管断裂槽的夹具及排气歧管加工装置。所述用于加工排气歧管断裂槽的夹具包括：支撑件设置在所述排气歧管的下方，用于支撑所述排气分管；夹持组件包括能够伸向所述排气分管的夹爪，所述夹爪形成为类U形结构以围设在所述排气分管的两侧；所述夹爪形成有抬放式运动，当所述夹爪下放时，所述夹爪与所述大面的背面抵接且将所述大面压紧至所述支撑件；当所述夹爪上抬时，所述夹爪与所述大面的背面分离。本实用新型能够对设置有尺寸较小的断裂槽的排气歧管进行可靠装夹，以保证其定位牢固，使得刀具能够准确进刀且刀具能够准确地切向大面以在所需位置形成断裂槽。
用于加工排气歧管断裂夹具装置

[实用新型]排气歧管大面断裂槽加工装置-CN202223050835.7有效
发明人：王苛;梁显鹏;赵志;马文彬;李晓鹏;朱博 -专利权人：南阳飞龙汽车零部件有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车零部件加工设备技术领域，尤其是涉及一种排气歧管大面断裂槽加工装置。所述排气歧管大面断裂槽加工装置包括：切割刀具，形成有切断所述大面的切割运动；加工平台，形成有朝向或背向所述切割刀具的运动路径，以在带动所述排气歧管运动并在所述大面上切割形成断裂槽或离开所述切割刀具；装夹件，形成有朝向所述分歧管延伸的装夹部，所述装夹部设置在每个所述断裂槽的两侧且能够与所述法兰部抵接，使得所述大面被紧压至所述加工平台。本实用新型能够对尺寸较小的断裂槽实现可靠装夹以保证排气歧管牢固定位，避免切割刀具损坏，使得切割刀具能够顺利地切断分歧管的大面以形成断裂槽，从而提升装置的加工效率和产品质量。
排气歧管大面断裂加工装置

[发明专利]全自对准高密度3D多层存储器的制备方法-CN202110189418.1有效
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：全自对准高密度3D多层存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基础结构体开槽；3)在分割槽中填充绝缘介质；4)深孔刻蚀步骤3)填充的绝缘介质，形成沿分割槽离散排列的存储单元孔，相邻的存储单元孔之间为绝缘介质,并且基础结构体部分暴露于存储单元孔内；5)在存储单元孔内逐层设置预设的存储器结构所需的各层介质。采用本发明技术制备得到的半导体存储器存储密度高。
对准高密度多层存储器制备方法

[发明专利]半导体存储器底层电路及制备方法-CN202211641410.5在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：半导体存储器底层电路及制备方法，涉及集成电路技术。本发明的半导体存储器底层电路，其特征在于，包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层，行线层内设置有预定数量的、由掺杂半导体材料构成的行线，列线层内设置有预定数量的、由导电材料构成的列线，行线和列线的方向相互垂直；在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的MOS孔；所述MOS孔内填充有上下两段半导体材料，位于MOS孔上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同，位于MOS孔下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反并与行线接触，上下两段半导体材料直接接触；填充于MOS孔内的半导体材料和MOS孔的内壁之间通过绝缘层隔离。本发明能够很好地控制和选择由三维存储器阵列的多个分离堆叠层中的一组存储器单元共享的垂直位线。
半导体存储器底层电路制备方法

[发明专利]半导体存储器底层晶体管电路及制备方法-CN202211641027.X在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体存储器底层晶体管电路及制备方法，涉及集成电路技术，本发明的电路包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层，行线和列线的方向相互垂直；在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的孔；孔内填充有上下两段半导体材料，位于孔内上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同，位于孔内下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反，在每个孔的位置都形成一个三极管。本发明制备工艺简单，成本低。
半导体存储器底层晶体管电路制备方法

[发明专利]高密度三维堆叠存储器的互联结构及制备方法-CN202211638282.9在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：高密度三维堆叠存储器的互联结构及制备方法，涉及集成电路技术，特别涉及三维半导体存储器技术。本发明的高密度三维堆叠存储器的互联结构包括由导电层和绝缘层交错层叠构成的三维存储结构体和引出结构，所述引出结构与三维存储结构体的刻蚀立面的接触面具有阶梯状边缘线，所述刻蚀立面为三维存储结构体由刻蚀产生的垂直于底面的侧面所在平面。采用本发明技术的构型布线占用芯片面积明显小于现有技术，同时大大降低了水平电极串联电阻。
高密度三维堆叠存储器联结制备方法

[发明专利]低阻互联高密度三维存储器件及制备方法-CN202210516577.2有效
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：低阻互联高密度三维存储器件及制备方法，属于集成电路技术。本发明的低阻互联高密度三维存储器件包括底层电路部分以及设置于底层电路部分上方的基础结构体，所述基础结构体包括自下向上交错重叠的第一导电介质层和绝缘介质层，所述基础结构体具有枝形指叉结构，所述枝形指叉结构由两个枝形结构体构成；所述枝形结构体包括一个枝干以及与枝干连接且垂直于枝干的枝条，在枝条与外部结构体之间的曲线状分割槽中设置有预定数量的存储孔，相邻存储孔之间由绝缘材料隔离；存储孔内设置有垂直于基础结构体底面的垂直电极，在垂直电极和存储孔内壁之间设置有预设存储器类型所需的存储介质。本发明在实现高密度存储的同时，降低了水平导线串联电阻。
低阻互联高密度三维存储器件制备方法

