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[发明专利]发光二极管，发光二极管封装体及植物照明装置-CN202180005040.3在审
发明人：蒙成;曹冬梅;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管，发光二极管封装体及植物照明装置，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；反射层，设置于所述半导体外延叠层的出光面的反方向一侧，用于将有源层辐射的光线反射出去，透光性介电层结构，至少局部地设置在所述反射层和半导体外延叠层之间，所述透光性介电层结构在半导体层外延叠层的堆叠方向上的不同位置的折射率不同。所述透光性介电层结构和反射层形成的全反射结构可提升发光二极管的取光效率，提升发光二极管的发光亮度。
发光二极管封装植物照明装置

[发明专利]发光元件及其制备方法-CN202111128429.5在审
发明人：吴志伟;王燕云;熊伟平;丘建生;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光元件及其制备方法，该发光元件包括基底和形成在基底上的键合层；外延结构设置在键合层上；键合层上方未设置外延结构的区域形成切割道；保护层覆盖外延结构和切割道，第一沟道位于切割道的内部，并自保护层的上表面向下延伸至基底的内部。本申请通过在切割道内部形成第一沟道，且第一沟道自保护层的上表面向下延伸至基底的内部，在隐形切割之前可确保切割线A处无连续的保护层和键合层，以避免发光元件因键合层或者保护层受到外力拉扯而出现的崩边异常现象，提高切割良率。
发光元件及其制备方法

[发明专利]一种LED结构及制作方法-CN202111059485.8在审
发明人：贾月华;柯韦帆;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED结构及制作方法，该LED结构包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、绝缘层、接触层等功能层。该LED结构将绝缘层设置于第二导电类型半导体层的电流扩展层中，可以减少第二导电类型半导体层的吸光，使绝缘层更加靠近有源层，能够起到更好的电流阻挡作用，将电流限制在有效的发光区域，同时减小绝缘层与电流扩展层表面的高度差，从而在形成接触层时，减少填充金属的用量，降低制造成本。此外，接触层与绝缘层的表面齐平，可形成平整界面，避免后续出现键合缝隙，提升LED的可靠性。因此本申请具有高度的产业实用价值。
一种 led 结构制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202111164722.7在审
发明人：吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;丘建生;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，本发明提供的发光二极管中，通过将欧姆接触电极下方的欧姆接触层进行图形化成若干间隔设置的子欧姆接触块，同时通过欧姆接触电极与间隔设置的欧姆接触层进行电性连接，不仅能够减少现有技术中欧姆接触层中吸光过多的问题，还能通过间隔分散设置的欧姆接触，使得电流在半导体层的扩散更加均匀，进一步提高了发光二极管的发光效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种半导体发光元件及制作方法-CN202111077795.2在审
发明人：李维环;王笃祥;吴超瑜 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件及制作方法，所述半导体发光元件包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层包含第一电流扩展层，所述第一电流扩展层包含自第一表面至第二表面的第一部分和第二部分组成，所述第一部分的平均带隙大于第二部分的平均带隙，第二部分由带隙不同的第一子层和第二子层交替堆叠形成。所述电流扩展层可改善电流扩展的均匀性，提升发光二极管的发光效率。
一种半导体发光元件制作方法

[发明专利]发光二极管及制作方法-CN202180003029.3在审
发明人：贾月华;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管，包括：半导体外延叠层，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面；透光性电介质层，位于所述半导体外延叠层的第二表面侧，具有多个开口贯穿所述透光性电介质层，形成多个贯穿孔；欧姆接触层，填充所述透光性电介质层的贯穿孔；粘附层，位于所述透光性电介质层远离半导体外延叠层的一侧；金属反射层，位于所述粘附层远离半导体外延叠层的一侧；其特征在于：所述欧姆接触层和粘附层之间含有防金属扩散层，可防止欧姆接触层中的金属往所述粘附层扩散，防止发光二极管的电压升高，欧姆接触层填充透光性电介质层的贯穿孔，可防止键合层的孔洞产生，提升发光二极管的打线良率。
发光二极管制作方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法-CN202110973917.X在审
发明人：李福龙;刘晓峰;赵坤;魏金栋;薛轶博;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：生长衬底；电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙；外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。本发明的电流扩展层能够增加电流的横向扩散能力，提高LED外延结构的亮度以及抗静电能力，改善LED外延结构的正向电压，有利于器件的可靠性。
led 外延结构及其制备方法芯片

[发明专利]半导体外延结构及其制备方法、LED芯片-CN202110786164.1在审
发明人：王立伟;刘晓峰;李维环;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法、LED芯片，所述半导体外延结构包括：生长衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一电流扩展层，设置于生长衬底的第一表面的上方；外延层，设置于第一电流扩展层的表面，且外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电流扩展层，设置于第二半导体层的上方；其中，第一电流扩展层包括交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度大于第二掺杂层的掺杂浓度。在本发明中，第一电流扩展层高低浓度的掺杂层的交替设置，有利于电流扩展，进而提高芯片的抗静电性能。
半导体外延结构及其制备方法 led 芯片

[发明专利]红外发光二极管及其制备方法-CN202110421647.1在审
发明人：李岩;申利莹;沈午祺;韩雪松;谢振刚;曾家珍;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种红外发光二极管及其制备方法，该红外发光二极管包括衬底、半导体堆叠层和透明导电层；衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层沿第一方向形成在第一表面，第一方向垂直于第一表面；透明导电层覆盖半导体堆叠层远离衬底的表面；衬底的侧壁为第一侧壁，第一侧壁的部分壁面或全部壁面为经过粗化处理的粗糙侧壁；粗糙侧壁的粗糙度大于半导体堆叠层和透明导电层的侧壁的粗糙度。本申请中对衬底的部分或全部侧壁进行粗化处理，半导体堆叠层和透明导电层的全部侧壁均未经过粗化处理，避免粗化处理中粗化液渗透至半导体堆叠层和透明导电层，进而避免半导体堆叠层和透明导电层出现侧蚀现象，以提高该红外发光二极管的良率。
红外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及制作工艺、发光装置-CN201910722072.X有效
发明人：张东炎;贾月华;蒙成;王晶;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管及制作工艺、发光装置，所述发光二极管包括：发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面侧，具有多个第一开口暴露发光外延叠层的第二表面侧；粘附层，位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧，具有多个第二开口，第二开口与第一开口的位置对应；金属层，位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧，并延伸至第二开口以及第一开口内与发光外延叠层的第二表面侧接触，所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一。本发明所述发光二极管可以有效解决粘附层在欧姆接触层与反射镜层之间导致的电压上升的问题。
一种发光二极管制作工艺发光装置

[发明专利]倒装发光元件-CN201910809304.5有效
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装发光元件，其结构自下而上包含：透明衬底、透明键合层、外延层、绝缘保护层、第一焊接电极、第二焊接电极，所述外延层包含p型导电层、量子阱、n型导电层，其中p型导电层与透明键合层相接，接触面为粗化面，所述外延层边缘被蚀刻，直至透明键合层也被蚀刻减薄形成台阶，减薄后的透明键合层表面至少低于所述粗化面的最低点，n型导电层、量子阱的部分区域被蚀刻，直至露出p型导电层，所述绝缘保护层覆盖上述结构，第一焊接电极、第二焊接电极通过绝缘保护层通孔分别与p型导电层、n型导电层接触。本发明提高倒装发光元件的可靠性。
倒装发光元件

[发明专利]一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒-CN202011301311.3在审
发明人：宋迪;高佳;汤国梁;金超;张东炎;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒，在划片过程中，通过调整划片装置中反射镜的角度，激光光束与垂直于晶圆衬底的第三方向具有一夹角，使得激光光束自第三方向倾斜照射至所述晶圆表面所设置的切割道，因而划片产生的芯粒四周的四个侧壁中，有相邻两侧壁的高度相同且相对两侧壁的高度不同，在后续的分选、固晶阶段，当用吸嘴将芯粒放置于特定区域时，降低了吸嘴释放的难度，从而改善了芯粒粘附吸嘴的问题。此外，本发明仅通过微调划片装置中反射镜的角度，就能够降低后续分选、固晶阶段吸嘴释放的难度，改善芯粒粘附吸嘴的问题，操作简单，实用性较强。
一种划片方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201910913698.9有效
发明人：贾月华;柯韦帆;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层一侧为出光面，其特征在于:出光面上包括多个独立凹槽，凹槽的底部位于第二导电类型半导体层中，凹槽之外的出光面的区域为光透射阻挡区域，所述的凹槽的侧壁相对于半导体发光序列的厚度方向倾斜的。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种发光元件-CN201980005985.8在审
发明人：萧至宏;蔡坤煌;王笃祥;张家宏 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光元件，其包括半导体发光序列堆叠层，具有相对的第一面侧和第二面侧，并且所述半导体发光序列堆叠层自第一面侧至第二面侧包括如下堆叠顺序的多层：欧姆接触层、电流扩展层、第一覆盖层、发光层、第二覆盖层；其特征在于，所述半导体发光序列堆叠层还包括：铝相对含量过渡层，位于欧姆接触层与含铝的电流扩展层之间，所述的电流扩展层含铝，并且铝相对含量不变；铝相对含量过渡层的铝相对含量低于电流扩展层的铝相对含量。
一种发光元件

[实用新型]一种半导体发光元件-CN202020626865.X有效
发明人：王进;郭桓邵;蔡坤煌;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，所述半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；所述第一导电类型半导体层远离活性层一侧的表面具有由凹陷部和凸起部构成的凹凸图案，具有侧壁和由侧壁相连接的底表面和顶表面；电介质层，形成于所述凹凸图案之上，具有导电通孔；金属层，填充所述电介质层的导电通孔，通过所述凹陷部的部分侧壁与第一导电型半导体层形成欧姆接触；所述电介质层和金属层形成全方位反射镜。本实用新型的设计可保证全方位反射镜的反射面积，增加半导体发光元件的出光量，提升半导体发光元件的发光效率。
一种半导体发光元件