[实用新型]去除蜗壳上螺纹丝套内尾柄的装置-CN202121046787.7有效
发明人：王星;席国钦;郭宗伟;周良平;王波;赵彦;周满力;王苛;李振河;李艳平;马朝锋;赵柯;郭好;叶菁;程建锋 -专利权人：南阳飞龙汽车零部件有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B23P19/027 文献下载
摘要：本申请涉及蜗壳制造技术领域，具体而言，涉及一种去除蜗壳上螺纹丝套内尾柄的装置，所述压销件用于在竖直方向上移动以将销压装于所述蜗壳，所述压力传感器安装于所述压销件上，所述压力传感器用于获取所述压销件与所述蜗壳之间压力数据；所述尾柄去除组件包括直线驱动件和安装于所述直线驱动件的传动杆上的作用杆，所述作用杆用于作用在蜗壳上螺纹丝套的尾柄以使所述尾柄从所述螺纹丝套上去除；所述装置还包括控制器，所述控制器与所述直线驱动件和所述压力传感器均通信连接。本申请的目的在于针对目前，尾柄的去除通常使采用人工手动去除，劳动强度较大，给使用者带来不便的问题，提供一种去除蜗壳上螺纹丝套内尾柄的装置。
去除蜗壳上螺纹丝套内尾柄装置

[发明专利]低阻硅化物互联三维多层存储器及制备方法-CN202111451938.1在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：低阻硅化物互联三维多层存储器及制备方法，涉及半导体存储器技术。本发明包括底层电路部分以及设置于底层电路部分上方的基础结构体，所述基础结构体由曲线状分割槽分为彼此独立的两个指叉结构，所述基础结构体包括自下向上交错重叠的第一导电介质层和绝缘介质层，曲线状分割槽内并列设置有至少3个存储单元孔，每个存储单元孔内设置有一个垂直电极，相邻两个存储单元孔之间为绝缘隔离柱；所述第一导电介质层包括上下重叠的低阻半导体层和低阻硅化物层；在低阻硅化物层内、靠近存储介质的区域，设置有绝缘区，所述绝缘区将低阻硅化物层内的低阻硅化物隔离于存储介质。本发明有利于存储器更为稳定的工作。
低阻硅化物互联三维多层存储器制备方法

[发明专利]孔位加工方法-CN202111534406.4在审
发明人：冯长虹;席国钦;周良平;郭宗伟;李振河;王晓磊;靳建军;梁显朋;李艳平;赵柯;郭好;王星;赵彦;王苛;李会社;高书超;赵志;程建锋 -专利权人：南阳飞龙汽车零部件有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本申请涉及机加工技术领域，尤其是涉及一种孔位加工方法，包括如下步骤：步骤101、在母体上加工方形孔；步骤102、按照方形孔加工待嵌入体，并且以待嵌入体的中心为中心加工预设孔；步骤103、测量方形孔相对母体的基准的尺寸偏差；步骤104、在待嵌入体上根据尺寸偏差修改待嵌入体的外缘，以补偿尺寸偏差；步骤105、将修改完的待嵌入体安装至母体的方形孔内。可见，上述加工方法有效降低了多异形孔类工件的加工难度，减少了人为加工时间、劳动强度、人工成本，并且减少了母体的报废量，节约原材料，进一步降低生产成本。
加工方法

[发明专利]高密度三维多层存储器及制备方法-CN202110625260.8在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：高密度三维多层存储器及制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明的存储器包括底层电路部分以及设置于底层电路部分上方的基础结构体，所述基础结构体由曲线状分割槽分为彼此独立的两个指叉结构，曲线状分割槽内并列设置有至少3个存储单元孔，每个存储单元孔内设置有一个垂直电极，所述存储介质为绝缘介质；在存储单元孔的内壁、第一导电介质层区域，设置有缓冲区，所述缓冲区自存储单元孔的内壁向存储单元孔的轴线凸出，缓冲区与存储介质相接。本发明的存储器存储密度高，层间电阻低，有利于存储器更为稳定的工作。
高密度三维多层存储器制备方法

[发明专利]高密度三维多层存储器及制备方法-CN202110751815.3在审
发明人：彭泽忠;王苛 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：高密度三维多层存储器及制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明的制备方法包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基础结构体开槽；3)在分割槽内设置预定数量的存储单元孔，相邻存储单元孔之间为绝缘介质，存储单元孔内设置垂直电极，垂直电极和指叉结构之间为存储介质层；所述步骤3)中，在设置存储介质之前，包括下述步骤：对位于分割槽内壁的第一导电介质进行掺杂扩散，使靠近分割槽内壁的第一导电介质形成低掺杂半导体材质的缓冲区。本发明的制备方法工艺成本低，成品率高。
高密度三维多层存储器制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 29 条